흡착벗김전압전류법을 이용하여 게르마늄 분석을 하였으며, 리간드로는 Tannic acid를 사용하였다. 수집전위는 -0.2V, 수집시간은 60초, 평형시간은 20초, 주파수는 10Hz였다. 작업전극으로는 매달린 수은전극을 이용하였고 지지전해질로는 pH=4.5인 아세트산 완충용액을 사용하였다. 게르마늄의 분석을 위한 리간드의 알맞은 조건을 알아내었고 게르마늄 봉우리 전류에 대한 금속이온(납, 구리, 규소, 주석, 갈륨)의 영향에 대하여 조사하였다.
현재의 반도체 산업에서 Hafnium oxide와 Hafnium silicates같은 high-k 물질은 CMOS gate와 DRAM capacitor dielectrics로 사용하기 위한 대표적인 물질에 속한다. MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor)구조에서 gate length는 16 nm 이하로 계속 미세화가 연구 중이고, 또한 gate는 기존구조에서 Multi-gate구조로 다변화가 일어나고 있다. 이를 통해 게이트 절연막은 그 구조와 활용범위가 다양해지게 될 것이다. 동시에 leakage current와 dielectric break-down을 감소시키는 연구가 중요해지고 있다. 그러나 나노 영역에서의 기계적 특성에 대한 연구는 전무한 상태이다. 따라서 복잡한 회로 공정, 다양한 Multi-gate 구조, 신뢰도의 향상을 위해서는 유전박막 물질자체와 계면에서의 물리적, 기계적인 특징의 측정이 상당히 중요해지고 있다. 이에 본 연구는 Nano-indenter의 통해 경도(Hardness)와 탄성계수(Elastic modulus) 등의 측정을 통하여 시료 표면의 나노영역에서의 기계적 특성을 연구하고자 하였다. $HfO_2$게이트 절연막은 rf magnetron sputter를 이용해 Si (silicon) (100)기판위에 박막형태로 증착하였고, 이후 furnace에서 질소분위기로 온도(400, 450, $500^{\circ}C$)를 달리하여 20분 열처리를 하였다. 또한 Weibull distribution을 이용해 박막의 characteristic value를 계산하였으며, 실험결과 열처리 온도가 $400^{\circ}C$에서 $500^{\circ}C$로 증가함에 따라 경도와 탄성계수는 7.4 GPa에서 10.65 GPa으로 120.25 GPa에서 137.95 GPa으로 각각 증가하였다. 이는 재료적 측면으로 재료의 구조적 우수성이 증가된 것으로 판단된다.
Pt/Co인공격자다층막($[Pt10.7\;{\AA}/Co2.8\;{\AA}]{\times}12$)의 자기특성 및 기록특성이 시료제작시의 조건 (sputtering gas압력, sputtering gas 종류, buffer층의 유무 및 etching)에 따라 어떻게 변화하는지를 알아보았다. Pt/Co다층막의 자기특성은 Tb-Fe-Co계 아몰퍼스재료와 거의 동등한 특성이 얻어졌으며 이다층막을 이용한 광자기디스크의 기록특성은 kerr회전각, 1.23도, 기록 power 특성, 36dB(레이저파장: 780nm)을 나타내어 Pt/Co다층막이 차세대광자기디스크용 재료로서의 실용화가능성을 보여주었다.
IGZO (indium gallium zinc oxide) 박막트랜지스터는, 활성층 채널의 폭과 길이의 비가 고정된 경우에도, 채널 길이가 길어지면 게이트전압에 대한 드레인 전류의 특성곡선이 양의 전압 방향으로 이동하고 전계효과이동도는 낮아졌다. 채널의 길이와 폭이 고정된 상태에서는, 드레인이 전압 높은 경우에 전계효과이동도가 낮고 문턱아래 기울기가 큰 특성을 보였다. 이러한 현상은 IGZO 채널층의 일함수가 커서 소스/드레인 전극과 채널층의 접합부 띠굽음이 규소반도체의 경우와 반대방향으로 나타나는 것에 기인하는 것으로 해석된다.
이 리뷰를 통하여, 휴대폰용 리튬이차전지의 최근 기술동향을 설명하였다. 휴대폰용 이차전지로는 니카드, 니켈-금속수소, 리튬이온 혹은 리튬이온폴리머의 세 가지 형태의 전지가 있으며, 리튬 이차전지가 에너지밀도 측면에서 가장 성능이 우수하다. 즉, 동일한 용량을 갖는 이차전지 가운데 가장 작고 가벼운 것은 리튬이차전지이다. 이러한 리튬이차전지의 시장은 매년 약 15%의 높은 성장을 기록하고 있다. 연구개발은 $LiFePO_4$를 포함하는 새로운 양극, $Li_4Ti_5O_{10}$, Si, 주석 등의 새로운 음극소재, 새로운 전해질과 안정성 확보에 관한 것을 중심으로 진행되고 있다.
We present the experimental results of high quality factor (Q) inductors fabricated on high-resistivity silicon wafer using standard CMOS process without any modificatons such as thick gold layer or multilayer interconnection. This demonstrates the possibility of building high Q inductors using lower cost technologies, compared with previous results using complicated process. The comparative analysis is carried out to find the optimized inductor shape for the maximum performance by varying the thickness of metal and number of turns with rectangular shape.
In order to passivate the GaAs surface, silicon-nitride films were fabricated by using laser CVD method. SiH$_4$ and NH$_3$ were used to obtain SiN films in the range of 100∼300$^{\circ}C$ on p-type (100) GaAs substrate. To determine interface characteristics of the metal-insulator-GaAs structure, electrical measurements were performed such as C-V curves and deep level transient spectroscopy (DLTS). The results show that the hysteresis was reduced and interface trap density was lowered to 1,012 ∼ 1,013 at 100 ∼ 200$^{\circ}C$. According to the study of surface leakage current, the passivated CaAs has less leakage current compared to non-passivated substrate.
When ceramics are used as the parts of an engine and a machine, the tribological properties are very important. For the preparation of the resistance material for wear applications by the method of Reaction-Bonded Sintering, metal silicon and carbon black are mixed up into SiC powder, and Al2O3 and Fe2O3 are put as an additive. As the general properties, the bending strength and water absortion are measured in the normal temperature and the phase changies are investigated with XRD. The property of the resistance for wear applications is measured with the amount of friction and wear, friction coefficient and maximum asperties. And, the surface of wear is observed with SEM. With the results of this study, the optimal mol ratio of Si : C and the suitable quantity of the mixture of SiC are 7 : 3 and 40 wt%, respectively. In the case of the addition of Al2O3 (2 wt%), the resistance for friction and wear applications is prominent. The bending strength showed the highest peak when Al2O3 (4 wt%) and Fe2O3 (4 wt%) were added. The properties of friction and wear were related with the propagation velocity of crack rather than the bending strength.
Zr-O ($Zr-ZrO_2$) cermets solar selective coatings with a double cermets layer film structure were prepared using a DC (direct current) magnetron sputtering method. The typical film structure from surface to bottom substrate were an $Al_2O_3$ anti-reflection layer on a double Zr-O cermets layer on an Al metal infrared reflection layer. Optical properties of optimized Zr-O cermets solar selective coating had an absorptance of ${\alpha}\;=\;0.95$ and thermal omittance of ${\epsilon}\;=\;0.10\;(100^{\circ}C)$. The absorbing layer of Zr-O cermets coatings on glass and silicon substrate was identified as being amorphous by using XRD. AFM showed that ZF-O cermets layers were very smooth and their surface roughness were approximately $0.1{\sim}0.2 nm$. The chemical analysis of the cermets coatings were determined by using XPS. Chemical shift of photoelectron binding energy was occurred due to the change of Zr-O cermets coating structure deposited with increase in oxygen flow rate. The result of thermal stability test showed that the Zr-O cermets solar selective coating was stable for use at temperature below $350^{\circ}C$.
최근, 자연의 기능성 표면을 모사하여 우리 생활에 응용하기 위한 연구가 활발하다. 초-발수 특성을 가지는 대표적인 예인 연꽃잎은 마이크로-나노 크기의 거친 미세돌기(papillae)를 가지고 있으며 그 위에 낮은 표면 에너지를 가지는 왁스(wax)가 발달 되어 항상 깨끗한 상태를 유지한다. 본 실험에서는 이를 모사하여 RIE (Reactive Ion Etching)방법을 이용하여 기판인 Poly silicon wafer를 Sf6가스를 사용하여 Metal mash로 거칠기를 만들어 주었고, RF-magnetron sputtering 장치를 사용하여 $6{\times}10^{-3}$ Torr의 진공도에서 낮은 표면에너지를 가지는 PTFE (polytetrafluoroethylene)를 증착하여 표면 구조와 발수특성에 대하여 조사하였다. SSME(Surface shape measurement equipment)측정결과 0.24~0.36 um RSa 값이 측정되었고, 12 uL의 Di-water로 접촉각을 측정 한 결과 RIE 10분 처리를 한 기판 위에 PTFE를 3분 증착하였을 때 가장 높은 $153^{\circ}$의 초-발수 특성이 나타났으며, 4주의 시간이 지났을 때에도 접촉각이 유지가 되었다. XPS 측정결과 초-발수 표면에서 나타나는 CF2와 CF3 피크 값이 측정되었다. Reactive Ion Etching을 이용한 PTFE 발수 특성은 방수, 스마트 윈도우, 자가세정(Self-Cleaning), 디스플레이 표시장치, 김서림 방지(Anti-Fogging), 대전방지 코팅 등에 다각적으로 응용 가능할 것이라 사료된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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