• 제목/요약/키워드: Monte-calo simulation

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Kinetic Monte Carlo 시뮬레이션을 이용한 흡착 원자의 확산 계수 결정 (A method for determination of diffusion parameters of adatoms using kinetic monte calo simulation)

    • 한국진공학회지
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    • 제9권4호
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    • pp.419-427
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    • 2000
  • 본 연구는 원자의 주변 환경에 따른 각각의 확산 속도를 구할 수 있는 기구를 제시하였다. STM 또는 HRLEED 등의 실험과 kinetic Monte Carlo(KMC) 시뮬레이션 계산과의 비교를 통하여 테라스 위 흡착 원자의 확산장벽, step 끝 부착 원자의 탈착 확산 장벽, 잘 알려진 Schwoebel 장벽을 포함한 각각의 확산 장벽을 구할 수 있었다. 팔-넓이, 군집 밀도, 거칠기 등이 시뮬레이션 계산과 실험 결과를 비교하는 데에 가장 적절한 원자단위의 구조변수들임을 확인하였고, 특히 아직 잘 사용되지 않은 구조 계수인 가지폭이 확산 장벽을 구별하여 구하는 데에 중요한 역할을 하는 것을 확인하였다.

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해조류 속도 오차 추정을 통한 속도보정항법 알고리즘 (Velocity Aided Navigation Algorithm to Estimate Current Velocity Error)

  • 최윤혁
    • 한국항행학회논문지
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    • 제23권3호
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    • pp.245-250
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    • 2019
  • 관성항법장치는 시간 경과에 따라 관성센서 및 초기정렬 오차로 인해 항법 오차가 발생한다. 이를 보상하기 위한 방법으로 위성항법시스템 및 속도계 등을 이용하여 보정항법을 수행한다. 수중 환경에서는 GNSS 신호가 통하지 않기 때문에, 수중운동체에 탑재한 관성항법장치는 주로 속도계 보조센서를 이용하여 보정항법을 수행한다. 속도계 보조센서는 DVL, EM-Log, RPM이 있으며, 시스템 환경에 따라서 센서 종류가 적용된다. 본 논문은 고속 및 심해 환경에서 운용되는 관성항법장치의 RPM 속도보정항법을 설계하였다. 또한 직진 방향의 성분을 갖는 RPM 속도계의 한계를 보완하며, 해조류 속도 오차를 보상하는 알고리즘을 제안하였다. 제안한 알고리즘은 몬테카를로 시뮬레이션 결과를 통해 성능을 입증하였다.

Full 밴드 몬테칼로 시뮬레이션을 이용한 GaAs 임팩트이온화에 관한 연구 (Impact ionization for GaAs using full band monte carlo simulation)

  • 정학기
    • 전자공학회논문지A
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    • 제33A권11호
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    • pp.112-119
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    • 1996
  • Impact ionization model in GaAs has been presented by modified keldysh formula with two sets of power exponent of 7.8 and 5.6 in study. Impact ionization rate is derived from fermil's golden rule and ful lenergy band stucture based on empirical pseudopotential method. Impact ionization rates show anisotropic property in low energy region (<3eV), but isotropic in high energy region (3>eV). Full band monte calo simulator is coded for investigating the validity of the GaAs impact ionization model, and validity is checked by comparing impact ionization coefficients with experimental values and ones in anisotropic model. Valley transitions to energy alteration are explained by investigating electron motion in brillouin zone for full band model to electric field variation.

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UHF대역에서의 SEAMCAT을 이용한 간섭 분석기법에 관한 연구 (A study on the Analysis Method of Interference using SEAMCAT in UHF band)

  • 조승일;장경승;강성철;이주환;강정진;최규석;차재상;김성권
    • 한국인터넷방송통신학회논문지
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    • 제8권6호
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    • pp.119-125
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    • 2008
  • 본 논문에서는 가시거리가 확보가 되는 임의의 산간지형에서 UHF대역의 주파수 환경의 모델링을 제안한다. UHF대역을 사용하는 송신국은 Wt(Wanted Transmitter)로 정의하고 수신국은 Vr(Victim Receiver)로 정의하여 Victim link로 설정하며, 간섭원은 It(Interference Transmitter)와 Wr (Wanted Receiver)으로 정의하여 Interference link로 설정한다. Monte-Carlo 방식을 이용하는 전파간섭분석 시뮬레이션 툴인 SEAMCAT(Spectrum Engineering Advanced Monte Caelo Analysis Tool)을 사용하여 모델링된 주파수 환경을 시뮬레이션 한 결과와 임의의 산간지형에서 측정한 실측데이터를 비교하였다. SEAMCAT의 dRSS(desired Received Signal Strength)계산 값은 지형에 의해 생기는 손실이 있기 때문에 UHF 대역에서 수신 전력에서 70% 오차를 나타냄을 알 수 있었다. 따라서 지형에 의한 간섭회절만큼의 송신전력을 줄임으로써 실제 전파 환경과 유사한 가정을 할 수 있게 하였다. 본 논문에 제시된 UHF 주파수 환경에서의 시뮬레이션 모델링은 UHF 주파수 재배치 및 간섭분석 연구에 기여할 것으로 기대된다.

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InGaN LED에서 칩 구조 및 칩마운트 구조에 따른 광추출효율에 관한 연구 (Photon Extraction Efficiency in InGaN Light-emitting Diodes Depending on Chip Structures and Chip-mount Schemes)

  • 이성재
    • 한국광학회지
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    • 제16권3호
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    • pp.275-286
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    • 2005
  • InGaN LED에서 칩 구조 및 칩마운트 구조에 따른 광추출효율의 변화를 Monte Calo 기법을 이용하여 해석하였다. Simulation을 통해 얻은 중요한 결론의 하나는, InGaAlP 또는 InGaN/SiC LED의 경우에서는 달리, InGaN/sapphire LED의 경우 칩의 측 벽면 기울임 기법의 광추출효율 개선효과가 상대적으로 미미하다는 점이다. InGaN/SiC LED의 경우와는 달리, 기판으로 사용되는 sapphire의 굴절률이 상대적으로 작아서 생성된 광자들이 기판으로 넘어가는데 전반사장벽을 만나게 되어, 많은 광자들이 기판으로 넘어가지 못하고 두께가 매우 얇은 반도체 결정층에 갇히는 현상 때문이다. 동일한 현상은 epi-down 구조의 칩 마운트에서 광추출효율이 크게 개선되지 못하는 원인으로도 작용하게 된다. 광추출효율 관점에서의 epi-down 구조의 InGaN/sapphire LED가 갖고 있는 잠재력을 살리기 위한 방법의 하나는 기판-에피택시 계면을 texturing 하는 것이라고 할 수 있는데, 이 경우 생성된 광자들이 다량기판으로 넘어갈 수 있게 되어 광추출효율이 현저하게 개선된다.