We introduce a new approach that allows us to solve, algorithmically, the contractive completion problem. In this article, we provide concrete necessary and sufficient conditions for the existence of contractive completions of Hankel partial contractions of size $4{\times}4$ using a Moore-Penrose inverse of a matrix.
Let $\mathcal{A}$ be a unital $C^*$-algebra, a, x and y are elements in $\mathcal{A}$. In this paper, we present the expression of the Moore-Penrose inverse and the group inverse of a-$xy^*$ under the conditions $x=aa^+x,y^*=y^*a^+a$, respectively.
In the previous work [5] we have determined the group ${{\varepsilon}_{\sharp}}^{dim+r}^{dim+r}(X)$ for $X\;=\;M(Z_q,\;n+1){\vee}M(Z_q,\;n)$ for all integers q > 1. In this paper, we investigate the group ${{\varepsilon}_{\sharp}}^{dim+r}(X)$ for $X\;=\;M(Z{\oplus}Z_q,\;n+1){\vee}M(Z{\oplus}Z_q,\;n)$ for all odd numbers q > 1.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권6호
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pp.847-853
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2016
Applications of Si have been increasingly exploited and extended to More-Moore, More-than-Moore, and beyond-CMOS approaches. Ge is regarded as one of the supplements for Si owing to its higher carrier mobilities and peculiar band structure, facilitating both advanced and optical applications. As an emerging metal-oxide device, the junctionless field-effect transistor (JLFET) has drawn considerable attention because of its simple process, less performance fluctuation, and stronger immunity against short-channel effects due to the absence of anisotype junctions. In this study, we investigated lateral field scalability, which is equivalent to channel-length scaling, in Si and Ge JLFETs. Through this, we can determine the usability of Si CMOS and hypothesize its replacement by Ge. For simulations with high accuracy, we performed rigorous modeling for ${\mu}_n$ and ${\mu}_p$ of Ge, which has seldom been reported. Although Ge has much higher ${\mu}_n$ and ${\mu}_p$ than Si, its saturation velocity ($v_{sat}$) is a more determining factor for maximum $I_{on}$. Thus, there is still room for pushing More-Moore technology because Si and Ge have a slight difference in $v_{sat}$. We compared both p- and n-type JLFETs in terms of $I_{on}$, $I_{off}$, $I_{on}/I_{off}$, and swing with the same channel doping and channel length/thickness. $I_{on}/I_{off}$ is inherently low for Ge but is invariant with $V_{DS}$. It is estimated that More-Moore approach can be further driven if Si is mounted on a JLFET until Ge has a strong possibility to replace Si for both p- and n-type devices for ultra-low-power applications.
안점의꽃갯지렁이(Pseudopotamilla occelata Moore)의 난모세포의 난자형성과정을 알기 위해서 multivesicular body와 미토콘트리아의 난자형성단계에 따른 구조적 변화르르 투과전자현미경으로 관찰하였다. 난황립의 전구체인 multivesicular body는 직경 50 $\mu$m의 난모세포에서 나타나기 시작하여, 난자형성의 진행에 따라 그 내부의 소낭들과 막 구조물들이 구조적 변화를 거치고 서로 융합하여 난황립의 core body의 전구체를 형성한다. 130 $\mu$m의 난모세포에서 세포질의 여러 다른 소낭들이 합쳐지고 또한 여러 개의 core body가 서로 융합하는 과정을 거쳐서 균일한 높은 전자밀도를 나타내는 난황립을 형성한다. 미토콘트리아는 특히 난자형성 초기에 cristae가 소낭형태로 변화하고 미토콘트리아 기질이 비교적 높은 전자밀도를 나타내는 물질로 차있는 변형된 모습을 나타내었다. 위의 관찰은 변형된 미토콘트리아가 multivesicular body를 이루어 난황립을 형성하게 된다는 사실을 암시하였다.
This study examines placeness of the living space on the basis of Schulz's existential space and inquires into the expressional features of placeness by analyzing cases. Results of this study have shown that placeness of living space is formed by three factors as follows. First, the living space with placesness maintains inner order which structuralizes surroundings. Second, it expresses its identity through innate shape that reflects surroundings. Third, inner space has innate identity and it is much related to characteristics personality of a resident, environmental and psychological factors. It is as follows that concrete features of existential placeness shown in analyzing cases of Botta and Moore's works. There are concrete expressional features of placeness in the housing of Botta, and one is to keep order of inner space the horizontal and vertical axis reflected surroundings. Another is to show existence feeling as the shape of a stable singular mass with surroundings and regional properties. The third is to value innate features of each space inside housing and particularly to acquire placeness as combining phenomenological characteristic of light. There are concrete expressional features of placeness in the housing of Moore, and first, strong centrality formed in the inside is emphasized as extending to outside environment. Second, existence feeling is acquired as familiar form using the shape and material considered surroundings. Third, the personality of a resident is positively reflected in the design. Besides, placeness is acquired by goods and furniture as positively considering environmental and psychological sides.
어떠한 현상 혹은 사물의 이미지를 학생들에게 제공하는데 있어서 여러 가지 원인에 의해 초점이 흐리거나 혹은 흔들린 이미지들이 등장하여 학생들에게 보여주기가 힘든 경우가 빈번하게 발생한다. 특히, 이미지에 대한 구체적인 정보가 없는 경우에는 그 이미지는 쓸모가 없는 것이 된다. 본 연구는 무정보 블러링 이미지를 아주 빠른 시간 내에 복구할 수 있는 2차원 DFT 기반의 하나의 블러링 제거 알고리즘을 제안하는데 있다. 제안된 방법의 빠른 처리 속도는 이산 푸리에 변환, 변환의 필터링과 회선 관계 및 Moore-Penrose 역행렬의 효과적인 계산 방식을 바탕으로 한다. 특히, 필터의 주파수 응답에 관한 처리는 유용한 회선 공식을 유도한다. 제안된 방법의 구현은 보통 크기의 블러링 이미지에 적용했을 때, 아주 빠른 시간 내에 블러링 효과를 제거시킬 수 있고, 보다 선명한 이미지를 제공할 수 있음을 보인다.
본 논문은 파이프라인 방식의 ASIC 데이타 경로를 제어하기 위한 무어 및 밀리식 의 시간 정지형 콘트롤러에 관한 연구이다. 조건분기(conditional branches)를 가진 데이타흐름도로 부터 무어 및 밀리식의 유한상태기(finite state machine) 콘트롤러 를 합성하는 방법을 소개한다. 콘트롤 합성은 콘트롤 명세서의 작성과 유한상태기의 합성으로 구성된다. 콘트롤 명세서를 작성하기 위한 과정들을 통해 상태표(state table)의 형태로 표현되는 유한상태기의 내역이 작성된다. 이 유한상태기를 여러 가지 다른 방식의 분할 과정과 축소화 과정을 거쳐 최소 면적을 가진 콘트롤러가 합성된다. 실험을 통해 두가지 콜트롤 방식의 특성을 비교하며 또한 두 모델의 비용과 성능의 영향 관계를 보여준다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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