• 대한치과교정학회지
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• 제32권2호통권91호
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• pp.107-115
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• 2002

본 연구는 교정적 고정원을 얻기 위하여 micro-implant(Osas$^{(R)}$, Epoch medical)를 drill method와 drill-free method로 매식시, 조기 교정력에 대한 각각의 경우 micro-implant의 역학적 안정성 및 조직학적 생체 적합도의 차이를 알아보고자 시행하였다. 두 마리의 실험견(beagle dog)을 대상으로 상, 하악 협측과 구개부위에 좌우측을 구분하여 drill method 군과drill-free method 군으로 나누어 매식하였다. 매식 한 재료는 직경 1.6 mm의 micro-implant를 사용하였으며, drill method 군 16개, drill-free method 군 16개, 총32개의 micro-implant를 식립하였다. 교정력은 매식 후 1주 뒤에 Ni-Ti coil spring(Ni-Ti springs-extension$^{(R)}$, Ormco)으로 200 gm - 300 gm의 힘을 적용하였다. 동요도 검사는 희생 전에 Periotest$^{(R)}$(Siemens)로 측정하였다. 매식 12주 후에 관류고정 하였으며 시편은 레진 포매하여 Exakt system$^{(R)}$(Exakt)을 이용하여 비탈회 표본을 제작하였다. 표본은 H-E 염색한 뒤, 광학 현미경 상에서 검경하여 조직학적 소견을 분석하였고 조직계측학적 측정은 골접촉률과 골밀도로 분석하였다. 위와 같은 실험을 통하여 매식한 micro-implant의 탈락률과 동요도, 골접촉률 및 골밀도로 drill method 군과 drill-free method 군의 역학적 안정성 및 조직학적 생체 적합도를 비교, 분석한 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. micro-implant와 골의 계면은 기계적 접촉 뿐만 아니라 골유착도 있었다. 2. micro-implant의 탈락은 drill method 군이 더 높았다. 3. 동요도는 drill method 군이 전반적으로 더 컸다. 4. micro-implant와 골접촉 정도는 전반적으로 drill-free method 군에서 양호했다. 5. micro-implant 나사산 사이 내에 존재하는 골밀도는 전반적으로 drill-free method 군에서 더 높았다. 결론적으로, micro-implant는 매식시 drill-free method가 drill method보다 탈락률과 동요도 및 골접촉률과, 골밀도에서 더 우수한 결과를 보여 drilling 과정이 안정성과 골조직 치유 및 골유착에 영향을 미친다고 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.254-255
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• 2012

Interest in nano-crystalline silicon (nc-Si) thin films has been growing because of their favorable processing conditions for certain electronic devices. In particular, there has been an increase in the use of nc-Si thin films in photovoltaics for large solar cell panels and in thin film transistors for large flat panel displays. One of the most important material properties for these device applications is the macroscopic charge-carrier mobility. Hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) or nc-Si is a basic material in thin film transistors (TFTs). However, a-Si:H based devices have low carrier mobility and bias instability due to their metastable properties. The large number of trap sites and incomplete hydrogen passivation of a-Si:H film produce limited carrier transport. The basic electrical properties, including the carrier mobility and stability, of nc-Si TFTs might be superior to those of a-Si:H thin film. However, typical nc-Si thin films tend to have mobilities similar to a-Si films, although changes in the processing conditions can enhance the mobility. In polycrystalline silicon (poly-Si) thin films, the performance of the devices is strongly influenced by the boundaries between neighboring crystalline grains. These grain boundaries limit the conductance of macroscopic regions comprised of multiple grains. In much of the work on poly-Si thin films, it was shown that the performance of TFTs was largely determined by the number and location of the grain boundaries within the channel. Hence, efforts were made to reduce the total number of grain boundaries by increasing the average grain size. However, even a small number of grain boundaries can significantly reduce the macroscopic charge carrier mobility. The nano-crystalline or polymorphous-Si development for TFT and solar cells have been employed to compensate for disadvantage inherent to a-Si and micro-crystalline silicon (${\mu}$-Si). Recently, a novel process for deposition of nano-crystralline silicon (nc-Si) thin films at room temperature was developed using neutral beam assisted chemical vapor deposition (NBaCVD) with a neutral particle beam (NPB) source, which controls the energy of incident neutral particles in the range of 1~300 eV in order to enhance the atomic activation and crystalline of thin films at room temperature. In previous our experiments, we verified favorable properties of nc-Si thin films for certain electronic devices. During the formation of the nc-Si thin films by the NBaCVD with various process conditions, NPB energy directly controlled by the reflector bias and effectively increased crystal fraction (~80%) by uniformly distributed nc grains with 3~10 nm size. The more resent work on nc-Si thin film transistors (TFT) was done. We identified the performance of nc-Si TFT active channeal layers. The dependence of the performance of nc-Si TFT on the primary process parameters is explored. Raman, FT-IR and transmission electron microscope (TEM) were used to study the microstructures and the crystalline volume fraction of nc-Si films. The electric properties were investigated on Cr/SiO2/nc-Si metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2010년도 추계학술대회 초록집
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• pp.42.2-42.2
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• 2010

Transparent conducting oxides (TCOs) are of significant importance for their applications in various devices, such as light-emitting diodes, thin-film solar cells, organic light-emitting diodes, liquid crystal displays, and so on. In order for TCOs to contribute to the performance improvement of these devices, TCOs should have high transmittance and good electrical properties simultaneously. Sn-doped $In_2O_3$ (ITO) is the most commonly used TCO. However, indium is toxic and scarce in nature. Thus, ZnO has attracted a lot of attention because of the possibility for replacing ITO. In particular, group III impurity-doped ZnO showed the optoelectronic properties comparable to those of ITO electrodes. Al-doped ZnO exhibited the best performance among various doped ZnO films because of the high substitutional doping efficiency. However, in order for the Al-doped ZnO to replace ITO in electronic devices, their electrical and optical properties should further significantly be improved. In this connection, different ways such as a variation of deposition conditions, different deposition techniques, and post-deposition annealing processes have been investigated so far. Among the deposition methods, RF magnetron sputtering has been extensively used because of the easiness in controlling deposition parameters and its fast deposition rate. In addition, when combined with post-deposition annealing in a reducing ambient, the optoelectronic properties of Al-doped ZnO films were found to be further improved. In this presentation, we deposited Al-doped ZnO (ZnO:$Al_2O_3$ = 98:2 wt%) thin films on the glass and sapphire substrates using RF magnetron sputtering as a function of substrate temperature. In addition, the ZnO samples were annealed in different conditions, e.g., rapid thermal annealing (RTA) at $900^{\circ}C$ in $N_2$ ambient for 1 min, tube-furnace annealing at $500^{\circ}C$ in $N_2:H_2$=9:1 gas flow for 1 hour, or RTA combined with tube-furnace annealing. It is found that the mobilities and carrier concentrations of the samples are dependent on growth temperature followed by one of three subsequent post-deposition annealing conditions.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 추계학술대회 논문집
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• pp.55-55
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• 2009

Silicon Carbide (SiC) is a material with a wide bandgap (3.26eV), a high critical electric field (~2.3MV/cm), a and a high bulk electron mobility (${\sim}900cm^2/Vs$). These electronic properties allow high breakdown voltage, high frequency, and high temperature operation compared to Silicon devices. Although various SiC DMOSFET structures have been reported so far for optimizing performances. the effect of channel dimension on the switching performance of SiC DMOSFETs has not been extensively examined. In this paper, we report the effect of the interface states ($Q_s$) on the transient characteristics of SiC DMOSFETs. The key design parameters for SiC DMOSFETs have been optimized and a physics-based two-dimensional (2-D) mixed device and circuit simulator by Silvaco Inc. has been used to understand the relationship with the switching characteristics. To investigate transient characteristic of the device, mixed-mode simulation has been performed, where the solution of the basic transport equations for the 2-D device structures is directly embedded into the solution procedure for the circuit equations. The result is a low-loss transient characteristic at low $Q_s$. Based on the simulation results, the DMOSFETs exhibit the turn-on time of 10ns at short channel and 9ns at without the interface charges. By reducing $SiO_2/SiC$ interface charge, power losses and switching time also decreases, primarily due to the lowered channel mobilities. As high density interface states can result in increased carrier trapping, or recombination centers or scattering sites. Therefore, the quality of $SiO_2/SiC$ interfaces is important for both static and transient properties of SiC MOSFET devices.

• 한국결정성장학회지
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• 제4권1호
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• pp.11-20
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• 1994

분자선에피택시(molecular beam epitaxy)법을 이용하여 GaAs 및 ALGaAs layer를 undoped 반절연(100) GaAs 기판위에 성장하였고, 최적의 성장온도와 성장된 시료에 대한 전기적 및 광학적 특성을 조사 하였다. Undoped GaAs층의 성장에 있어서는 측정결과로 부터 As/Ga의유속비가 약 20, 성장온도가 $570^{\circ}C$일때 12K에서의 Photoluminescence 반폭치(FWHM)가 1.14meV인 결정성이 좋은 시료가 얻어졌으며, p형으로서 carrier 농도가 $1.5{\times}10^{14}cm^{-3}$ 미만이고, Hall 이동도가 300K에서 $579cm^2/V-s$인 양질의 에피층이 얻어졌다. 또한 이들 시료에서는 ODLTS, DLTS측정으로 부터 2개의 hole형 깊은 주위만이 관측되었다. Undoped AlGaAs층의 성장에 있어서는 As/(Ga+Al)의 유속비가 20이고 $60^{\circ}C$의 성장온도에서 표면 morphology와 결정성이 좋은 시료를 성장할 수 있었으며, 0.17~0.85eV에서 8개의 깊은 준위가 관측되엇다. Si이 도핑된 AlGaAs 층의 경우, PL 스펙트럼으로 부터 Si의 도핑효과를 관측할 수 있었으며, Hall 측정으로부터 300K에서 $1.5{\times}10^{16}cm^{-3}$일 때 Hall 이동도가 $2547cm^2/V-s$인 시료를 얻을 수 있었다.

• KSBB Journal
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• 제25권3호
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• pp.289-296
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• 2010

e-Lectin은 당 결합 단백질과 세포 응집 단백질로서, 식물방어의 역할도 하는데 방울토마토 열매의 locular fluid에는 곰팡이로부터 식물의 보호 기능을 하는 것으로 생각되는 chitin 결합 lectin이 들어 있다. 이에 본 연구에서는 방울토마토의 locular fluid로부터 최종적으로 Sephadex G-200을 통과시켜 lectin을 분리한 다음, 이의 항균성과 분자량, 적혈구 응집력, 혈액특이성, 최적 온도, 열 안정성 및 최적 pH 등의 생화학적 특성을 연구하였다. 식물성 병원균인 4개의 균주 중 Cladosporium cucumerinum과 Monosporascus cannonballus에 대해서는 항균 활성을 나타내었으나, Fusarium oxysporum과 Rhizoctonia solani에 대해서는 항균 활성을 나타내지 않았다. SDS-PAGE의 결과, 2개의 band로 나타났으며, 이의 분자량을 표준 단백질을 이용 측정하여 87 kDa와 47 kDa로 계산되었다. 사람의 A, B, O, AB형의 혈액을 사용하여 각각의 혈구응집반응을 확인한 결과, A, B, O, AB형 모두에서 응집반응이 일어났으며, 이 중 B형 혈액에서 가장 높은 활성을 나타내었다. 분리된 방울토마토 locular fluid lectin의 최적 반응 온도는 $30^{\circ}C$이며, 가장 높은 $30^{\circ}C$를 포함하는 $20-80^{\circ}C$ 범위에서 열 안정성을 보였고, 최적 pH는 7.0이다.

• 공업화학
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• 제10권1호
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• pp.112-117
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• 1999

Pulsed Field Gradient NMR(FT-PFGE)을 이용하여 N-alkyl-N, N-dimethylamine oxide/hydrocarbon/$D_2O[C_nDMAO/C_{n^{\prime}}H_{{2n^{\prime}+2}}/D_2O]$ 3성분 계에서 자기확산 계수를 측정하였다. 여기서 n = 12, 14, 16인 계면활성제를 사용하였으며, n' = 6, 8, 10, 12, 14인 탄화수소를 사용하였다. 미셀 상에서 주로 확산은 미셀의 유체역학적 이동에 지배되며, 미셀들의 충돌로 가용화된 탄화수소의 교환에 의해서도 일부 이루어진다. 이 연구는 계면활성제의 알킬 사슬 길이와 탄화수소 분자크기의 변화에 따라서 검토되었다. 그 결과 큐빅 상에서 용매는 물의 연속상에서 거동에 대한 전형적인 자기확산 계수 값을 나타내고, 이때 장애물로서 마이크로에멀젼 액적이 작용한다. 겔 상태에서 계면활성제의 유동성은 낮고, 알킬 사슬 길이가 가장 짧은 계면활성제에 대해서만 결정되었다. 겔 내에서 미셀들 간의 탄화수소 교환은 호핑 과정에 의해서 일어나는 것을 알았고, 회합율은 계면활성제의 알킬 사슬 길이에 따라 감소하였다.

• 한국가금학회:학술대회논문집
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• 한국가금학회 2002년도 가을 학술발표논문집
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• pp.116-117
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• 2002

보존온도별(5, 25, 35$^{\circ}C$)로 정액과 희석액의 비율(1：1, 1：2, 1：3)을 달리하여 보존시간(1, 3, 6시간)에 따른 정자운동성을 조사한바, 5$^{\circ}C$ 냉장 온도에서는 희석배율에 따른 보존시간별 정자운동성은 차이가 없었으나, $25^{\circ}C$ 상온에서 6시간, 35$^{\circ}C$ 고온에서 3시간 이상 보존할 때 정액과 희석액의 비율이 1：1보다는 1：2 비율에서 정자운동성이 현저히 높게 유지되었다(P<0.05). 온도가 높을수록 1：1 배율보다는 1：2 이상 희석배율을 높여 주었을 때 정자의 운동성을 높게 유지시킬 수 있었다. Skim milk glucose액을 사용하여 닭 정액을 희석한 후 인공수정 하였을 때, 1회 주입정자수를 0.2, 0.4, 1 및 2억으로 하였을 때 각각 90.67, 94.00, 96.00 및 98.67%의 수정율을 나타냈다. 90%이상의 수정율을 얻기 위해서는 0.2억 이상의 정자 주입이 필요하며, 94%이상 안정적인 수정율을 얻기 위해서는 0.4억의 정자가 필요하다고 판단된다.

• Journal of Nutrition and Health
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• 제2권4호
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• pp.113-125
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• 1969

These experiments were designed to study the influence of early protein undernutrition on growth, behaviors toward food, general attitude toward a new environment, brain size and body composition of the experimental rats. The following experimental groups were studied. Lactation period (3 weeks) (Diets of mother rats) 25% Casein diet 12% Casein diet 25% Casein diet 25% Casein diet 12% Casein diet 12% Casein diet After-weaning protein deprivation period None deprivation (25% Casein diet) None deprivation (25% Casein diet) 5% Casein diet (4 weeks) 5% Casein diet (8 weeks) 5% Casein diet (4 weeks) 5% Casein diet (8 weeks) After a long period of rehabilitation with 25% casein diet the following results were obtained. 1. Growth rate during lactation period is closely related with the protein levels of the diet for mother rats. The average body weight of offsprings of the mother rat fed 25% casein diet is 46.0 grams at 21 days old. However, that of the mother rat fed 12% casein diet is only 25.0 grams. 2. The group of protein undernutrition during lactation (S weeks) (offsprings of mother rat fed low protein diet, 12% casein diet) could never catch up with the normal group in its growth even after twenty-four (24) weeks of rehabilitation. 3. However, the groups of protein undernutrition during either four (4) or even eight (8) weeks after weaning could catch up with the normal group in their growth after long period of rehabilitation. 4. The absolute amounts of carcass protein and fat of the normal group are larger than those of the protein deficient groups. In terms of percent carcass, however, the normal group showed higher body fat and lower body protein than the early deficient groups. However, there is no difference between preweaning (3 weeks) and postweaning (8 weeks) deficient groups. It is assumed, from these differences in body composition, that there might be any differences in physiological and metabolic functions among these various groups, and also that the basic formation of various metabolic regulators (protein-nature) might be fixed mostly during lactation and postweaning period. 5. The groups of protein undernutrition during either three (3) weeks lactation or four (4) weeks after weaning are not so remarkably different from the normal group in their amounts of food intake and spillage. However, the groups of undernutrition during either eight (8) weeks postweaning or eleven (11) weeks (3 weeks lactation period plus 8 weeks postweaning period) showed higher amounts of food intake and spillage. In these respects, it seems that desire for food is closely related with the degree of early hunger in protein and also seems that the longer be deficient in early life the more food spillage is found. 6. Both preweaning and postweaning deficient groups showed generally nervous and restless. The normal group is staid and showed less mobilities. 7. The average size of the brains of the group subjected to protein deficiency during three (3) weeks lactation period is smaller than that of the group of the eight (8) weeks postweaning deficiency. This means that the development of the brain is made mostly during lactation period. The group of the eleven (11) weeks postnatal deficiency is significantly different from the normal group in its brain development. It is assumed, in connection with the results of various maze tests reported, that the brain size is closely related with the intellectual ability.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제13권12호
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• pp.6196-6202
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• 2012

알긴산 올리고 유도체를 갈조류로부터 추출하였고, 추출물의 항미세조류 효과와 작용기작을 연구하였다. 고분자 알긴산을 2 N HCl과 1% $H_2O_2$.로 순차적 가수분해하여 알긴산 올리고 유도체를 제조하였다. 추출물의 항미세조류 활성은 반응시간에 비례하였으며 4시간에 가장 높았다. 알긴산 올리고 유도체를 Akashiwo sanguinea와 Cochlodinium polykrikoides에 처리하였을 때, 세포의 움직임이 정지하였다. A. sanguinea 세포는 파쇄되었고, C. polykrikoides 세포에는 원형질 분리가 유도되었다. 알긴산 올리고 유도체의 작용기작을 연구하기 위하여, 세포내(pHi) 및 세포외 pH(pHe)의 변화를 0.05% 알긴산 올리고 유도체에 노출된 미세조류에서 측정하였다. pHi는 0.3 unit 감소하였고, pHe는 0.9 unit 증가하였다. 이러한 결과로부터 알긴산 올리고 유도체에 의한 막전위의 변화가 미세조류의 세포사멸을 유도할 수 있을 것으로 추측된다.