1 |
O. F. Sankey, R. E. Allen, S. F. Ren, and J. D. Dow, J. Vac. Sci. Technol., Vol. B3, p. 1162, 1985
|
2 |
S. Ren and R. E. Allen, Solid State Commun., Vol. 64, p. 589, 1987
DOI
ScienceOn
|
3 |
H. J. Kang, Y. M. Moon, T. W. Kang, J. Y. IEEm, J. J. IEE, and D. S. Ma, J. Vac. Sci. Technol., Vol. A7, p. 3251, 1989
|
4 |
J. A. Van Vechten andJ. F. Wager, J. Appl. Phys., Vol. 57, p. 1653, 1985
|
5 |
L. M. Terman, 'An investigation of surface states at a silicon/silicon dioxide interface employing metal-oxide-silicon diode', Solid State Electron, Vol. 5, p. 258, 1962
|
6 |
L. Wei, S. Tanigawa, H. Oigawa, and Y. Nannichi, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 30, p. L138, 1991
DOI
|
7 |
W. E. Spicer, Z. L-Weber, N. Newman, T. Kendelewieg, R. Cao, C. M cCant, P. Masowald, and K. Miyano, J. Vac. Sci. Technol., Vol. B6, p. 1245, 1988
|