• 전기전자학회논문지
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• 제28권1호
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• pp.33-37
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• 2024

본 논문에서는 0.25 ㎛ 게이트 길이를 갖는 GaN HEMT 기술을 사용하여 개발한 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC의 특성을 기술한다. 개발된 GaN 기반 X-대역 저잡음 증폭기 MMIC는 9 GHz ~ 10 GHz의 동작 주파수 대역에서 22.75 dB ~ 25.14 dB의 소신호 이득과 1.84 dB ~ 1.94 dB의 잡음지수 특성을 나타내었다. 입력 반사 손실 특성과 출력 반사 손실 특성은 각각 -11.36 dB ~ -24.49 dB, -11.11 dB ~ -17.68 dB를 얻었으며 40 dBm (10 W)의 입력 전력에 성능 열화 없이 정상적으로 동작하였다. MMIC의 크기는 3.67 mm × 1.15 mm이다. 개발된 GaN 기반 저잡음 증폭기 MMIC는 X-대역의 다양한 응용에 적용 가능하다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.641-644
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• 1998

In this paper, wideband MMIC LNA's were designed using low Q matching network. gains of 23.6~25.4dB $(24.5\pm0.9dB),$ noise figures of 0.9~2.8 dB were obtained from the designed wideband MMIC LNA in the frequency ranges of 1.2~2.8㎓. And, P1dB of 10.13 dBm, IP3 of 12.25 dB were obtained at the center frequency of 2 ㎓. A chip size of the designed wideband MMIC LNA is 1.4mm$\times$1.4mm.

• 한국ITS학회 논문지
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• 제6권1호
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• pp.38-46
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• 2007

본 논문에서는 평면형 MMIC 공진기를 이용하여 X대역에서 동작하는 낮은 위상잡음 특성의 HBT 발진기를 설계하였다. 제안한 공진기는 기존의 분포소자를 이용한 헤어핀 공진기 면적의 1/4 수준으로 크기를 소형화를 하였다. 발진기의 측정결과 발진주파수는 8.295 GHz, 출력전력은 4.8 dBm, 위상잡음은 100 kHz 옵셋 주파수에서 -106.8 dBc/Hz와 1 MHz 옵셋 주파수에서 -121.7 dBc/Hz를 보였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권3호
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• pp.283-288
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• 2004

We have fabricated MIM capacitors for MMIC applications, with capacitances as high as 600pF/$\textrm{mm}^2$ and excellent electrical properties of the insulator layer. Silicon nitride thin film is the desirable material for MMIC capacitor fabrication. Standard MIM capacitance in MMIC is 300pF/$\textrm{mm}^2$ with an insulator layer thickness of more than 2000$\AA$. However, capacitors with thin insulator layers have breakdown voltages as low as 20V. We have deposited insulator layers by PECVD in our MIM structure with an air bridge between the top metal and the contact pad. The PECVD process was optimized for fabricating the desired capacitors to be used in MMIC. Silicon nitride(Si$_{x}$N$_{y}$) thin films of about 1000$\AA$ thick show capacitances of about 600pF/$\textrm{mm}^2$, and breakdown voltages above 70V at 100nA.A.A.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제8권2호
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• pp.67-73
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• 2008

Reconfigurable radio technology is needed to reconstruct frequency and modem functionality, which can be different within various regions. In addition, it makes it possible for a single mobile handset to support various standards of wireless communication, and thus plays a key role inmobile convergence. A MMIC VCO(Monolithic Microwave Integrated Circuit Voltage Controlled Oscillator) has been developed to produce high power and wide bandwidth that adapts the Clapp-Gouriet type oscillator for series feedback. We were fabricated based on the 0.15um pHEMT from TRW. The MMIC VCO was connected to an alumina substrate on the carrier for testing. This MMIC VCO module shows good performance when compared with existing VCOs. Futhermore, it has potential as a reconfigurable MMIC VCO for ubiquitous communications such as LMDS (Local Multipoint Distribution Service), VSAT, Point to Point Radio and SATCOM.

• 항공우주기술
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• 제7권1호
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• pp.121-128
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• 2008

이동 통신 및 위성 통신 분야에 있어서 무선 통신 기술 분야는 무선 환경에서 신호를 보내고 받는 기능을 수행하는 중요한 분야이다. 이러한 무선 통신 분야에서 송수신한을 구성하는 송수신 부품은 RF 시스템의 성능을 좌우한다. 따라서 위성 통신 분야에 있어서 신뢰성을 획득하기 위해서는 고집적화와 소형화를 통한 경쟁력 확보가 필수적인데 이를 위한 기술이 MMIC 이다. MMIC란 RF 부품을 설계하고 제작하는 기술로서 본 논문은 MMIC 기술에 대한 소개와 위성 분야에서의 기술적인 동향과 전망을 기술하고 있다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.637-640
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• 1998

A 35 ㎓ GaAs MMIC power amplifier was designed using a monolithic technology with AlGaAs/InGaAs/GaAs power PM-HEMTs, rectangualr spiral inductors and Si3N4 MIM capacitors. The GaAs power MESFETs in the input and output stages have total gate widths of 120 um and 320 um, respectively. Total S21 gain of 10.82dB and S11 of -16.26 dB were obtained from the designed MMIC power amplifier at 35 ㎓. And the chip size of the MMIC amplifier was 1.4$\times$0.8 $\textrm{mm}^2$

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.327-330
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• 1998

A 2watts MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuits) SSPA(Solid State Power Amplifiers) for 20GHz band communication systems has been designed, manufactured and measured. The 0.15um pHEMT technologywith the gate size of 400um for single device was used for the fabrication of MMIC Power Amplifier chips. The precision MIC patterns for the peripherals like power combiner/divider and microstrip lines were realized using hard substrate for gold wire/ribbon bonding. The measured data shows that this MMIC SSPA has the linear gain of 18dB, output power of 33.42dBm(2.2Watts)at 20~21GHz.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 1998년도 추계종합학술대회 논문집
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• pp.319-322
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• 1998

A 20 GHz 2-stage MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuits) LNA(Low Noise Amplifiers) has been designed. The pHEMT with gate length of 1.15 um has been used to provide ultra low noise and high gain amplification. Series and Shunt feedback circuits were interted to ensured high stability over frequency range of DC to 60 GHz. The size of designed MMIC LNA is 2285um x 2000um(4.57mm2). The simulated noise figure of MMIC LNA is less than 1.7 dB over frequency range of 20 GHz to 21 GHz.

• 전자통신동향분석
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• 제9권1호
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• pp.123-134
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• 1994

GaAs 칩의 저가격, 고성능, 다기능화에 따라 상용 및 군사용 MMIC와 밀리미터파 IC의 이용이 증대되고 있다. 현재 항공 우주, 군용 시장을 지배하는 소량, 고기능의 IC에서 통신 및 차량용의 대량 생산, 저가격으로 이동되고 있다. MMIC의 개발을 위해서는 넓은 영역의 실장 및 interconnection 기술 개발이 선행되어야 한다. 본 고는 MMIC의 실장시 문제점과 해결 방안 등에 관한 내용을 포함하고 있다.