• 한국재료학회지
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• 제9권1호
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• pp.92-98
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• 1999

(Mo.W)Si$_2$ composites were fabricated by vacuum hot-pressing elemental Mo, W and Si powders at various temperatures. Elemental Mo, W and Si powders were alloyed in the proper proportions to form solid solutions. The microstructure and properties of these materials was characterized by using x-ray diffraction, optical microscopy, energy dispersive x-ray spectroscopy and Vicker's technique. It was found that tungsten was mainly substituted for Mo atoms, and made a completed solid solution of (Mo.W)Si$_2$ over 1$600^{\circ}C$. The lattice parameters and Vickers hardness increased largely with increasing reaction temperature by the most soluble elements, due to the solid-solution hardening.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2011년도 춘계학술발표대회
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• pp.59.1-59.1
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• 2011

Ni기 초내열합금을 사용하는 터빈엔진의 효율향상 및 다양한 초고온함금에 대한 관심이 높아지면서, 이를 대체할 수 있는 초고온합금으로 Mo기지 복합재료에 대한 연구가 활발히 진행되고 있는 가운데 실질적으로 Mo 합금은 취약한 산화성으로 인하여 내산화성이 문제가 되고 있다. Mo-Si-B합금이 초고온에 노출될 경우 산화물의 점도가 매우 낮아 산화층을 형성하기 곤란하고, 저온에서는 산화층이 합금을 보호하지 못한다고 알려져 있다. 따라서, 본 연구에서는 Mo-Si-B 합금기지에 Si 확산코팅을 수행하여 내산화성을 높이고자 하였다. $1,100^{\circ}C$와 $800^{\circ}C$의 온도에서 시간에 따른 코팅 층의 두께 및 성장거동을 속도론적으로 고찰하였고, 내산화성을 평가하였다. 코팅된 시험편의 XRD 및 SEM 분석 및 무게측정 결과 내산화성이 크게 개선된 것으로 나타났으며, 내산화성에 대한 기구를 고찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.36-39
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• 2002

Polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistor (TFT) technology is emerging as a key technology for active matrix liquid crystal displays (AMLCD), allowing the integration of both active matrix and driving circuit on the same substrate (normally glass). As high temperature process is not used for glass substrate because of the low softening points below 450$^{\circ}C$. However, high temperature process is required for getting high crystallization volume fraction (i.e. crystallinity). A poly-Si thin film transistor has been fabricated to investigate the effect of high temperature process on the molybdenum (Mo) substrate. Improve of the crystallinity over 75% has been noticed. The properties of structural and electrical at high temperature poly-Si thin film transistor on Mo substrate have been also analyzed using a sputtering method

• 한국재료학회지
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• 제7권9호
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• pp.763-771
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• 1997

이규화몰리브덴 고온발열체의 제조공정을 개발하였다. 원료분말은 상용 MoSi$_{2}$분말이었으며 Bentonite, Si$_{3}$N$_{4}$, B, ThO$_{2}$를 각각 가소제와 첨가제로 사용하였다. 이들은 진공압출, 소결, 단자부 기계가공, U자형 성형, 용접 등의 과정을 거쳐 U자형 발열체로 제조되었다. 사용제품의 분석결과 최근 사용온도가 크게 증가된 것으로 알려진 190$0^{\circ}C$용 발열체는 다량(33wt%)의 W이 Mo을 치환하고 있는 것으로 나타났다. 발열체의 전기비저항은 겉보기 밀도가 증가함에 따라 급격하게 감소하는 경향을 보였으며 첨가물들의 영향은 미미하였다. 1400-1$600^{\circ}C$에서 용접한 경우 용접면에서의 전기비저항은 비용접부보다 낮았으며 용접온도가 증사함에 따라 감소하였다. 발열시험결과 제조된 발열체는 표면온도가 1$700^{\circ}C$이하에서는 문제가 없었으며 175$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서는 원형의 융기가 표면에 발생하면서 급속하게 파괴되었다. 이 융기는 X-선 회절분석결과 SiO로 밝혀졌으며 따라서 발열체의 파괴는 MoSi$_{2}$/SiO$_{2}$계면에서의 Si(in MoSi$_{2}$) + SiO$_{2}$=2SiO(g)반응에 으해 일어나는 것으로 판단된다.

• 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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• 한국마이크로전자및패키징학회 2002년도 추계기술심포지움논문집
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• pp.185-189
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• 2002

Mignetron sputter 장비를 이용하여 극자외선 노광공정용 Mo/Si 다층박막을 증착하였다. 증착 시편과 동일한 조건에서 수행된 시뮬레이션과 측정된 반사도 값을 비교하였고, d-spacing, 밀도, interface layer, 입사각 둥이 반사도에 어떠한 영향을 미치는지에 대하여 고찰하였다. 또한 측정된 반사도 그래프에 근접한 조건을 조사하였다. 이를 통하여 Mo/Si 다층박막의 반사도에 영향을 미치는 인자들과 그 영향에 대하여 알 수 있었다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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• pp.1149-1150
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• 2006

The oxidation of (W,Mo)$Si_2$ powders has been investigated at 400, 500 and $600^{\circ}C$ for 12.0 hours in air. It was shown that the low temperature oxidation resistance of (W,Mo)$Si_2$ was worse than that of $MoSi_2$, and they showed great changes in mass, volume and colour. Especialy at $500^{\circ}C$, the amount of volume expansion of (W,Mo)$Si_2$ was as high as about $7\sim8$ times and color changed from black to yellow after 4.0h with $MoO_3$, $WO_3$, (W,Mo)$O_3$ and amorphous $SiO_2$ as main reaction products. The mass gain and oxidation rate were relatively slower at $400^{\circ}C$ and $600^{\circ}C$ than that at $500^{\circ}C$.

• 열처리공학회지
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• 제20권6호
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• pp.299-305
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• 2007

The effect of spray deposition of oxide particles on oxidation behaviors of as-cast Mo-14.2Si-9.6B (at%) alloys at $1200^{\circ}C$ up to for 100 hrs has been investigated. Various oxide powders are utilized to make coatings by spray deposition, including $SiO_2,\;TiO_2,\;ZrO_2,\;HfO_2$ and $La_2O_3$. It is demonstrated that the oxidation resistance of the cast Mo-Si-B alloy can be significantly improved by coating with those oxide particles. The growth of the oxide layer is reduced for the oxide particle coated Mo-Si-B alloy. Especially, for the alloy with $ZrO_2$ coating, the thickness of oxide layer becomes only one fifth of that of uncoated alloys when exposed to in air for 100 hrs. The reduction of oxide scale growth of the cast Mo-Si-B alloy due to oxide particle coatings are discussed in terms of the change of viscosity of glassy oxide phases that form during oxidation at high temperature.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권11호
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• pp.720-724
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• 2016

Transparent n-type metal-oxide semiconductor of $MoO_x$ was applied on a p-type Si substrate for high-performing heterojunction photodetector. The formation of $MoO_x$ on Si spontaneously established a rectifying current flow with a high rectification ratio of 1,252.3%. Under light illumination condition, n-type $MoO_x$/p-type Si heterojunction device provided significantly fast responses (rise time : 61.28 ms, fall time : 66.26 ms). This transparent metal-oxide layer ($MoO_x$) would provide a functional route for various photoelectric devices, including photodetectors and solar cells.

• 한국진공학회지
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• 제9권3호
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• pp.263-266
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• 2000

본 논문에서는 낮은 구동 전압에서 동작하고 안정된 on/off 상태를 갖는 Al/$TiO_2-SiO_2$/Mo 형태의 안티퓨즈를 제작하였다. 하부전극으로 사용된 Mo 금속은 표면상태가 부드럽고 녹는점이 높은 매우 안정된 금속으로, 표면 위에 제조된 $SiO_2$ 특성을 매우 안정되게 유지시켰다. 또한 $TiO_2$절연막을 $SiO_2$절연막 위에 복층 구조로 증착하여, Ti 금속의 침투로 인한 $SiO_2$ 절연막의 약화로 동일 두께(100 $\AA$)의 $SiO_2$, 단일막에 비하여 향상된 절연파괴 전압을 얻을 수 있었다. $TiO_2-SiO_2$ 이중절연막을 사용하여 적정 절연파괴전압 및 ON-저항을 구현하였으며, 두께가 두꺼워짐으로 인해 바닥금속의 거칠기의 영향을 최소화시킬 수 있었다. 이중 절연막의 두께는 250 $\AA$이고 프로그래밍 전압은 9.0 V이고 약 65 $\Omega$의 on 저항을 얻을 수 있었다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2002년도 춘계 학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.120-120
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• 2002