Single crystalline ZnO films were successfully grown on R-plane sapphire substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Epitaxial relationship between the ZnO film and the R-plane sapphire was determined to be $[-1101]Al_2O_3{\parallel}[0001]ZnO,\;[11-20]Al_2O_2{\parallel}[-1100]ZnO$ based on the in-situ reflection high-energy electron diffraction analysis and confirmed again by high-resolution X-ray diffraction measurements. Grown (11-20) ZnO films surface showed mound-like morphology along the <0001>ZnO direction and the RMS roughness was about 4 nm for $2{\mu}m{\times}2{\mu}m$ area.
Carbon nitride films have been deposited on Si(100) substrate by a high voltage discharge plasma combined with laser ablation in a nitrogen atmosphere. The films were grown both with the without the presence of an assisting focused Nd:YAG laser ablation. The laser ablation of the graphite target leads to vapor plume plasma expending into th ambient nitrogen arc discharge area. X-ray photoelectron spectroscopy and Auger electron spectroscopy were used to identify the binding structure and the content of the nitrogen species in the deposited films. The nitrogen content of the films was found to increase drastically with an increase of nitrogen pressure. The surface morphology of the films was studied using a scanning electron microscopy. Data of infrared spectroscopy and x-ray photoelectron spectroscopy indicate the existence of carbon-nitrogen bonds in the films. The x-ray diffraction measurements have also been taken to characterize the crystal properties of the obtained films.
Praseodymium oxid ($Pr_2$$O_3$) thin films have been deposited on Si(100) substrates by metalorganic chemical vapor deposition using praseodymium tris-2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptandionate as source material. Film structural, morphological, and compositional characterizations have been carried out. Dielectric properties have been studied as well by capacitance-voltage and current-voltage measurements on metal-oxide-semiconductor capacitors of several areas. The $Pr_2$$O_3$ films have shown a dielectric constant = 23-25 and a leakage current density of $8.8{\times}10$-e $A/\textrm{mm}^2$ at +1 V.
This proper focuses on results of relative permeability(${\mu}$$\sub$r/), core loss(W) and magnetic induction [B] measurements on some of the most commonly used core materials(PN-18, 20, 30, 60, Pohang Iron '||'&'||' Steel Co., Ltd.) In case of Stress Relief Annealing(SRA). Results of magnetic induction[B] showed weak variations but core lass reduced strongly after SRA Core loss reduced from 3.071 ∼7.819(W/kg) and 11.377~3.988[W/kg] to 2.88~5.492[W/kg] and 1.213~2.134[W/kg] at 1.5[T] 50 Hz and 1.0 [T] 50Hz respectively after SRA. This SRA process leads to significant changes In magnetic properties and core loss of non-oriented silicon steel sheet.
International Journal of Concrete Structures and Materials
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제4권1호
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pp.45-49
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2010
The roller compacted concrete (RCC) is supposed to be isotropic, whereas the compaction of this material, which is achieved using the same machines used for the soil, appears only unidirectional, making the RCC an anisotropic material. In this experimental work, the influence of the phenomenon of compaction on the isotropy of the RCC is studied. This study was carried out through an evaluation of the compressive strengths and ultrasonic tests which were used for measurements of the elastic modulus and the dynamic Poisson's ratio of the RCC as well as a qualitative judgement of the RCC aspect at the hardened state. The results of this work proved the anisotropy of the RCC and they showed the sensitivity of the mechanical strengths and the elastic modulus to the compaction direction.
The effects of substrate material on the local heating performance of microheaters are studied by both numerical analysis and experiment. Transient conduction analysis shows that the substrate material with low thermal conductivity is critical to the local heating and fast response. A measurement technique for surface temperature field in microscale is newly proposed, which uses temperature sensitive fluorescent dye coated on the surface. The measured surface temperature fields on microheater arrays fabricated on different substrates are presented.
Rapid mold heating has been recent issue to enable the injection molding of thin-walled parts or micro/nano structures. Induction heating is an efficient way to heat material by means of an electric current that is caused to flow through the material or its container by electromagnetic induction. It has various applications such as heat treatment, brazing, welding, melting, and mold heating. The present study covers a finite element analysis of the induction heating process which can rapidly raise mold temperature. To simulate the induction heating process, the electromagnetic field analysis and transient heat transfer analysis are required collectively. In this study, a coupled analysis connecting electromagnetic analysis with heat transfer simulation is carried out. The estimated temperature changes are compared with experimental measurements for various heating conditions.
We performed a shot peening test and used a 2-D finite element model which predicts the compressive residual stress distribution below the material's surface. In this study, the concept of 'impact cycle' is introduced to account for the irregularity in the shot's impact position during testing. The impact cycle was imbedded in the finite element model. In the shot peening test, shot bombarded a type-A Almen strip surface with different impact velocities. To verify the proposed finite element model, we compared the deformed cross sectional shape of the Almen strips with the shapes computed by the proposed finite element model. Good agreement was noted between measurements and the finite element model predictions. With the verified finite element model, a series of finite element simulations was conducted to compute the residual stress distribution below the material's surface and the characteristics of these distributions are discussed.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제15권6호
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pp.324-327
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2014
Germanium (Ge) is a promising material for next generation nanoelectronics and multiple junction solar cells. This work investigated the electrical properties in Cu/p-type Ge Schottky diodes, using current-voltage (I-V) measurements. The Schottky barrier heights were 0.66, 0.59, and 0.70 eV from the forward ln(I)-V, Cheung, and Norde methods, respectively. The ideality factors were 1.92 and 1.78 from the forward ln(I)-V method and Cheung method, respectively. Such high ideality factor could be associated with the presence of an interfacial layer and interface states at the Cu/p-Ge interface. The reverse-biased current transport was dominated by the Poole-Frenkel emission rather than the Schottky emission.
Growth of well-aligned ZnO nanostructures on various substrates such as GaN, ITO/glass, and sapphire was realized via a simple aqueous solution method at low temperature of $90^{\circ}C$. Morphology of ZnO nanostructures grown on various substrates as function of substrate was studied. It was found that ZnO nanostructures is a strong function of substrate. It was clearly observed that the morphology of ZnO nanostructures could be varied by change of substrate. Morphology, crystallinity, and crystal characteristics were carried out by FE-SEM, synchrotron x-ray scattering measurements, and high-resolution electron microscopy, respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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