• Journal of Information Display
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• v.5 no.3
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• pp.30-34
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• 2004

Fabrications of barrier layer on a polyethersulfon (PES) film and OLED based on a plastic substrate by atomic layer deposition (ALD) have been carried out. Simultaneous deposition of 30 nm of $AlO_x$ film on both sides of PES film gave film MOCON value of 0.0615 g/$m^2$/day (@38$^{\circ}C$, 100 % R.H.). Moreover, the double layer of 200 urn $SiN_x$ film deposited by PECVD and 20 nm of $AlO_x$ film by ALD resulted in the MOCON value lower than the detection limit of MOCON. The OLED encapsulation performance of the double layer have been investigated using the OLED structure of ITO/MTDATA(20 nm)/NPD(40 nm)/AlQ(60 nm)/LiF(1 nm)/Al(75 nm) based on the plastic substrate. Preliminary life time to 91 % of initial luminance (1300 cd/$m^2$) was 260 hours for the OLED encapsulated with 100 nm of PECVD deposited $SiN_x$/30 nm of ALD deposited $AlO_x$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.19 no.6
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• pp.495-500
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• 2010

In this study, $Al_2O_3$ and $TiO_2$ films was deposited on to PES (poly(ethersulfon) substrate by using atomic layer deposition as functions of deposition temperature and plasma power. The density and carbon contents of $Al_2O_3$ and $TiO_2$ films was changed by varying process conditions. High density thin films was achieved through optimizing the process conditions. Buffer layer was deposited prior to the processing of upper thin films to avoid PES surface destruction during the high power plasma process and to enhances the tortuous path for water vapor permeation for the defect decoupling effect. The water vapor transmission rate by using MOCON test was investigated to analyze the effect. Water vaper permeation properties was improved by using the inorganic multi-layer passivation layer and activation energy of the water vapor permeation was increased.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.23 no.5
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• pp.397-402
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• 2010

In this paper, we studied WVTR(water vapor transmission rate) properties of $Si_3N_4$ thin film that was deposited using TCP-CVD (transformer coupled plasma chemical vapor deposition) method for the possibility of OLED(organic light emitting diode) encapsulation. Considering the conventional OLED processing temperature limit of below $80^{\circ}C$, the $Si_3N_4$ thin films were deposited at room temperature. The $Si_3N_4$ thin films were prepared with the process conditions: $SiH_4$ and $N_2$, as reactive gases; working pressure below 15 mTorr; RF power for TCP below 500 W. Through MOCON test for WVTR, we analyzed water vapor permeation per day. We obtained that WVTR property below 6~0.05 gm/$m^2$/day at process conditions. The best preparation condition for $Si_3N_4$ thin film to get the best WVTR property of 0.05 gm/$m^2$/day were $SiH_4:N_2$ gas flow rate of 10:200 sccm, working pressure of 10 mTorr, working distance of 70 mm, TCP power of 500 W and film thickness of 200 nm. respectively. The proposed results indicates that the $Si_3N_4$ thin film could replace metal or glass as encapsulation for flexible OLED.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.11a
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• pp.207-207
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• 2009

In this work, we report the physical properties of amorphous $Al_2O_3$ thin films by plasma-enhanced chemical vapour deposition (PECVD) using trimethyl-aluminium (TMA) as the Al precursor at low temperatures. The thin films were deposited on Si substrates. The composition and the bonding structure of the amorphous $Al_2O_3$ films were studied using Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), Ellipsometer and UV-visible Spectrophotometer and MOCON.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2004.08a
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• pp.44-47
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• 2004

Fabrication of barrier layer on PES substrate and plastic OLED device by atomic layer deposition are carried out. Simultaneous deposition of 30nm of $AlO_x$ film on both sides of PES gives film MOCON value of 0.0615g/$m^2$.day (@38$^{\circ}C$, 100% R.H). Introduction of conformal $AlO_x$ film by ALD resulted in enhanced barrier properties for inorganic double layered film including PECVO $SiN_x$. Preliminary life time to 91% of initial luminance (1300 cd/$m^2$ ) for 100nm of PECVD $SiN_x$/30nm of ALD $AlO_x$ coated plastic OLED device was 260 hours.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2002.08a
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• pp.746-749
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• 2002

Aluminum oxide thin films were grown on a poly ethylene naphthalate (PEN) substrate at the temperature of 100$^{\circ}C$ using atomic layer deposition method. The film showed very flat morphology and good adhesion to the substrate. The visible spectrum showed higher transmittance in the range from 400 nm to 800 nm than that of PEN. The water vapor transmission value measured with MOCON for 230nm oxide-deposited PEN was 0.62g/$m^2$/day @ 38$^{\circ}C$, while that of PEN substrate was 1.4g/$m^2$/day @ 38$^{\circ}C$.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.26-26
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• 2014

식품포장재용 SiNx 박막을 합성하였다. SiNx 박막은 박막이 투명하고 낮은 투습도를 가지고 있어 식품포장재뿐 아니라 유기소자디스플레이에서도 활발히 연구되고 있다. 이 연구에서는 SiNx 박막을 PECVD를 통한 저온 공정으로 PET 기판 위에 합성하여 높은 투과도를 가지며 낮은 투습도를 갖는 박막을 합성하였다. 박막 합성 중의 플라즈마 특성을 알아보기 위해 Optical Emission Spectroscopy (OES)를 통한 플라즈마 진단을 하였으며, 박막의 특성을 알아보기 위해 FT-IR, UV-visible, MOCON 테스트 등을 하였으며, $7.6{\times}10^{-3}g/m^2/day$의 투습도를 갖는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1398-1399
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• 2006

현재 상용화된 OLED 소자는 최대 단점인 수분 취약성의 원인으로 top emission과 flexible 타입으로 제조되는데 장애가 되고 있다. 따라서 top emission 방식과 flexible한 소자를 실현하기 위해 수분 및 산소 침투를 방지하기 위한 유전체 막의 실험이 진행되고 있는데, 본 실험에서는 기존의 PECVD보다 plasma의 density가 높은 HDP(High Density Plasma)-CVD를 사용해 SiOx 및 SiNx 유전체 film을 증착하였고 MOCON 테스트를 통한 수분침투 방지막으로써의 가능성을 검증하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.11a
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• pp.33-34
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• 2007

DLC를 포함한 탄소 박막은 우수한 특성으로 인해 세계적으로 많은 연구들이 진행 되고 있다. 본 연구에서는 탄소 박막의 산소 및 수분 차단 특성 및 광투과율의 특성과 플라즈마 변수와의 상관관계를 규명 하고자 하였으며, 이러한 상관관계를 Langmuir probe, UV-spectroscopy, MOCON 의 분석기구를 통하여 플라즈마 변수와 박막의 특성을 분석 하였으며, 수분 투과도는 4g/m$^2$/day까지 감소하는 결과를 얻었다.

• Proceedings of the Korean Society for Agricultural Machinery Conference
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• 2017.04a
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• pp.100-100
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• 2017

2016년부터 중국에 수출한 진공포장 쌀이 진공이 풀려 중국 현지 소비자들에게 품질에 대한 신뢰저하로 외면 받아 판매에 어려움을 겪었다. 진공풀림 원인은 주로 포장재의 모양, 과열 열접착 및 운송 중 부주의 등을 들 수가 있다. 따라서 본 연구에서는 쌀 진공포장 후 진공 풀림현상이 발생되는 원인을 분석하고, 진공포장에 적절한 포장재 및 취급조건에 대해 구명하여, 중국 쌀 수출 시 품질신뢰도 및 경쟁력 제고로 쌀 수출 확대를 위해 진공 포장재, 진공포장기술 및 운송 취급 방법을 제시하고자 하였다. 미곡종합처리장에서 사용하고 있는 플라스틱 필름 포장재의 적합 여부를 살펴보기 위하여 산소투과도 및 투습도를 산소투과도 측정장치(OX-Tran Model 2/61, Mocon, USA), 투습도 측정장치(Permatran-W Model 3/33, Mocon, USA)를 이용하여 측정하였다. 적정 열접착 온도를 구명하기 위하여 열접착 작업시간 간격 3, 5, 10초 3수준으로 하고 가열시간을 0.2초~2초까지 9수준으로 설정하여 포장필름을 열접착한 후 접착상태를 조사하였다. 진공 포장된 쌀을 골판지상자에 2차 포장하여 운송할 때 진공풀림 현상이 발생 여부를 조사하기 위해 가상 운송시험을 진동시험 장치를 이용하여 수직 및 수평으로 진동시험을 수행하였으며, 또한 취급조건에 따라 진공풀림을 조사하기 위하여 골판지 상자단위, 비닐포장 단위로 50, 70, 90cm 높이에서 낙하 시험을 하고 진공풀림여부를 조사하였다. 유통 중인 쌀 진공 포장재는 나이론(nylon)+선형저밀도폴리에틸렌(LLDPE) 복합필름으로 산소투과도가 $30{\sim}70cc/m^2{\cdot}day$, 투습도가 $2{\sim}4.5g/m^2{\cdot}day$로 산소투과도 및 투습도가 충분히 낮아 진공포장재로 적합했으며, 적정 열접착온도 조건은 $130{\sim}150^{\circ}C$에서 1~1.5초가량 가열해야 되는 것으로 조사되었다. 진동시험 및 낙하시험결과, 골판지박스 포장 시 완충재를 사이에 넣은 경우 진골풀림이 적었고, 상자단위나 비닐포장단위 모두 가능한 50cm보다 높은 곳에서 낙하충격을 받지 않도록 취급해야 할 것으로 판단되었다.