High speed steels (HSS) were used as cutting tools and wear parts, because of high strength, wear resistance, and hardness together with an appreciable toughness and fatigue resistance. Conventional manufacturing process for production of components with HSS was used by casting. The powder metallurgy techniques were currently developed due to second phase segregation of conventional process. The powder injection molding method (PIM) was received attention owing to shape without additional processes. The experimental specimens were manufactured with T42 HSS powders (59 vol%) and polymer (41 vol%). The metal powders were prealloyed water-atomised T42 HSS. The green parts were solvent debinded in normal n-Hexane at $60^{\circ}C$ for 24 hours and thermal debinded at $N_2-H_2$ mixed gas atmosphere for 14 hours. Specimens were sintered in $N_2$, $H_2$ gas atmosphere and vacuum condition between 1200 and $1320^{\circ}C$. In result, polymer degradation temperatures about optimum conditions were found at $250^{\circ}C$ and $480^{\circ}C$. After sintering at $N_2$ gas atmosphere, maximum hardness of 310Hv was observed at $1280^{\circ}C$. Fine and well dispersed carbide were observed at this condition. But relative density was under 90%. When sintering at $H_2$ gas atmosphere, relative density was observed to 94.5% at $1200^{\circ}C$. However, the low hardness was obtained due to decarbonization by hydrogen. In case of sintering at the vacuum of $10^{-5}$ torr at temperature of $1240^{\circ}C$, full density and 550Hv hardness were obtained without precipitation of MC and $M_6C$ in grain boundary.
Octamethylenethiafulvalene(OMTTF)와 $HAuCl_4{\cdot}3H_2O$를 THF 용액 내에서 직접 반응시켜 $(OMTTF)AuCl_4$를 합성하였다. $(OMTTF)_2PtCl_4,\; (OMTTF)_2\;IrCl6{\cdot}2H_2O,\; (OMTTF)OsCl5{\cdot}THF$ 등은 각각 $H_2PtCl_6{\cdot}xH_2O,\;H_2IrCl_6{\cdot}xH_2O$ 및 $H_2OsCl_6$를 사용하여 유사한 방법으로 합성하였다. 합성된 화합물들은 자기적(EPR, 자화율 측정), 분광학적(IR, UV-Vis), 전기화학적(CV) 특성과 전기전도도를 측정하였다. 상온에서의 분말 전기전도도는 모두 ~$10^{-7}\; S{\cdot}cm^{-1}$ 이하의 낮은 전기전도도를 나타내었다. 합성 과정에서 OMTTF로부터 Au, Pt, Ir, Os 금속 화합물로 전하 이동이 이루어져 OMTTF는 완전히 이온화된 $OMTTF^+$ 양이온 라디칼로 존재하였다. $OMTTF^+$ 양이온 라디칼의 안정성은 산화·환원 전위 값에서 확인하였다. 자화율 결과로부터 $(OMTTF)_2IrCl_6{\cdot}2H_2O$ 및 $(OMTTF)OsCl5{\cdot}THF$에서는 $OMTTF^+$ 이온에 존재하는 홀전자와 중심 금속(Ir 및 Os)에 편재화된 홀전자들 사이에는 강한 반강자성 상호작용이 존재함을 알 수 있었다.
ʟ-Theanine, found in green tea leaves has been shown to positively affect immunity and relaxation in humans. There have been many attempts to produce ʟ-theanine through enzymatic synthesis to overcome the limitations of traditional methods. Among the many genes coding for enzymes in the ʟ-theanine biosynthesis, glutamylmethylamide synthetase (GMAS) exhibits the greatest possibility of producing large amounts of production. Thus, GMAS from Methylovorus mays No. 9 was overexpressed in several strains including vectors with different copy numbers. BW25113(DE3) cells containing the pET24ma::gmas was selected for strains. The optimal temperature, pH, and metal ion concentration were 50℃, 7, and 5 mM MnCl2, respectively. Additionally, ATP was found to be an important factor for producing high concentration of ʟ-theanine so several strains were tested during the reaction for ATP regeneration. Baker's yeast was found to decrease the demand for ATP most effectively. Addition of potassium phosphate source was demonstrated by producing 4-fold higher ʟ-theanine. To enhance the conversion yield, GMAS was additionally overexpressed in the system. A maximum of 198 mM ʟ-theanine was produced with 16.5 mmol/l/h productivity. The whole-cell reaction involving GMAS has greatest potential for scale-up production of ʟ-theanine.
잠재지문 증강시약인 1,2-indandione (1,2-IND) 용액을 사용하여 종이에 유류된 족적의 형광을 얻는 방법을 연구하였다. 인쇄물이 출력된 A4 용지에 유류된 dry origin 및 wet origin 족적에 아미노산의 일종인 DL-alanine 용액과 아미노산 검출시약인 1,2-IND 용액을 뿌려서 DL-alanine-1,2-IND 이성분착물을 만들었다. 이 이성분착물은 족적에 있는 미량의 금속성분과 반응하여 광발광을 내는 삼성분착물을 형성함으로써 족적의 형광을 관찰할 수 있었다. 그러나 1,2-IND 용액 대신 5-methylthioninhydrin (5-MTN) 용액을 이용하면 처리 조건을 동일하게 유지해도 족적의 형광이 일정하게 관찰되지 않았다. DL-alanine 용액과 1,2-IND 용액으로 처리한 족적을 다양한 온도조건 (30, 40, $50^{\circ}C$)과 다양한 습도조건 (30, 40, 50, 60 % RH)에서 보관한 결과 온도와 습도가 높을수록 족적과 바탕면의 대조비가 감소하였다. DL-alanine 용액과 1,2-IND 용액으로 처리한 족적을 $30^{\circ}C$, 30 % RH에서 1 h 동안 보관하면 족적의 최적 형광을 얻을 수 있었다. 저자들이 개발한 방법의 감도를 black gelatin lifting, 2,2'-dipyridil 용액 처리 방법, 8-hydroxyquinoline 용액 처리방법의 감도와 비교하였다. 그 결과 저자가 개발한 방법의 감도는 gelatin lifting 방법보다는 떨어졌으나 2,2'-dipyridil 용액 혹은 8-hydroxyquinoline 용액 처리방법보다는 우수하였다.
건축물이 초고층화, 장스팬화가 되어갈수록 고강도, 신뢰성이 우수한 강재의 사용요구가 증대되고 있다. 그러나 강재가 고강도화가 되어갈수록 일반강재와는 다른 기계적 특성을 갖게 된다. 본 연구에서는 600MPa급 고강도 강재에 대한 건축구조용 강재로서의 적합성, 용접성 및 기계적 특성을 파악하기 위하여 소재특성 및 용접부 특성을 평가하였다. 화학시험결과, 대상강재는 낮은 탄소당량(${\mathcal{Ceq}}$) 및 용접갈라짐 감수성 조(${\mathcal{Pcm}}$)성을 가진 것으로 나타났으며, 인장시험결과로부터 모든 시험체의 항복강도는 설계기준강도를 만족하는 것과 인장강도가 600MPa이상인 것을 확인하였다. 충격시험결과, 모든 시험체는 KS 규격 값인 47J이상을 나타내었다. 또한 용접부 최고경도시험에서도 상온과 예열시의 경화정도가 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 그러나 용착금속 경우 강재의 성능에 미치지 못하여 고성능 고강도 강재용 용착금속의 개발 및 용접조건을 세밀히 파악할 필요가 있는 것으로 판단된다.
아산화질소($N_2O$)는 각종 화학산업의 제조공정은 물론 유기 및 화석연료의 각종 연소공정으로부터 배출되는 대표적 온실가스이다. 온난화 효과는 $CO_2$의 310배에 달하고 성층권에 도달해서는 오존층을 파괴하는 물질이지만 화학적으로 매우 안정하여 분해처리가 쉽지 않다. 각종 환원제를 이용한 SCR 반응도 대부분 $450^{\circ}C$ 이상의 높은 온도를 요구하며 NOx 존재시에는 활성이 현저하게 떨어지는 문제점을 가지고 있다. 본 연구는 $N_2O$ 분해촉매의 실용화를 위한 기초연구로 진행되었으며, hydrotalcite형 화합물 전구체로부터 얻어진 혼합금속산화물촉매(MMO)와 CO 환원제를 이용한 $N_2O$ 분해에서 $SO_2$ 및 $NH_3$ 등 성분이 촉매의 반응성과 내구성에 미치는 영향을 실험적으로 분석하여 실용화에 대비한 기본 자료로 삼고자 하였다. 본 실험에 사용된 MMO 촉매는 CO 환원제와 같이 사용할 경우 $N_2O$ 분해 성능이 크게 향상되어 $200^{\circ}C$ 근처에서도 완전히 분해되는 것으로 나타났다. 또한 $NH_3$ SCR에 의한 NOx 분해반응의 경우와 달리 $SO_2$ 영향이 치명적으로 나타나지 않았고, $NH_3$에 의한 효과도 미미하여 촉매의 활성점을 공유하는 불순물 성분 정도의 영향에 불과한 것으로 판단되었다.
능이버섯[Sarcodon aspratus(Berk.)S.Ito]의 fibrin 분해 활성물질을 분리정제하기 위하여(N $H_4$)$_2$S $O_4$침전법, DE52 anion exchange column chromatography, Sephacryl-S2000 gel filtration chromatography 및 Mono S cation FPLC를 행하였으며 정제된 효소의 특성을 측정하였다. 혈전용해 요소의 활성물질은 DE52 anion exchange colum chroma-tography에 NaCI의 농도가 0.2M 정도에서 용출되었으며 계속된 Sephacryl-S200 gel fitration chromatography 및 Mono S cation EPLC를 실시한 결과 단일 Peak를 얻었고 혈전용해효소의 특이활성은 55.2 U/mg protein으로 조효소액으로 비하여 11.3 배 증가하였으며 수율은 49.5%이었다. 또한 Mono S cation EPLC에서 얻은 활성획분을 12% SDS-PAGE로 전기영동한 결과 단일 band를 얻었으며 gel filtration의 결과와 비교함으로서 정제된 능이의 혈전용해 효소의 분자량은 29.300 Da인 것으로 확인되었다. 능이로 부터 정제한 혈전용해효소는 pH가 높아질수록 효소활성이 증가하였으며 pH 10.5의 알카리성에서도 안정하였으며 6$0^{\circ}C$이상의 온도에서는 효소활성이 급격히 실활하기 시작하였지만 8$0^{\circ}C$에서 25%의 상대활성을 보였다. 또한 본 효소는 C $u^{2+}$이온 $Co^{3+}$ 이온 등 중금속에 의하여 68%및 38%활성이 저해되었으며 $Ca^{2+}$이온 또는 $Mg^{2+}$의 초딤색 인 EDTA및 serine protease inhibitor이 PMSF에 의하여 활성이 저해되었었다. 이러한 결과들은 능이의 혈전용해효소가 Ca.sup 2+/또는M $g^{2+}$에 의하여 활성이 증가하는 serine protease임을 암시해 주고 있다.
두부폐수를 이용(利用)한 SCP생산(生産)의 기초 연구로서 유용(有用)효모의 검색(檢索), 최적배지선정 및 배양조건이 검토(檢討)되었다. 총 18종(種)의 효모중(中) 두부폐수를 가장 잘 이용(利用)하는 효모 C.utilis YUFE 1508과 C. guilliermondii KFCC 35120을 선정했으며 이들 효모의 최적생육(生育) pH는 $6.0{\sim}6.5$였고 최적배양온도는 $25^{\circ}C$였다. 탄소원으로서는 molasses 2.5%(전당기준), 질소원으로 ammonium acetate $0.1{\sim}0.3%$ (N함량기준), P 및 K원으로 $K_2HPO_4\;0.1{\sim}0.2%$ (P함량기준) 및 $K_2HPO_4$ 0.05% (P함량기준)를 두부폐수에 각각(各各) 첨가(添加) 함이 효모 생육(生育)에 가장 효과적(效果的)이었으며 금속염(金屬鹽)의 첨가는 생육(生育)에 아무런 영향을 미치지 못했다. 최적배양조건에서 48시간 배양했을때 최대(最大) 생육(生育)에 도달했으며 이때의 배양액 100ml의 건조균체중량은 C. utilis YUFE 1508이 1.313g, C. guilliermondii KFCC 35120의 경우가 1.322g이었다. 이를 대당(對糖)건조균 체수율로 환산하면 각각 68.4%, 74.2%였다. 또한 건조효모균체의 조단백질 함량은 C. utilis YUFE1508 이 약 54.0%, C. guilliermondii KFCC 35120의 경우가 56.8%정도였다.
노란달걀버섯은(Amanita javanica) 국내에서 산림법으로 보호받고 있는 식용 가능한 외생균근성 버섯이나, 중요한 산림자원으로서 활용하기 위한 기초적인 특성 연구에 대한 자료는 부족한 실정이다. 이에 본 연구는 국내 채집 야생버섯 자실체로부터 분리한 노란달걀버섯 NIFoS 1267 균주를 이용하여 PDA 배지 상에서 물리적 요인(온도, pH, 광)과 화학적인 요인(염분, 중금속, 농약)에 따른 균사생장 특성을 조사하였다. 최적의 물리적 환경은 온도가 30℃, pH가 5-6, 암조건으로 배양이었을 때 노란달걀버섯 균주의 균사생장이 가장 좋은 것으로 나타났다. 화학적 요인으로서 염분은 2.0% 농도 조건까지 버섯균주의 균사 생장이 가능하였다. 50 ppm 농도의 중금속 이온 환경에서 비소(As) 이온은 노란달걀버섯 균주의 균사생장에 영향을 주지 않았으나 카드뮴(Cd)와 납(Pb) 이온은 균사 생장이 불가능하게 하였다. 국내 산림에 사용되고 있는 2가지 농약의 경우, Abamectin 첨가 배지에서는 노란달걀버섯 균주의 균사 생장에 영향이 없었으나 Acetamiprid, Emamectin benzoate, Thiacloprid가 첨가된 배지 환경에서는 균사 생장이 모두 다 저해 되었다. 본 연구 결과는 향후 상업적 생산을 위한 새로운 자원으로서 노란달걀버섯의 인공재배 연구에 도움이 될 것으로 기대된다.
Ha, Tae-Min;Son, Seung-Nam;Lee, Jun-Yong;Hong, Sang-Jeen
한국진공학회:학술대회논문집
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한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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pp.434-435
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2012
Plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) silicon dioxide thin films have many applications in semiconductor manufacturing such as inter-level dielectric and gate dielectric metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs). Fundamental chemical reaction for the formation of SiO2 includes SiH4 and O2, but mixture of SiH4 and N2O is preferable because of lower hydrogen concentration in the deposited film [1]. It is also known that binding energy of N-N is higher than that of N-O, so the particle generation by molecular reaction can be reduced by reducing reactive nitrogen during the deposition process. However, nitrous oxide (N2O) gives rise to nitric oxide (NO) on reaction with oxygen atoms, which in turn reacts with ozone. NO became a greenhouse gas which is naturally occurred regulating of stratospheric ozone. In fact, it takes global warming effect about 300 times higher than carbon dioxide (CO2). Industries regard that N2O is inevitable for their device fabrication; however, it is worthwhile to develop a marginable nitrous oxide free process for university lab classes considering educational and environmental purpose. In this paper, we developed environmental friendly and material cost efficient SiO2 deposition process by substituting N2O with O2 targeting university hands-on laboratory course. Experiment was performed by two level statistical design of experiment (DOE) with three process parameters including RF power, susceptor temperature, and oxygen gas flow. Responses of interests to optimize the process were deposition rate, film uniformity, surface roughness, and electrical dielectric property. We observed some power like particle formation on wafer in some experiment, and we postulate that the thermal and electrical energy to dissociate gas molecule was relatively lower than other runs. However, we were able to find a marginable process region with less than 3% uniformity requirement in our process optimization goal. Surface roughness measured by atomic force microscopy (AFM) presented some evidence of the agglomeration of silane related particles, and the result was still satisfactory for the purpose of this research. This newly developed SiO2 deposition process is currently under verification with repeated experimental run on 4 inches wafer, and it will be adopted to Semiconductor Material and Process course offered in the Department of Electronic Engineering at Myongji University from spring semester in 2012.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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