In this paper, we propose a weighting dependent mixed source model (WD-MSM) coder that is an improved version of a CELP-based mixed source model (C-MSM) coder. The coder classifies speech segments into three types : voiced, unvoiced and mixed. The excitation for a voiced frame is an adaptive source, and the excitation for an unvoiced frame is a stochastic source. The coder has a modified mixed source for a mixed frame. We apply different weighting functions for three classes. Simulation results show that the proposed coder at 4 kbits/s yields very good performance both subjectively and objectively.
본 논문에서는 mixed driving 방식을 이용하고 이미지 개선을 위해 $\gamma$-correction을 수행하는 QVGA급 TFT-LCD driver IC의 Source Driver를 설계한다. 240 RGB ${\times}$ 320 dots resolution을 가진 source driver는 720개의 채널을 통해 TFT-LCD 패널을 구동하고 18-bit의 RGB 데이터를 사용하여 26만 color를 수행한다. Mixed driving 방식은 종전의 좋은 구동력을 가진 channel amp. driving 방식에 저면적이 가능한 gray amp. driving 방식을 혼합한 방식으로서, 영상이 동일 색상을 가지는 worst case를 감지하여 구동력을 높여주는 방식을 사용함으로써 적절한 구동력과 저면적을 구현하는 설계방식이다. 본 Source Driver는 $0.35{\mu}m$ Magnachip embedded DRAM 공정을 사용하여 설계하였으며 Hspice를 사용하여 시뮬레이션을 하였다. 실험결과, 기존의 gayscale driving 방식에서는 hsync time을 만족시키지 못하는데 비해 $17{\mu}s$의 channel 구동시간으로 충분한 timing margin을 가지고 액정 channel 을 구동할 수 있으면서, 구동 앰프 78개와 제어회로를 갖는 저면적으로 설계되었다.
본 연구는 모래, HAP, Zeolite, 혼합여재에 의한 비점오염원 흡착 반응을 조사하였다. 오수에 대한 모래, HAP, Zeolite와 혼합여재의 흡착은 연속적인 회분식 실험을 통해 조사하였다. 회분식 실험 후 COD, T-N, T-P를 통하여 분석하였다. kinetic model은 유사 1차반응을 통해 분석하였다. Langmuir와 Freundlich isotherm model을 사용하여 적용성을 조사하였다. COD 최대흡착량$(Q_{max})$의 값은 각각 모래 0.0511mg/g, HAP 0.1905mg/g, Zeolite 1.0366mg/g, Mixed media 0.7444mg/g T-N 최대흡착량$(Q_{max})$의 값은 각각 모래 0.0159mg/g, HAP 0.0537mg/g, Zeolite 0.5496mg/g, Mixed media 0.1374mg/g T-P 최대흡착량$(Q_{max})$의 값은 각각 모래 0.0202mg/g, HAP 0.1342mg/g, Zeolite 0.0462mg/g, Mixed media 0.1180mg/g 나타났다. 결과적으로 혼합여재는 비점오염원을 효과적으로 제거하였다.
본 논문에서는 상관함수와 최소자승 기법에 기반하여 단일 음원의 위치가 원거리 혹은 근거리 모두 가능한 경우, 이에 상관없이 닫힌 형태로 위치를 추정하는 기법을 제안한다. 최근 균일 환영 배열에서 상호상관함수를 이용하여 원거리 단일 음원의 위치를 2차원으로 추정하는 기법이 제안되었으며, 이를 확장하여 근거리 단일 음원의 위치를 3차원으로 추정하는 기법이 제안되었다. 그러나 기존 기법은 음원의 위치가 원거리, 혹은 근거리로 제한된 상황만 다루고 있다. 반면 제안 기법은 먼저 원거리 음원으로 가정하여 거리 독립적으로 방위와 고각을 구하고 이후 거리 추정에서 원거리와 근거리 음원을 구분하여 혼합 환경에 적용가능하다. 시뮬레이션에서는 두 가지 경우 모두에 대해 실험하여 제안 기법의 타당성을 검증하였다.
As impermeable layer continues to increase with the urbanization process, direct input of nonpoint source pollutants into water bodies via stormwater has caused serious effects on the aquatic ecosystem. Potential applications of rain gardens are increasing not only as best management practices (BMP) for reducing the level of nonpoint source pollutants but also as an ecological engineering alternative for low impact development (LID). In this study, remediation performance of various planting types, such as a mixed planting system with shrubs and herbaceous plants, was assessed quantitatively to effectively manage stormwater and increase landscape applicability. The mixed planting system with Rhododendron lateritium and Zoysia japonica showed the highest removal performance of $76.9{\pm}7.6%$ and $58.4{\pm}5.0%$ for total nitrogen and $89.9{\pm}7.9%$ and $82.4{\pm}5.2%$ for total phosphorus at rainfall intensities of 2.5 mm/h and 5.0 mm/h, respectively. The mixed planting system also showed the highest removal performance for heavy metals. The results suggest that a rain garden with the mixed planting system has high potential applicability as a natural reduction system for nonpoint source pollutants in order to manage stormwater with low concentrations of pollutants and will increase water recycling in urban areas.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권5호
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pp.254-259
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2015
This paper reports the optimized mixed-signal performance of a high-voltage (HV) laterally double-diffused metaloxide-semiconductor (LDMOS) field-effect transistor (FET) with a dual gate oxide (DGOX). The fabricated device is based on the split-gate FET concept. In addition, the gate oxide on the source-side channel is thicker than that on the drain-side channel. The experiment results showed that the electrical characteristics are strongly dependent on the source-side channel length with a thick gate oxide. The digital and analog performances according to the source-side channel length of the DGOX LDMOS device were examined for circuit applications. The HV DGOX device with various source-side channel lengths showed reduced by maximum 37% on-resistance (RON) and 50% drain conductance (gds). Therefore, the optimized mixed-signal performance of the HV DGOX device can be obtained when the source-side channel length with a thick gate oxide is shorter than half of the channel length.
As one of the pivotal techniques of image restoration, single-channel blind source separation (SCBSS) is capable of converting a visual-only image into multi-source images. However, image degradation often results from multiple mixing methods. Therefore, this paper introduces an innovative SCBSS algorithm to effectively separate source images from a composite image in various mixed modes. The cornerstone of this approach is a novel triple generative adversarial network (TriGAN), designed based on dual learning principles. The TriGAN redefines the discriminator's function to optimize the separation process. Extensive experiments have demonstrated the algorithm's capability to distinctly separate source images from a composite image in diverse mixed modes and to facilitate effective image restoration. The effectiveness of the proposed method is quantitatively supported by achieving an average peak signal-to-noise ratio exceeding 30 dB, and the average structural similarity index surpassing 0.95 across multiple datasets.
한국전산유체공학회 2003년도 The Fifth Asian Computational Fluid Dynamics Conference
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pp.272-275
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2003
A mixed analytical/numerical method is developed here to solve the low Reynolds number kepsilon turbulence model. In this method the advection-diffusion part is solved numerically, while the source terms are split into two parts: one part is solved analytically and the next is solved numerically.
혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법을 이용하여 InGaN 층을 GaN 층이 성장된 사파이어 (0001) 기판 위에 성장하였다. InGaN 층을 성장하기 위해 금속 In에 Ga을 혼합하여 III족 소스로 이용하였으며 V족 소스로는 $NH_3$를 이용하였다. InGaN층은 금속 In에 Ga을 혼합한 소스와 HCl을 흘려 반응한 In-Ga 염화물이 다시 $NH_3$와 반응하도록 하여 성장하였다. XPS 측정을 통해 혼합소스 HVPE 방법으로 성장한 층이 InGaN 층임을 확인할 수 있었다. 선택 성장된 InGaN 층의 In 조성비는 PL과 CL을 통해서 분석하였다. 그 결과 In 조성비는 약 3%로 평가되었다. 또한, 4원 화합물인 InAlGaN 층을 성장하기 위해 In 금속에 Ga과 Al을 혼합하여 III족 소스로 사용하였다. 본 논문에서는 혼합소스 HVPE 방법에 의해 III족 소스물질로 금속 In에 Ga(Al)을 혼합한 소스를 이용하여 In(Al)GaN층을 성장할 수 있음을 확인할 수 있었다.
In this paper, we propose a mixed driving circuit for the source driver of QVGA-scale TFT-LCD driver IC to reduce the area of the source driver. In the mixed driving circuit, graphic data pass or go through the mixed channel driver whether RGB data are the same or not. The mixed driving circuit has been designed in transistor level using the 0.35um CMOS technology and has been verified using Hspice.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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