• 자원환경지질
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• 제40권5호
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• pp.537-549
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• 2007

태백산 광화대 북부의 지질환경과 광화작용 양상을 살펴보면, 다양한 금속 광상의 형성이 시 공간적으로 반복되어 있다는 점에서 미국 네바다 지역의 칼린형 금광상 분포지역과 매우 유사하다. 영월지역에서는 두 곳의 뚜렷한 비소 이상대와 다수의 안티모니 이상대가 형성되지만, 금속광산의 분포와는 뚜렷한 상관성을 보이지 않았다. 반면, 정선 지역에는 영월지역과 달리 두 곳의 뚜렷한 비소 이상대가 금속광산(주로 금 은 광산)의 분포와 상당히 일치하며, 안티모니 이상대는 비소 이상대와 비교적 일치하고 있다. 연구지역 변질석회암의 금, 은, 비소, 안티모니, 구리, 납, 아연, 몰리브데늄 등은 칼린형 금광상과 유사한 이동도를 보이고, 정선지역에서 상대적으로 부화되어 있는 특징을 보인다. 금 은 및 칼린형 금 광화작용의 효과적인 지시원소인 비소와 안티모니는 특징적으로 부화된 양상을 보여주고 있으나, 천금속류인 납과 아연은 시료에 따라서 다소 불규칙한 양상을 보였다. 특히, 금 은을 비롯한 비소와 안티모니의 부화도의 분포양상은 네바다 지역, 중국, 인도네시아의 칼린형 금광상들과 상당히 유사하다. 따라서, 영월 및 정선 지역에서의 광화작용을 야기한 광화유체는 칼린형 금광상을 형성한 유체와 매우 흡사하였음을 시사해 준다. 그러나, 천금속 및 몰리브데늄의 부화도 양상은 네바다의 칼린형 금광상들과는 차이가 나는데, 이는 열수용액과 반응한 모암의 광물 및 화학성 차이에 기인하는 것으로 추정된다.

• 대한기관식도과학회:학술대회논문집
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• 대한기관식도과학회 1979년도 제13차 학술대회 연제순서 및 초록
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• pp.4.4-5
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• 1979

만성중이염은 이비인후과 영역에 있어서 가장 빈도가 높은 질병중의 하나이며 항생물질 및 화학요법 등 많은 의학의 발달이 있음에도 불구하고 본 질환의 근본적인 치료법으로는 수술요법 밖에 없는 실정이다. 만성중이염의 수술요법은 중이화농의 제거를 위한 근치수술에서 부터 시작되어 근년에 이르러서는 중이염의 제거는 물론 청력개선을 도모하는 소위 고실성형술이 발달하였다. 고실성형술의 술식에 따른 수술후 청력 개선에 관해서는 학자들의 많은 연구가 있으나 술전 청력과 고실내 상태와의 관계는 언급이 적다. 저자들은 술전 청력상으로 중이내 병변의 종류와 정도를 추정할 수 없을가 하는 문제와 전음기구의 기초적, 실험적 이론을 어떻게 적응시키고 응용해야 할 것인가 하는 문제에 착안하여 술전 청력이 가지 는 의의를 규명하고 이에 따라 수술 술식을 선택할 계획의 일부로서, 고실내 병변과 청력과의 관련성을 검토하였다. 연구대상은 1977년 1월 1일부터 1978년 12월 31일까지 2년간 수술현미경하에 고실성형수술을 시행한 만성중이염 189례를 대상으로 술전 청력장애와 술중 관찰한 고실내 병변과의 상관관계를 검토하였다. 관찰항목출 고실내 이소골의 병변을 중심으로 이소골에 특별한 병변없이 고막천공만 있는 군(Ⅰ군), 이소골연쇄의 운동성 및 연속성에 이상이 없이 이소골 주위에만 병적 육아조직이 있는 군(Ⅱ군), 이소골의 연속성은 정상이나 가동성에 이상이 있는 군(Ⅲ군) 및 이소골이단군(Ⅳ군) 마다의 1) 이소골 병변, 고막청공의 크기 및 청력형과 기도청력장애와의 관계, 2) 저음역 골도연장, 고음역 골도장애 및 Carhart's notch와 고실내 병변과의 관계 3) 교실내 육아조직의 발생부위 등과 기도청력과의 관계를 검토하여 그 성적을 다음과 같이 요약한다. 1) 만성중이염 총 189례의 평균 청력손실 역치는 44.6dB였고 기도청력은 이소골 연쇄상태와 관계가 있으며 정상, 육아조직형성, 이소골 운동장애 및 이소골 연쇄의 이단 순서로 청력이 악화하였다. 2) 이소골파괴례의 평균 청력손실 역치는 49.1 dB이며 3개 이소골의 전결손례와 1∼2개의 부분결손례에는 청력손실에 유의한 차이가 있었으나 이소골 부분파괴례 간에는 차이가 없었다. 이소골연쇄에 병변이 없이 고막천공만이 있는 예의 기도청력은 약 45dB이내이며 천공이 커질수록 청력장애가 악화하는 경향이나 고실내 병변에 따라 차이가 있었다. 이소골에 병변이 없는 소천공의 청 력손실은 30dB이네 이며 30dB를 넘는 것은 이소골 기타에 병변이 있었다. 5) 청력형은 수평형과 저음역장애형이 각각 57례(30.2%), 67례(35.4)로 가장 많았으며 고음역장애형은 이소골의 운동장애가 있는 예에 많은 경항이었다. 6)이소골의 가동성이 유지되면서 어떤 형태의 부하가 있을 때는 저음역골도의 연장이 있고 고음역골도의 악화는 중이염으로 인한 내이병변으로 온다고 추정한다. 7) 소위 Carhart's notch는 14례(7.4%)했으며 이소골연쇄의 강직례에서 발생한다고 생각된다. 8)고실내 병리조직학적 염증형과 청력장애와는 관계가 없었다. 9)고실내 육아조직의 발생부위 특히 전정창과 와우창상의 병변은 청력에 영향을 주었다. 10) 이소골 이단례에서 염증성 부산물이 전음기전을 대행하는 것을 인정할 수 있었다. 11) 이상의 소견은 술전 고실내 병변을 추정하는 데 한 지표가 된다.

• 한국미생물·생명공학회지
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• 제30권3호
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• pp.235-240
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• 2002

방선균은 토양속에 서식하는 그람 양성 세균으로 세포성 장의 어느 시기에 영양세포가 이어져 연쇄상의 기균사를 형성하고 그 끝에 포자를 형성하는 동시에 생리학적 분화로 표현되는 다양한 이차대사물질을 생산한다. 이들의 복잡한 생활사에 따른 분화에는 진핵생물의 ser/thr protein kinase와 원핵생물의 his/asp acid protein kinase 등과 같은 다양한 신호전달 단백질들이 조절을 담당하고 있다. Akt kinase는 진핵생물에서 보고된 ser/thr kinase로.세포내의 다양한 신호전달기구를 조절하고 있으며, 세포내의 Akt kinase의 활성화 또는 불활성화가 세포 증식, 분화, 생존, 세포사등의 신호전달에 결정적인 역할을 담당한다. 방선균으로부터 Akt kinase와 유사한 기능을 갖는 신호전달 단백질을 규명하기 위하여, Akt kinae의 target단백질들의 인산화 부위 보존영역으로부터 나타나는 아미노산의 consensus sequence를 기초로 하여 형광물질로 라벨시킨 합성 peptide(FITC-TRRSRfESIT)를 제작하였다 제작한 기질 peptide에 인산화가 일어나면 아가 로스 전기영동상에서의 운동성에 차이가 나타나고, 이를 자외선하에서 형광 peptide를 관찰하는 방법으로 인산화 assay를 실시하였다. S. griseus IFO 13350을 배양한 cell-free extract로부터 ammonium sulfate fractionation과 DEAE-Sepharose, Mono Q, Resource Phenyl-Superose, Gel permeation 등 수 단계의 column chromatography를 통하여 Akt 유사 단백질을 정제하였다. 그 결과 방선균에도 고등생 물의 Akt와 유사한 기질특이성을 갖는 인산화 단백질이 존재하는 것으로 판단되었으며, 그 중의 하나는 분자량이 39 kDa 정도의 크기를 갖는 단백질로 판명되었다. 지금까지의 인산화 단백질 연구는 활성측정법이 어려워 연구자들에게 많은 제한을 주어 왔지만, 본 연구에서 사용한 합성 peptide를 이용하는 방법을 보다 다양한 인산화 단백질에 대하여 적용한다면, 인산화 단백질 및 조절물질 개발에 많은 도움이 될 수 있을 것으로 예상된다.

• 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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• 제26권8호
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• pp.984-998
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• 1999

최근 개인 휴대 통신에 대한 관심도가 증가하면서 B-ISDN (Broadband Integrated Services Digital Network)과 같은 기존의 유선 망에서 제공하던 다양한 멀티미디어 응용 지원을 무선 망으로 확장시키기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그러나 기존의 유선 망에서는 멀티미디어 응용 지원을 위해 QoS (Quality of Service) Provisioning에 관한 많은 연구가 되어 있으나 무선 망에서는 이동성과 무선 전파의 열악한 전송으로 인해 새로운 QoS Provisioning 방법에 관한 연구가 필수적이다. 본 논문에서는 이러한 무선 망의 특수성으로 인해 발생할 수 있는 서비스의 질 저하와 강제 종료를 줄임으로써 지속적인 QoS를 보장해 주고 한정된 무선 자원을 효율적으로 사용하며 처리에 의한 오버헤드를 줄이기 위하여 다음과 같은 세 가지 방법을 제안하였다. 첫째, 핸드오프 강제 종료율을 줄이기 위하여 대역폭 예약 방법을 사용하되 특정 셀의 트래픽 특성에 맞게 또한 시간대에 따른 트래픽 특성에 따라 예약 대역폭의 양을 조절하는 적응적 대역폭 예약 방법이다. 둘째, 많은 경우 각 셀의 트랙픽 변화는 일정한 주기로 변화한다는 특성에 따라 과거의 트래픽 정보를 이용하는 예측 기반의 대역폭 예약 방법이다. 마지막으로 호의 종류, 트래픽 특성, 단말기의 이동 속도에 따라 다른 우선 순위에 의해 호 수락 제어를 수행하는 우선 순위 기반의 호 수락 제어를 제안하였다. 시뮬레이션을 통하여 기존에 제안된 방법과 성능 비교하여, 요구되는 수준의 QoS 보장과 효율적인 자원의 사용, 요구되는 처리비용의 최소화를 통해 전체 시스템의 성능 향상을 입증하였다.Abstract As interest in wireless hand-held terminals and in personal communications services increases recently, there have been broad studies on the ways to support multimedia applications provided in wired networks such as B-ISDN (Broadband Integrated Services Digital Network) in wireless networks. However, since many studies have focused on Quality of Service (QoS) Provisioning in wired networks to provide multimedia applications, new methods of QoS Provisioning are needed in wireless networks to resolve the problem of wireless channel fading and the difficulty of mobility occurred in wireless networks. This paper proposes three schemes of QoS Provisioning in wireless networks which will make continuous QoS guarantee and efficient use of limited wireless resources possible. The first scheme reserves bandwidth in proportion to the amount of real-time traffic in the neighbor cells to decrease the handoff dropping rate of delay sensitive real-time connections, adapting reserved bandwidth for efficient resource utilization. The second scheme is predictive bandwidth reservation scheme that utilizes the past handoff information. It can decrease overheads required to adapt bandwidth reservation. The last scheme is priority-based call admission control prioritizing traffic type (real-time traffic/ non-real-time traffic), connection type (new connection /handoff connection), and mobile terminal speed (fast mobile/slow mobile). Simulation results show that the proposed QoS Provisioning schemes improve the total system performance by achieving three goals - required QoS guarantee, higher bandwidth utilization and less overhead.

• 국제물리치료학회지
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• 제4권2호
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• pp.573-587
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• 2013

The purpose of this study was conducted in order to analyze the effects of the manual intervention and self-corrective exercise models of general coordinative manipulation(GCM) on the balance restoration of spine & extremities joints with distortions and mal-alignment areas. The subjects were the members who visited GCM Musculoskeletal Prevent Exercise Center from March 1 2012 to December 31 2013 because of spine & extremities joints distortion and mal-alignments, poor posture, and body type correction. All subjects were diagnosed with the four types of the GBT diagnosis. And according to the standards of the mobility vs stability types of the upper & lower body, they were classified into Group 1(40 persons) and Group 2(24 persons). For every other day for three times a week, GCM intervention models were applied to all subjects for four weeks, adding up to 12 times in total. Then the balance restoration effects were re-evaluated with the same methods. The results are as follows. 1) Balance restoration effects of VASdp(Visual analysis scale pain & discomfort) and ER(Equilibrium reaction: ER) came out higher in GCM body type(GBT) II III IV of Group 1. 2) In case of balance restoration effects in Moire and postural evaluation areas, Group 1 was higher and cervical and scapular girdle were higher in Group 2. The balance restoration of the four GBT types was significant in all regions(p<.05), and the scapular girdle came out as high in the order of GBTII IV I. 3) In case of thoracic-lumbar scoliosis and head rotation facial asymmetric cervical scoliosis ribcage forward, the balance restoration effects of the upper body postural evaluation areas came out the highest in Group 1 and Group 2, respectively. The balance restoration effects of the four GBT types were significant in all regions(p<.05), and came out the highest in lumbar scoliosis GBTIII I, ribcage forward and thoracic scoliosis GBTII IV. 4) The balance restoration effects of the lower body postural evaluation areas came out higher in Group 1 and Group 2 for pelvis girdle deviation patella high umbilicus tilt and hallux valgus foot longitudinal arch: FLA patella direction, respectively. The balance restoration effects of the four GBT types were significant in all regions(p<.05), and came out the highest in pelvis girdle deviation GBTIII I and patella high-direction GBTIV II I. 5) The balance restoration effects between the same GBT came out significant (p<.05) in all evaluation areas and items. The conclusions of this study was the manual intervention and self-corrective exercise models of the GCM about the mal-alignment of the spine & extremities joints across the whole body indicated high balance restoration effects(p<.05) in spine & extremities joints in all evaluation areas.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.923-932
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• 2002

A stoichiometric mixture of evaporating materials for CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, CdIn$\_$2/S$\_$4/ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by hot wall epitaxy(HWE) system. The source and substrate temperatures were 630 $\^{C}$ and 420 $\^{C}$, respectively. The crystalline structure of single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD). The carrier density and mobility of CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are 9.01$\times$10$\^$16/ cm$\^$-3/ and 219 ㎠/V$.$s at 293 K, respectively. From the optical absorption measurement, the temperature dependence of energy band gap on CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films was found to be Eg(T) ＝ 2.7116 eV - (7.74 $\times$ 10$\^$-4/ eV) T$\^$2//(T＋434). After the as-grown CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films was annealed in Cd-, S-, and In-atmospheres, the origin of point defects of CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of V$\_$cd/, V$\_$s/, Cd$\_$int/ and S$\_$int/ obtained by PL measurements were classified as donors or accepters type. And we concluded that the heat-treatment in the S-atmosphere converted CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films to an optical p-type. Also, we confirmed that In in CdIn$\_$2/S$\_$4/GaAs did not from the native defects because In in CdIn$\_$2/S$\_$4/ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권2호
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• pp.9-14
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• 2009

본 연구에서는 sapphire 기판위에 P (phosphorus) 도핑된 ZnO 박막을 제작한 후, 산소 분위기에서 후열 처리 온도가 박막의 전기적 및 광학적 특성에 미치는 영향에 대해서 조사하였다. XRD 측정 결과, 후열 처리 온도에 무관하게 모든 박막이 c축 배향성을 나타내었다. Hall 측정 결과, $850^{\circ}C$에서 후열 처리한 박막에서만 p형 전도 특성이 관찰되었다. 이때의 홀 캐리어 농도와 홀 이동도는 각각 $1.18{\times}1016cm^{-3}$과 $0.96cm^2/Vs$의 값을 나타내었다. 저온 PL 측정 결과, $850^{\circ}C$에서 후열 처리한 박막의 경우 p형 특성을 나타내는 상당량의 억셉터가 관련된 A0X (3.351eV), FA(3.283eV) 및 DAP (3.201eV) 피크가 관찰되었다. 향후 P 도핑된 ZnO 박막의 공정 조건과 후열 처리 조건을 최적화시킨다면, 차세대 광소자에 응용될 수 있는 매우 유망한 재료로 주목받을 것으로 기대된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.352-356
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• 2003

A stoichiometric mixture of evaporating materials for $CuGaSe_2$ single crystal am films was prepared from horizontal electric furnace. Using extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the polycrystal $CuGaSe_2$, it was found tetragonal structure whose lattice constant $a_0$ and $c_0$ were $5.615\;{\AA}\;and\;11.025\;{\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, $CuGaSe_2$ mixed crystal was deposited on thoroughly etched semi-insulating GaAs(100) substrate by the hot wall epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperatures were $610^{\circ}C$ and $450^{\circ}C$, respectively, The crystalline structure of the single crystal thin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of $CuGaSe_2$ single crystal thin films measured with Hall effect by van der Pauw method are $9.24{\times}10^{16}\;cm^{-3}$ and $295\;cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of the $CuGaSe_2$ obtained from the absorption spectra was well described by the Varshni's relation, $E_g(T)\;:\;1.7998\;eV\;-\;(8.7489\;{\times}\;10^{-4}\;eV/K)T^2(T\;+\;335\;K)$. After the as-grown $CuGaSe_2$ single crystal thin films was annealed in Cu-, Se-, and Ga-atmospheres, the origin of point defects of $CuGaSe_2$ single crystal thin films has been investigated by the photoluminescence(PL) at 10 K. The native defects of $V_{CU}$, $V_{Se}$, $CU_{int}$, and $Se_{int}$, obtained by PL measurements were classified as a donors or accepters type. And we concluded that the heat-treatment in the Cu-atmosphere converted $CuGaSe_2$ single crystal thin films to an optical n-type. Also, we confirmed that Ga in $CuGaSe_2/GaAs$ did not form the native defects because Ga in $CuGaSe_2$ single crystal thin films existed in the form of stable bonds.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.170-170
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• 2010

Thin-film transistors (TFT) have become the key components of electronic and optoelectronic devices. Most conventional thin-film field-effect transistors in display applications use an amorphous or polycrystal Si:H layer as the channel. This silicon layers are opaque in the visible range and severely restrict the amount of light detected by the observer due to its bandgap energy smaller than the visible light. Therefore, Si:H TFT devices reduce the efficiency of light transmittance and brightness. One method to increase the efficiency is to use the transparent oxides for the channel, electrode, and gate insulator. The development of transparent oxides for the components of thin-film field-effect transistors and the room-temperature fabrication with low voltage operations of the devices can offer the flexibility in designing the devices and contribute to the progress of next generation display technologies based on transparent displays and flexible displays. In this thesis, I report on the dc performance of transparent thin-film transistors using amorphous indium tin zinc oxides for an active layer. $SiO_2$ was employed as the gate dielectric oxide. The amorphous indium tin zinc oxides were deposited by RF magnetron sputtering. The carrier concentration of amorphous indium tin zinc oxides was controlled by oxygen pressure in the sputtering ambient. Devices are realized that display a threshold voltage of 4.17V and an on/off ration of ${\sim}10^9$ operated as an n-type enhancement mode with saturation mobility with $15.8\;cm^2/Vs$. In conclusion, the fabrication and characterization of thin-film transistors using amorphous indium tin zinc oxides for an active layer were reported. The devices were fabricated at room temperature by RF magnetron sputtering. The operation of the devices was an n-type enhancement mode with good saturation characteristics.

• 디자인학연구
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• 제14권3호
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• pp.145-154
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• 2001

오늘날 워크맨, 모비일폰, 노트북PC, PDA와 같은 제품들은 우리 몸과 함께 이동하고, 인터넷과 같은 가상헤계에서는 아바타(Avatar)라는 우리의 분신이 사이버상에서 우리들 육체를 대신해 행동하고 있다. 이러한 제품들은 우리 인간의 몸과 관련된 것들이며, 이렇게 인간의 몸에 물리적으로 붙으며 아울러 정신적 결합의 의미를 가지는 것을 인간과 제품의 결합이라 할 때에, 이러한 제품들을 현실과 가상을 포괄한 인간과 제품의 결합관계로서 접근하여 알아볼 필요성이 있다. 연구결과로서 고대로부터 지금 현재까지 인간의 몸과 결합한다고 하는 제품들을 꾸준히 발견할 수 있었고, 최근에 와서 그 양상은 긴밀한 관계로서 결합과 이동성향이 강하게 나타남을 알 수 있다. 이러한 배경에는 사회문화적으로 이분법적 사고의 붕괴, 혼성모방, 사이버문화, 테크노문화, 정보유목민개념 등이 나옴에 따라 인간과 기계의 구분이 모호해지는 현상과, 제품이 소형화되고 인간을 흉내 모방하거나 네트워크화되어 인간과의 결합성향이 더욱 가속화되는 변화에 있다. 따라서 상호간 결합성향이 더욱 가속화되는 변화에 있다. 따라서 상호간 결합성향이 짙어감에 따라 인간의 몸과 제품을 하나로 바라보아 신체적, 정신적측면, 제품적 특성을 모두 포용한 가장 적절한 복합체로서 접근하는 상호결합적 관점으로서의 변화가 필요하다. 상호결합제품은 인간의 정신, 육체와 전적, 부분적으로 결합하여 인간의 몸을 중심으로 물리적 안착을 하여 지속적 접촉을 가지는 것이라 정의할 수 있다. 그 결과 이동성을 가지는 고대의 도구들은 단순이 인간의 기능확장에 머무르고 신체와 관련된 결합들이 많았으나, 현재로 올수록 신체와 정신에 동시결합하는 제품들이 많아지고 있다. 이러한 제품들은 인간의 몸과 결합방식별로 여러가지 형태로 결합하고 있으며, 기능이 중층화되고 인간의 몸과 물리적으로 가까와지거나 커뮤니케이션형태가 고도화되고, 기존에 인간의 몸에 잇던 제품들을 통해 재발생되는 형식을 취하고 있다. 또한 제품들간에 적외선, 무선통신 같은 방식을 토해 교신하고 있으며, 외형발산성향이 강하여 장신구나 옷과 같이 변하고, 가상아바타의 경우 인간의 육체를 모방하고 인간의 행동을 대신하는 특징을 가지고 있다.