Jeon, Yukwon;Kwon, Ohchan;Ji, Yunseong;Jeon, Ok Sung;Lee, Chanmin;Shul, Yong-Gun
Korean Chemical Engineering Research
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v.57
no.3
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pp.425-431
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2019
As rechargeable metal-air batteries will be ideal energy storage devices in the future, an active cathode electrocatalyst is required with bi-functionality on both oxygen reduction reaction (ORR) and oxygen evolution reaction (OER) during discharge and charge, respectively. Here, a class of perovskite cathode catalyst with a micro-tubular structure has been developed by controlling bi-functionality from different Ru and Ni dopant ratios. A micro-tubular structure is achieved by the activated carbon fiber (ACF) templating method, which provides uniform size and shape. At the perovskite formula of $LaCrO_3$, the dual dopant system is successfully synthesized with a perfect incorporation into the single perovskite structure. The chemical oxidation states for each Ni and Ru also confirm the partial substitution to B-site of Cr without any changes in the major perovskite structure. From the electrochemical measurements, the micro-tubular feature reveals much more efficient catalytic activity on ORR and OER, comparing to the grain catalyst with same perovskite composition. By changing the Ru and Ni ratio, the $LaCr_{0.8}Ru_{0.1}Ni_{0.1}O_3$ micro-tubular catalyst exhibits great bi-functionality, especially on ORR, with low metal loading, which is comparable to the commercial catalyst of Pt and Ir. This advanced catalytic property on the micro-tubular structure and Ru/Ni synergy effect at the perovskite material may provide a new direction for the next-generation cathode catalyst in metal-air battery system.
The performance of the AlGaN/GaN MSM-2DEG varactor with different dielectric films deposited by the E-beam deposition is investigated in detail. The capacitance swing and the capacitance ratio of the varactor without dielectric film as well as with, SiO2, Gd2O3, and Si3N4 films, respectively, are determined by electrodes of varying areas. The maximum capacitance, the minimum capacitance and the capacitance ratios are proportional to the increasing of the electrode areas. The capacitance ratio determined by the maximum and the minimum capacitance is found to be 18.35 (with Si3N4 dielectric film) and 149.51 (without dielectric film), respectively. The transition voltages of the fabricated varactors are almost the same for a bias voltage of about ±5 V and leakage current can be lower three orders of magnitude while the varactors with dielectric films. The tunability of the capacitance ratio makes the AlGaN/GaN MSM-2DEG varactor with a dielectric film highly useful in multirange applications of a surge free preamplier.
Proceedings of the Korean Society of Dyers and Finishers Conference
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2012.03a
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pp.29-29
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2012
Rhodamine chromophore/fluorophore have been attracted to many researchers due to its excellent photophysical properties. In this study, we have designed and synthesized a strong emissive fluorescent dye chemosensor for toxic elements. A rhodamine-based sensor was prepared by incorporation the rhodamine fluorophore and several functional host groups with high affinity to hazardous metal and anion. This sensor shows a high selectivity and an excellent sensitivity and is a dual-responsive colorimetric and fluorescent metal/anion-specific sensor. In addition, the 1:1 binding mode was proposed based on Job's plot method. Finally, computational calculation was simulated and calculated to approach for HOMO/LUMO of this dye chemosensor.
Blochwitz-Nimoth, Jan;Birnstock, Jan;Wellmann, Philipp;Werner, Ansgar;Romainczyk, Tilmann;Limmert, Michael;Grubing, Andre
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2005.07b
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pp.955-962
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2005
Power efficiency, lifetime and stable manufacturing processes are the crucial parameters for the success of organic light emitting diodes (OLEDs) in display and lighting applications. Highest power efficiencies of PIN-OLEDs for all principal colours and for bottom and top emission OLED structures have been demonstrated. The PIN structure, which means the incorporation of intentionally doped charge carrier transport layer in a suitable OLED layer setup, lowers the operating voltage to achieve highest power efficiencies. Up to now the n-doping of the electron transport layer has been done by alkali metal co-deposition. This has main draw-backs in terms of manufacturability, since the handling of large amounts of pure Cs is a basic issue in production lines. Here we present in detail results on PIN-OLEDs comprising a newly developed molecular n-dopant. All the previous OLED performance data based on PIN-OLEDs with alkali metal doping could be reproduced and will be further improved in the future. Hence, for the first time, a full manufacturing compatible PIN-OLED is available.
Proceedings of the Korean Institute of Resources Recycling Conference
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2003.10a
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pp.22-34
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2003
Processing and smelting of copper containing sulphide concentrates result in the accumulation of impurities into various process streams. All primary copper smelters and refineries around the world produce significant amounts of slag, dust, sludge, residues and others, which contain copper and precious metals. The recovery of these valuable metals is essential to the overall economics of the smelting process. Physical, chemical and mineralogical characterization of particular slag and Cottrell dusts from primary smelters and Dore furnace (TBRC) slag and Pressure Leached Anode slimes from a copper refinery have been carried out to understand the basic behind the recovery processes. Various process options have been evaluated and adapted for the treatment of slag from different smelting furnaces and Cottrell dusts as well as the intermediate products from copper refineries. Besides the hydro- or pyre-metallurgical treatments, the above mentioned physical separation options such as magnetic, gravity separation, flotation and precipitation flotation processes have been successfully identified and adapted as the possible process options to produce a Cu-rich or precious metal-rich concentrates for in-house recycling and other valued by-product for further treatment. The results of laboratory, pilot plant and production operations are presented, and incorporation of several alternative flowsheet is discussed in this paper.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.7
no.5
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pp.257-261
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2006
Nano-structured carbon nitride $(CN_x)$ films were prepared by reactive RF magnetron sputtering with a DC bias at various deposition conditions, and the physical and electrical properties were investigated. FTIR spectrum indicated an ${alpha}C_3N_4$ peak in the films. The carbon nitride film deposited on Si substrate had a nano-structured surface morphology. The grain size was about 20 nm and the deposition rate was $1.7{\mu}m/hr$. When the $N_2/Ar$ ratio was 3/7, the level of nitrogen incorporation was 34.3 at%. The film had a low dielectric constant. The metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors that the carbon nitride was deposited as insulators, exhibited a typical C-V characteristics.
Nickel is a good electrocatalytic metal and nickel electrodes find many applications in different electrochemical fields. The nickel plated electrodes were prepared by electro-deposition technique on mild steel surface modified with in-situ deposition of nickel titanate. The SEM images shows that the nickel plating on nickel titanate modified mild steel shows better adherence than the nickel plating on bare mild steel surfaces. The extent of polarization of the nickel plating on mild steel with nickel titanate was lower than that of nickel plating on mild steel. The incorporation of nickel titanate on mild steel surface before nickel plating enhances physical, chemical and electrochemical properties of the plating film.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.13
no.2
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pp.69-72
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2012
In this study, deposition of low-dielectric constant SiOC(H) films by conventional plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) were investigated through various characterization techniques. The results show that, with an increase in the plasma power density, the relative dielectric constant (k) of the deposited films decreases whereas the refractive index increases. This is mainly due to the incorporation of organic molecules with $CH_3$ group into the Si-O-Si cage structure. It is as confirmed by FT-IR measurements in which the absorption peak at 1,129 $cm^{-1}$ corresponding to Si-O-Si cage structure increases with power plasma density. Electrical characterization reveals that even after fast thermal annealing process, the leakage current density of the deposited films is in the order of $10^{-11}$ A/cm at 1.5 MV/cm. The reliability of the SiOC(H) film is also further characterized by using BTS test.
Proceedings of the Korean Society For Composite Materials Conference
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2001.05a
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pp.184-188
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2001
The squeeze infiltration process is potentially of considerable industrial importance. The performance enhancements resulting from incorporation of short alumina fiber into aluminum are well documented. These are particularly significant for certain automobile components. But the solidification process gets complicated with manufacturing parameters and factors for porosity formation do not fully understand yet. In this study porosity defects were observed under several infiltrating conditions ; a kind of matrix, an initial temperature of melt, and a volume fraction of reinforcement. The desimetry and the microscopic image analysis were done to measure the amount of porosity. A correlation between manufacturing parameters and defects was investigated through these.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2003.05a
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pp.374-377
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2003
Sol-gel processing of BaTiO$_3$ ceramics doped with La(0.01-1.00 at.%) were prepared from metal barium, titanium n-butoxide and lanthanum isopropoxide. Characterization of the sol-gel-derived powder using XRD, SEM is also reported. The obtained results suggested that insulator to semiconductor transition for highly donor-doped barium titanate was closely related to the incorporation of donor into the grains and to the resultant grain size, which were significantly affected by the sinterability of BaTiO$_3$ powders and sintering conditions used.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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