순천시 와온마을 일대에는 해발고도 8.3m의 단구가 발달하고 있다. 단구면 내부에는 여러 단의 원력층 (4.3m, 5.8m, 6.3m) 뿐만 아니라 현재와는 다른 환경에서 퇴적된 사질층을 포함하고 있어 과거 해수준에 대한 추정과 함께, 형성 당시의 기후 환경적 특색을 파악할 수 있다. 이를 파악하기 위해 단면기술, 입도분석, XRD, 박편분석을 시도하였으며, 다른 지역과의 비교를 통해 상대적인 편년을 추정하였다. 분석결과 와온단면은 최후간빙기(MIS 5)보다는 좀 더 근자에 형성되었을 것으로 추정되며, 이 시기에 다양한 토양학적 특징을 형성한 것으로 보인다.
A borehole core ECSDP-102 (about 68.5 m long) has been investigated to get information on paleoenvironmental changes in response to the sea-level fluctuations during the period of late Quaternary. Several AMS $\^$14/C ages show that the core ECSDP-102 recorded the depositional environments of the northern East China Sea for approximately 60 ka. The Yangtze River discharged huge amounts of sediment into the northern East China Sea during the marine isotope stage (MIS) 3. In particular, $\delta$$\^$13/Corg values reveal that the sedimentary environments of the northern East China Sea, which is similar to the Holocene conditions, have taken place three times during the MIS 3. It is supported by the relatively enriched $\delta$$\^$13/Corg values of -23 to -21$\textperthousand$ during the marine settings of MIS 3 that are characterized by the predominance of marine organic matter akin to the Holocene. Furthermore, we investigated the three Holocene sediment cores, ECSDP-101, ECSDP-101 and YMGR-102, taken from the northern East China Sea off the mouth of the Yangtze River and from the southern Yellow Sea, respectively. Our study was focused primarily on the onset of the post-glacial marine transgression and the reconstructing of paleoenvironmental changes in the East China Sea and the Yellow Sea during the Holocene. AMS $\^$14/C ages indicate that the northern East China Sea and the southern Yellow Sea began to have been flooded at about 13.2 ka BP which is in agreement with the initial marine transgression of the central Yellow Sea (core CC-02). $\delta$$\^$18/O and $\delta$$\^$13/C records of benthic foraminifera Ammonia ketienziensis and $\delta$$\^$13/Corg values provide information on paleoenvironmental changes from brackish (estuarine) to modem marine conditions caused by globally rapid sea-level rise since the last deglaciation. Termination 1 (T1) ended at about 9.0-8.7 ka BP in the southern and central Yellow Sea, whereas T1 lasted until about 6.8 ka BP in the northern East China Sea. This time lag between the two seas indicates that the timing of the post-glacial marine transgression seems to have been primarily influenced by the bathymetry. The present marine regimes in the northern East China Sea and the whole Yellow Sea have been contemporaneously established at about 6.0 ka BP. This is strongly supported by remarkably changes in occurrence of benthic foraminiferal assemblages, $\delta$$\^$18/O and $\delta$$\^$13/C compositions of A. ketienziensis, TOC content and $\delta$$\^$13/Corg values. The $\delta$$\^$18/O values of A. ketienziensis show a distinct shift to heavier values of about 1$\textperthousand$ from the northern East China Sea through the southern to central Yellow Sea. The northward shift of $\^$18/O enrichment may reflect gradually decrease of the bottom water temperature in the northern East China Sea and the Yellow Sea.
최근 선박 대형화 추세가 급격하게 진전된 반면 국내 무역항의 수역시설 조건은 과거와 동일하여 특정 항로에서의 해상교통 혼잡이 발생할 개연성이 매우 높다. 국내항의 해상교통혼잡도를 평가하기 위해 사용하는 표준 선박길이는 70 m로, 30년 전부터 현재까지 그대로 사용하고 있어 이에 대한 검토가 시급하다. 본 연구에서는 국내 Port-MIS 데이터베이스에 저장된 60,000여척 선박 주요 제원을 기반으로 선박 대형화 추세를 분석하고, 최근선박의 총톤수와 선박 길이와의 상관함수를 이용해 선박 대형화가 반영된 표준 선박길이를 제안하였다. 또한 최근 5년간 국내 무역항 이용 선박에 대한 톤수별 척수를 기초로 소형선을 제외한 누적 빈도수가 50 % 이상 차지하는 기준점을 도출해 국내항의 표준 선박길이를 제안하였고, 각 표준 선박길이는 국내 무역항의 특성을 고려하여 적용할 필요가 있다.
The effects of sulfur treatments on the barrier heithts of Schottky contacts and the interface-state density of metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors on InP have been investigated. Schottky contacts were formed by the evaporation of Al, Au, and Pt on n-InP substrate before and after (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatments, respectively. The barrier height of InP Schottky contacts was measured by their current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C_V) characteristics. We observed that the barrier heights of Schottky contacks on bare InP were 0.35~0.45 eV nearly independent of the metal work function, which is known to be due to the surface Fermi level pinning. In the case of sulfur-treated Au/InP ar Pt/InP Schottky diodes, However, the barrier heights were not only increased above 0.7 eV but also highly dependent on the metal work function. We have also investigated effects of (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatments on the distribution of interface states in Si$_{3}$N$_{4}$InP MIS diodes where Si$_{3}$N$_{4}$ was provided by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The typical value of interface-state density extracted feom 1 MHz C-V curve of sulfur-treated SiN$_{x}$/InP MIS diodes was found to be the order of 5${\times}10^{10}cm^{2}eV^{1}$. This value is much lower than that of MiS diodes made on bare InP surface. It is certain, therefore, that the (NH$_{4}$)$_{2}$S$_{x}$ treatment is a very powerful tool to enhance the barrier heights of Au/n-InP and Pt/n-InP Schottky contacts and to reduce the density of interface states in SiN$_{x}$/InP MIS diode.
In MIS capacitor structure, we have studied the electrical properties in Ammonium Sulfide solution treatment while AIN thin film as a insulator is being formed by reactive sputtering method. The deposition process conditions of AIN thin film we temperature $250^{\circ}C$, DC Power 150 W, pressure 5 mTorr and 8 sccm(Ar : 4 sccm, $N_{2}$ : 4 sccm). The surface of GaAs was treated with Ammonium Sulfide solution, it was shown the leakage current was less than $10^{-8}\;A/cm^{2}$. The deep depletion phenomena of inverse area with treating Ammonium Sulfide solution in C-V analysis was improved as compared the condition of without Ammonium Sulfide solution and hysteresis property as well.
본 연구는 전통적 기업인 코오롱글로텍(주)의 인터넷을 이용한 비즈니스 변환(e-Transformation) 과정에 대한 사례 분석을 통해 e-비즈니스 환경에서의 비즈니스 프로세스 재설계 및 비즈니스 네트워크 재설계 방안을 도출하였다. 본 연구에서 제시된 전통적 기업의 e-Transformation 수행 방안은 다음과 같다. 1) 네트워크지향적인 비즈니스 프로세스 재설계; 2) e-비즈니스의 백 본(Backbone)으로서 ERP(Enterprise Resource Planning) 시스템 구축 운용; 3) 공유 데이터 베이스(Shared Database)를 이용한 비즈니스 기능의 투명성(Transparence) 확보; 4) 고객에 대한 이해 제고를 통한 고객만족 지향적 정보기술(IT) 인프라 구축; 5) 데이터 및 업무 표준화 추진; 6) JSP(Java Server Pages)와 VPN(Virtual Private Network)과 같은 최적의 정보기술 사용 등이다. 본 연구의 결과는 전형적인 전통적 기업의 전자적 조직 변환(e-Transformation) 추진의 업무지침으로 활용될 수 있을 것이며, 향후 전통적 기업의 e-Transformation 수행과 관련된 이론 개발에 유용한 근거자료로 활용될 수 있을 것이다.
The Yeongdeok 53m marine terrace (Y53mT), Y43mT, Y33mT, Y24mT, Y19mT and Y11mT distributed along the Yeongdeok coast, southeastern Korean Peninsula are well compared with the thalassostatic terraces of the high terrace 1 (ℓHT1 ; 51m of the relative heights from the river floor), high terrace 2 (ℓHT2 ; 43m), middle terrace 1 (ℓMT1 ; 32m), middle terrace 2 (ℓMT2 ; 25m), lower terrace 1 (ℓLT1 ; 18m) and lower terrace 2 (ℓLT2 ; 10m) respectively, developed along the lower reaches of the Chucksan-cheon and Obo-cheon rivers, judging from the comparison of paleosols (red soils) between the above marine and thalassostatic terraces. Using the Y19mT of the MIS 5e as the key surface, we propose that the terraces of the Y53mT and ℓHT1, Y43mT and ℓHT2, T33mT and ℓMT1, Y24mT and ℓMT2, Y19mT and ℓLT1, and Y11mT and ℓLT2 have been formed at the MIS 11, 9, 7e and 7a (or 7a), 5e and 5a respectively. The red soils have been developed at the Y19mT and ℓLT1 and above them, but not on the Y11mT and ℓLT2 surfaces.
The effect of $NH_3$ plasma treatment on device characteristics was confirmed for an optimized thin film transistor of poly-Si formed by ELA. When C-V curve was checked for MIS (metal-insulator-silicon), Dit of $NH_3$ plasma treated and MIS was $2.7{\times}10^{10}cm^{-2}eV^{-1}$. Also in the TFT device case, it was decreased to the sub-threshold slope of 0.5 V/decade, 1.9 V of threshold voltage and improved in $26cm^2V^{-1}S^{-1}$ of mobility. Si-N and Si-H bonding reduced dangling bonding to each interface. When gate bias stress was applied, the threshold voltage's shift value of $NH_3$ plasma treated device was 0.58 V for 1,000s, 1.14 V for 3,600s, 1.12 V for 7,200s. As we observe from this quality, electrical stability was also improved and $NH_3$ plasma treatment was considered effective for passivation.
본 연구는 낙찰가율에 영향을 미치는 용역계약에 대한 요인을 나라장터의 사례를 중심으로 분석하는 것을 목적으로 한다. 연구에서 발주기관과 입찰자가 광범위한 나라장터에서 낙찰가율에 영향을 주는 용역계약을 분석함으로써 기존 연구와의 차별성을 살펴보았다. 분석모형으로 낙찰가율 영향 요인으로 예산액, 계약 방법, 공고 일수, 낙찰 방법, 낙찰 하한률 등 5개의 독립변수를 활용하였다. 조사분석은 지난 18년간 나라장터 용역입찰건에 대한 데이터를 텍스트 마이닝을 이용하여 빅데이터를 수집하고 다차원적인 방법으로 데이터를 분석하였다. 분석 결과 첫째, 예산액은 낙찰가율을 결정하지 않는다. 다만 소액의 경우에는 그러하지 아니하였다. 둘째, 계약 방법은 낙찰가율에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 셋째, 공고 일수가 길어질수록 낙찰가율이 감소하고 있다. 넷째, 낙찰 방법은 낙찰가율에 영향을 미치고 있다. 다섯째, 낙찰 하한률은 낙찰가율을 결정하고 있다. 본 연구는 낙찰가율에 영향을 미치는 요인에 대한 실증분석 결과를 토대로 정책적 시사점을 찾고자 하였다.
고온 급속 열처리시킨 LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조를 이용하여 MFIS 소자를 제작하고, 비휘발성 메모리 동작 가능성을 확인하였다. 고유전율 AIN 박막 위에 Pt 전극을 증착시켜 제작한 MIS 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성곡선에서는 히스테리시스가 전혀 없고 양호한 계면특성을 보였으며, 축적 영역으로부터 산출한 비유전율 값은 약 8 이었다. Pt/LiNbO₃/AIN/Si(100) 구조에서 측정한 1MHz C-V 특성의 축적영역에서 산출한 LiNbO₃ 박막의 비유전율 값은 약 23 이었으며, ±5 V의 바이어스 범위 내에서의 메모리 윈도우는 약 1.2 V이었다. 이 MFIS 구조에서의 게이트 누설전류밀도는 ±500 kV/cm의 전계 범위 내에서 10/sup -9/ A/㎠ 범위를 유지하였다. 500 kHz의 바이폴러 펄스를 인가하면서 측정한 피로특성은 10/sup 11/ cycle 까지 초기값을 거의 유지하는 우수한 특성을 보였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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