• 한국통신학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.133-138
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• 1987

본 논문에서는 Re-enterant 공동 공진기의 내부 도체봉 길이 변화에 따른 공진 주파수의 가변특성을 실험정그로 고찰하였다. 실험시 제작된 공진기는 동축 케이블과 원형 도파관을 경합한 형태로서 동축 케이블의 내부 도체봉의 길이를 축방향으로 면화시킬 수 있도록 하여, 내부 도체봉의 임의의 길이에 대한 Tmonq 모드의 공진 주파수를 측정하였다. 경과의 타당성을 입증하기 위해서 실험 경과와 여러 사람들의 이론치를 비교하였다. 본 실험의 결과는 파장계, 공진기?l 증폭기의 공진 회로의 설계및 제작에 활용할 수 있으며 마이크로 웨이브 집적회로(MIC, Microwave Integrated Circuits)나 여과기에 사용되는 유전체 공진기의 공진 주파수를 가변시키는데도 사용할 수 있다.

• 한국통신학회논문지
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• 제12권1호
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• pp.1-8
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• 1987

본 논문에서는 요철형 공동공진기의 공진주파수를 모드결합법과 모드의 직교성을 이용하여 계산하였다. 요철형 공동공진기는 동축케이블과 원형도파관으로 구성되어 있으며 공진기의 공진주파수는 동축케이블부분의 내부도체길이를 가변시킴으로써 조정할 수 있다. 본 논문의 결과는 클라이스트론, 파장계 및 증폭기의 공진회로와 유전체 정수의 측정에도 사용할 수 있다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제23권5호
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• pp.613-623
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• 2012

본 논문에서는 LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics) 공정을 이용하여 다층 구조의 의사 유전체 공진기를 설계하고, 이를 HMIC(Hybrid Microwave Integrated Circuit) 형태의 증폭기, 위상천이기와 함께 폐루프를 구성하여 초소형 전압 제어 의사 유전체 공진기 발진기(Vt-ADRO: Voltage-tuned Artificial Dielectric Resonator Oscillator)를 제작하였다. 의사 유전체 공진기는 주기적인 도체 패턴과 적층을 통해 기존의 유전체 공진기보다 소형의 크기를 갖는 공진기이다. 의사 유전체 공진기의 형상은 기본 도체 패턴 원판형을 갖고 이것을 적층하는 구조를 선정하였으며, 공진기의 물리적 치수 및 적층 수에 따른 공진 특성을 분석하였다. 소형의 크기로 제작하기 위하여 LTCC 기판의 상부에 의사 유전체 공진기를 내장하고, 하부에 증폭기, 위상천이기를 집적하였다. 제작된 의사 유전체 공진기 발진기는 $13{\times}13{\times}3mm^3$로 초소형이며, SMT(Surface Mount Technology) 형태를 갖는다. 설계된 발진기는 설계 주파수에서 개루프 발진 조건을 만족하였으며, 폐루프 측정 결과, 발진 주파수는 조정 전압 0~5 V에서 2.025~2.108 GHz, 위상 잡음은 100 kHz offset에서 $-109{\pm}4$ dBc/Hz, 출력 전력은 $6.8{\pm}0.2$ dBm을 보이며, PFTN(Power Frequency Tuning Normalized) FOM(Figure Of Merit)은 -30.88 dB를 보인다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2005년도 High Temperature Superconductivity Vol.XV
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• pp.56-56
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• 2005

• 한국정보통신학회논문지
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• 제7권3호
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• pp.492-498
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• 2003

본 논문은 캐스코드결합에 의한 마이크로파 자기발진믹서를 설계하기 위하여 믹서가 최적 변환이득을 나타내는 바이어스 조건에 대해 분석하였다. 마이크로파 자기발진믹서는 두 개의 GaAs MESFET를 케스코드 결합시켰으며 상위 MESFET는 비교적 높은 Q값을 가지는 유전체공진기에 의해서 발진기로 동작시키고 아래쪽 FET는 저잡음 특성과 최적의 변환이득을 나타내는 믹서로서 동작시켰다. 분석결과 드레인 전압은 $V_{ds}=2.5V$이고 게이트바이어스 전압은 $V_{gs1}=-0.2V와 \;V_{g2}=0V$로 선정하였을 때 설계된 5.15Ghz의 발진기 출력은 5.92dBm, 위상잡음은 -132.0dBc@100KHz, 믹서의 변환손실은 약 -3dB를 나타내어 이론에 의한 자기발진믹서를 설계할 수 있음을 보였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.382-385
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• 2001

In the previous study, a new LTCC material in the $PbWO_{4}-TiO_{2}-B_{2}O_{3}-CuO$ system was introduced. The developed material can be sintered at $850^{\circ}C$ and its dielectric properties are $\varepsilon_{r}=20-25$, $Q{\times}f_{o}=30000\sim50000GHz$, and $\tau_{f}=0.2{\sim}30ppm/^{\circ}C$, respectively. Therefore this material can be used as a LTCC substrate material for fabrication of multilayered high frequency communication module set. In present study, using this material, tape casting condition was established. With this condition, a multilayered resonator was fabricated and its electrical properties were examined. In present study, an antenna-duplexer module was also fabricated. Frequency characteristics of as-fabricated antenna-duplexer module was compared with simulation results.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.636-639
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• 2000

Effects of sintering temperature and time on relative permittivity $\varepsilon$$\_$r/, unloaded quality factor Q$.$f and temperature coefficient of resonant frequency $\tau$$\_$f/ of dielectric resonator materials produced from commercial ZST powder were investigated in some detail. Q$.$f values, as determined from cavity perturbation method at 1.6 GHz, gradually increased with sintering temperature reaching the maximum at 1420$^{\circ}C$. However, bulk density and relative permittivity values, which increased with temperature, started to decrease above 1380$^{\circ}C$. In addition, Q$.$f values slightly increased with sintering time at the sintering temperature of 1300$^{\circ}C$∼1380$^{\circ}C$, while bulk density and relative permittivity values were approximately constant. It was also found that $\tau$$\_$f/ values were not affected by sintering temperature and time within the experimental conditions used.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.382-385
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• 2001

In the previous study, a new LTCC material in the PbWO$_4$-TiO$_2$-B$_2$O$_3$-CuO system was introduced. The developed material can be sintered at 850$^{\circ}C$ and its dielectric properties are $\varepsilon$$\sub$r/=20-25, Qxf$\sub$o/=30000∼500000Hz, and $\tau$$\sub$f/=0.2∼30ppm/$^{\circ}C$, respectively Therefore this material can be used as a LTCC substrate material for fabrication of multilayered high frequency communication module set. In present study, using this material, tape casting condition was established. With this condition, a multilayered resonator was fabricated and its electrical properties were examined. In present study, an antenna-duplexer module was also fabricated. Frequency characteristics of as-fabricated antenna-duplexer module was compared with simulation results.

• Progress in Superconductivity
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• 제14권1호
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• pp.45-51
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• 2012

마이크로파 측정법으로 ~40 GHz의 공진주파수를 지닌 공진기를 이용하여 비파괴적으로 YBCO 초전도체 박막의 두께를 측정할 경우 calibration용 YBCO 박막의 두께의 불확도가 마이크로파로 측정된 두께의 불확도에 미치는 영향을 70 - 360 nm 두께를 지닌 5 개의 YBCO 박막에 대해 연구하였다. Calibration용 박막으로는 약 150 nm의 두께를 지닌 박막이 사용되었는데, 이 박막의 두께의 불확도는 박막 표면의 거칠기를 고려하여 결정하였다. 본 연구 결과, calibration용 박막의 불확도가 마이크로파로 측정된 박막의 두께에 상당한 영향을 준다는 것을 확인하였으며, ~ 40 GHz에서 연구에 사용된 모든 박막에 대해 측정 두께가 5% 이내의 상대 불확도를 지니기 위해서는 calibration용 박막의 두께의 상대 표준불확도가 2.7% 이내의 값을 가져야 함을 알 수 있었다. 본 연구 결과는 마이크로파를 이용하여 박막의 두께를 측정할 경우 측정 두께의 상대 불확도의 목표치를 구현하기 위해서는 표면 거칠기로 인한 두께의 불확도가 일정 값 이하인 박막 만이 calibration용 박막으로 사용될 수 있음을 보여준다.

• Progress in Superconductivity
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• 제9권2호
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• pp.146-151
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• 2008

Measurements of surface resistance ($R_s$) of high temperature superconductor (HTS) films with accuracy are essential for microwave applications of HTS materials. In using the dielectric resonator method, uncertainties in the unloaded quality factor of the resonator cause significant errors in the measured $R_s$ of HTS films. We compare the Rs values of $YBa_2Cu_3O_{7-{\delta}}$ films calculated from the $Q_0$ as determined from the Lorentzian fit with that from the $Q_0$ as determined from the S-parameter circle-fit at temperatures between 15 K and 77 K. The two sets of values appeared to differ by 5%, 7%, 6%, and 11% at temperatures of 15, 60, 70, and 77 K, respectively, from each other, implying that careful error analysis needs to be performed in obtaining the $R_s$ of HTS films by using the Lorentzian-fit method, with the ones determined from the S-parameter circle-fit used as the reference.