• 한국결정학회지
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• 제8권1호
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• pp.20-25
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• 1997

고분해도의 X-선 산란을 위해 두 실험 방법이 개발됐다. 그 방법들은 (1) 2-결정 회절 스펙트로메터 (DCD)설치와 (2) 3-결정 회절 스펙트로메터 (TCD) 설치였다. Si(511)-시료(hkl)의 DCD배열로 Si(333), Si(004), GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. 또한 단일체 단색 평행기와 $K_{\alpha1}$ 선택기를 포함하는 Si(111)-Si(111)-Si(511)-sample(hkl)의 TCD배열로 Si(333), Si(004) 그리고 GaAs(004)의 rocking curve를 그렸다. DCD와 TCD에 의한 rocking curve의 FWHM의 차이가 논의됐다. DCD에 의한 $In_{0.037}Ga_{0.0963}As/GaAs$의 (004) 및 (115) 반사 토포그라프가 행해졌다.

• The Journal of Advanced Prosthodontics
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• 제8권1호
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• pp.43-52
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• 2016

PURPOSE. This study was conducted to evaluate the effects of full-coverage all-ceramic zirconia, lithium disilicate glass-ceramic, leucite glass-ceramic, or stainless steel crowns on antagonistic primary tooth wear. MATERIALS AND METHODS. There were four study groups: the stainless steel (Steel) group, the leucite glass-ceramic (Leucite) group, the lithium disilicate glass-ceramic (Lithium) group, and the monolithic zirconia (Zirconia) group. Ten flat crown specimens were prepared per group; opposing teeth were prepared using primary canines. A wear test was conducted over 100,000 chewing cycles using a dual-axis chewing simulator and a 50 N masticating force, and wear losses of antagonistic teeth and restorative materials were calculated using a three-dimensional profiling system and an electronic scale, respectively. Statistical significance was determined using One-way ANOVA and Tukey's test (P<.05). RESULTS. The Leucite group ($2.670{\pm}1.471mm^3$) showed the greatest amount of antagonist tooth wear, followed by in decreasing order by the Lithium ($2.042{\pm}0.696mm^3$), Zirconia ($1.426{\pm}0.477mm^3$), and Steel groups ($0.397{\pm}0.192mm^3$). Mean volume losses in the Leucite and Lithium groups were significantly greater than in the Steel group (P<.05). No significant difference was observed between mean volume losses in the Zirconia and Steel groups (P>.05). CONCLUSION. Leucite glass-ceramic and lithium disilicate glass-ceramic cause more primary tooth wear than stainless steel or zirconia.

• 대한치과보철학회지
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• 제54권1호
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• pp.28-34
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• 2016

임플란트 술식은 선천적인 다수치 결손을 보이는 환자에 있어서 효과적인 치료옵션이 되어왔다. 하지만 식립 시기에 있어서는 명확한 지표가 없는 실정이어서 논란은 여전히 진행 중이다. 성장기 이후에도 나타날 수 있는 악골 성장은 임플란트 저위교합(infraocclusion)으로 이어질 수 있으며 나아가 기능, 심미적인 면에서 복합적인 문제점을 보이기도 한다. 이를 해결하기 위해서는 임시 수복물을 통해 기능과 심미를 회복하고 적응되는 기간을 거친 후 최종 보철물로 그대로 이행하는 것이 중요하다. 이에 임시 수복물을 최신 CAD/CAM 기술로 복제하여 임시 수복물의 정보를 담고 있는 단일 구조 지르코니아 보철물을 제작하였고 이를 구강내 장착하였다. 치료 종결 후 3개월간의 임상 관찰에서 만족스러운 결과를 얻었다.

• 대한치과보철학회지
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• 제58권3호
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• pp.217-220
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• 2020

발치 후 고정성 지르코니아 보철물을 제작하는 경우 통상적으로 임시레진 보철물을 수작업으로 제작하고 보철단계에서 인상채득하여 최종 보철물을 제작한다. 이러한 전통적인 방식은 임시보철물과 최종 보철물 사이의 연계가 부족하고 결과의 심미적 기능적 예측성이 낮을 수 있다. 현재 CAD/CAM 방식의 보철물 제작과 관련 디지털 기술이 발전하여 진료에서 다양하게 활용되고 있다. 본 증례에서 발치 후 고정성 단일구조 지르코니아 보철물을 계획하는 경우 CAD/CAM 방식 임시보철물, 발치와 치유 후의 구내스캔, 컴퓨터 영상중첩술을 이용하여 최적의 가공치 적합도를 가지며 치료의 결과 예측도가 향상된 디지털 방식을 소개하고자 한다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.71-76
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• 2001

Ka 대역 위성통신 및 BWLL 시스템용 3단 저잡음 증폭기가 MMIC 기술로 설계 및 제작되었다. MMIC 저잡음 증폭기는 잡음지수와 높은 이득 그리고 진폭 선형성을 만족하기 위하여 2단의 single-ended 형태의 증폭단과 1단의 balanced 형태의 증폭단으로 구성되었다. 낮은 잡음지수와 높은 이득을 얻기 위하여 0.15$\mu\textrm{m}$ pHEMT 소자가 사용되었다. CD에서 80 GHz 대역까지의 안정도 확보를 위하여 직렬 및 병렬 궤환 회로와 λ/4 short 라인이 삽입되었다. 설계된 MMIC 저잡음 증폭기의 크기는 3.1mm $\times$2.4mm(7.44mm$^2$)이다. 제작된 MMIC 저잡음 증폭기의 wafer 상에서의 측정 결과, 22~ 30 GHz 주파수 대역에서 잡음지수는 2.0 dB이하이고 이득은 26dB이상으로 설계 결과와 일치하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.1105-1111
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• 2006

본 논문에서는 저온 소성 세라믹(LTCC)에 기초한 SiP 기술을 이용하여 60 GHz 무선 통신을 위한 송신기용 초소형 전력 증폭기 LTCC모듈을 설계 및 제작하여 그 특성을 측정하였다. 60 GHz대역에서 LTCC 다층 기판과 전력 증폭기 MMIC의 상호 연결 손실을 줄이기 위해 와이어 본드와 기판 사이의 천이를 최적화하였고, MMIC 집적을 위한 고 격리 구조를 제안하였다. 와이어 본드 천이의 경우, 와이어의 인덕턴스를 감소시키기 위해 매칭 회로의 설계와 와이어 상호간의 간격을 최적화하였다. 또한 상호 연결 불연속 효과로 인한 전계의 방사를 억제하기 위해 코프라나 와이어 본드 구조를 이용하였다. 고 격리 모듈 구조를 위하여, LTCC 기판 내부에 DC 전원 배선을 내장시키고 비아로 그 주위를 차폐를 시켰다. 5층의 LTCC 기판을 사용하여 제작된 전력 증폭기 LTCC모듈의 크기는 $4.6{\times}4.9{\times}0.5mm^3$이고, $60{\sim}65GHz$ 대역에서 이득과 P1dB 출력 전력은 각각 10 dB와 11 dBm이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권7호
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• pp.1044-1052
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• 1999

20 GHz대 2단 1 watt 고출력증폭기가 MMIC 기술로 설계, 제작되었다. $0.15\mu\textrm{m}$ 게이트를 구현하는 pHEMT 기술이 MMIC 고출력증폭기 제작에 사용되었는데, 단일 pHEMT 소자는 크기는 $400\mu\textrm{m}$이며 출력단 소자의 합 은 3200 m이다. HEMT 소자의 소오스에 연결한 궤환 회로와 바이어스 회로, 그리고 선로상의 안정화 회로를 이 용하여 전대역에서 안정하게 동작하도록 설계하였다. 래인지 결합기로 각 단을 분리하여 독립적으로 설계하였으 며, 이로 인하여 우수한 입출력 반사계수를 얻었다. 설계를 간단하게 시작하기 위하여 파운더리 라이브러리에서 제공된 비선형 등가회로로부터 선형 s-파라미터를 구하고, 이로부터 입출력측 등가회로를 추출하여 초기 설계 에 이용하였다. 제작된 1 watt MMIC 고출력증폭기는 17-25GHz 대역에서 15 dB 이상의 선형이득. -20dB 이 하의 반사계수. 그리고 31 dBm의 출력전력 특성을 나타내었는데. 설계시 예측된 성능과 매우 잘 일치한다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권1호
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• pp.44-50
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• 2004

본 논문에서는 FR4(h= 1.6 mm, $\varepsilon_{{\gamma}}$/=4.6) substrate 상에서 2 GHz 대역의 이중 평형 혼합기를 구현하였다. 일반적으로, DBM(Doubly Balanced Mixer)는 2개의 발룬과 쿼드 다이오드로 구성된다. 발룬을 위해, microstrip과 CPS(Coplanar Strip)을 이용한 새로운 발룬 회로가 제안되고, 설계되어졌다. 제안된 발룬의 측정 결과, 1.5 GHz에서 2.5 GHz내에서 위상의 불평형 정도가 180$^{\circ}$$\pm$ $1.5^{\circ}$이내였으며, 진폭의 불평형 정도가 $\pm$ 0.2 ㏈ 이내였다. 발룬을 사용한 DBM이 성공적으로 구현되었으며, 동작 대역 내에서 up/down 변환기로써 변환 손실은 약 6 ㏈ 정도를 보였다. 더 많은 연구를 통해, backside via를 포함하는 프로세스가 있는 MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit) DBM에 적용 가능할 것이다.d Circuit) DBM에 적용 가능할 것이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제20권3호
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• pp.264-272
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• 2009

본 논문에서는 다수의 MMIC 전력증폭기 칩과 박막 기판을 결합하여 MIC 모듈을 구성함으로써 Ka-대역 중심주파수에서 10 W의 출력 전력을 낼 수 있는 전력증폭기 모듈을 설계 및 제작하였다. 전력증폭기 모듈의 제작에는 밀리미터파 대역에 적합한 수정된 형태의 윌킨슨 전력분배기/합성기를 사용하였고, 모듈의 구성 과정에서 발생할 수 있는 손실을 줄이고 공진을 억제하기 위해 CBFGCPW-Microstrip 천이 구조를 활용하였다 전력증폭기 모듈은 총 7개의 MMIC 칩으로 구성되었으며 MMIC 칩을 펄스 모드로 동작시키기 위해 칩의 게이트에 펄스 전압을 인가하는 게이트 전압 제어기가 설계되고 적용되었다. 제작된 전력증폭기 모듈의 측정 결과 58 dB의 전력 이득과 39.6 dBm의 포화 출력 전력을 얻을 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제43권11호
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• pp.715-723
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• 2006

Perovskite oxide materials are very important for the electronics industry, because they exhibit promising properties. With an interest in the obvious applications, significant effort has been invested in the growth of highly crystalline epitaxial perovskite oxide thin films in our laboratory. And the desired structure of films was formed to achieve excellent properties. $Y_1Ba_2Cu_3O_{7-x}$ (YBCO) superconducting thin films were simultaneously deposited on both sides of 3 inch wafer by inverted cylindrical sputtering. Values of microwave surface resistance R$_2$ (75 K, 145 GHz, 0 T) smaller than 100 m$\Omega$ were reached over the whole area of YBCO thin films by pre-seeded a self-template layer. For implementation of voltage tunable high-quality varactor, A tri-layer structured SrTiO$_3$ (STO) thin films with different tetragonal distortion degree was prepared in order to simultaneously achieve a large relative capacitance change and a small dielectric loss. Highly a-axis textured $Ba_{0.65}Sr_{0.35}TiO_3$ (BST65/35) thin films was grown on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrate for monolithic bolometers by introducing $Ba_{0.65}Sr_{0.35}RuO_3$ (BSR65/35) thin films as buffer layer. With the buffer layer, the leakage current density of BST65/35 thin films were greatly reduced, and the pyroelectric coefficient of $7.6\times10_{-7}$ C $cm^{-2}$ $K^{-1}$ was achieved at 6 V/$\mu$m bias and room temperature.