• 전자공학회논문지D
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• 제35D권10호
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• pp.67-75
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• 1998

본 논문에서는 MCM 배선의 특성 임피던스를 제어하는 마이크로스트립의 기하학적 변수에 대해 조사하였고, 50MHz 주파수와 비교하여 500 MHz 주파수에서 전송감쇠, 전송지연, 누화 등을 계산하여 배선의 실제적인 요구조건으로 MCM-L과 MCM-D 배선의 임계길이를 평가하였다. 특성 임피던스 50 을 갖는 MCM-L 과 MCM-D 배선의 실례를 통해, 마이크로스트립의 특성 임피던스를 제어하는데 가장 중요한 변수는 유전체의 두께와 배선의 폭임을 알 수 있었다. 특히, 배선밀도가 높은 MCM-D의 유전체 두께는 적어도 2 m 이내에서 제어되어야 한다. 500 MHz 주파수에서 MCM 배선의 전송감쇠는 문제가 되지 않으나 전송지연은 심각하여 배선과 부하와의 임피던스 정합이 필수적임을 알 수 있었다. MCM-D 배선은 인접배선이 오동작할 만큼 누하가 발생하지 않는데 비하여 MCM-L 배선은 심한 누하로 MCM 기판으로 사용이 불가능할 것으로 판단되었다. 마지막으로, 500 MHz의 고속 MCM 기판 설계에서는 전송선 거동에 대한 연구가 필요한 것을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제5권2호
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• pp.13-20
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• 1998

고속 디지털 MCM 응용을 위해 MCM-D 와 MCM-SLC 배선에서 CMOS 버퍼의 신호상승시간에 따른 신호전송특성을 연구하였다. 고속신호처럼 버퍼의 내부저항이 배선의 임피던스보다 작아 발생하게 되는 과도한 ringing은 MCM-D와 같이 lossy line의 전송감쇠 효과로 overshooting 이나 undershooting을 줄일 수 있지만 ringing에 의한 신호왜곡을 근 본적으로 막기위해서는 CMOS버퍼와 배선사이에 적절한 종단을 통해 임피던스 비해 크면 배선의 캐패시턴스에 의해 RC 지연이 증가한다. 그런데 MCM-D 배선은 단위길이당 캐패 시턴스도 작고 배선길이를 줄일수 있으므로 총 RC 지연은 MCM-SLC보다 작았다. 결론적 으로 MCM-D 배선이 MCM-SLC 배선에 비해 고속 디지털 MCM기판으로 적합한 것을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제7권3호
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• pp.31-36
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• 2000

RF(radio Frequency)용 MCM(Multichip Module)-D 기판 내장형 인덕터를 개발하였다. MCM 기술은 고밀도 패키징 기술로서 주로 디지털회로에 많이 적용되어 왔으나, 최근에는 아날로그회로 및 디지털회로가 혼재된 혼성신호 및 초고주파 회로에도 적용되고 있다. 혼성신호에서는 능동소자 주변에 많은 수의 수동소자가 연결되므로 MCM-D 기판에 수동소자를 내장시키면 원가절감과 시스템의 크기 축소 및 경량화를 이를 수 있을 뿐 아니라, 성능과 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 본 논문에서 MCM-D 기판은 Cu/감광성 BCB(Benzocyclobutene)를 각각 금속배선 및 절연막 재료로 사용하였고, 금속배선은 Ti/Cu를 각각 1000 $\AA$/3000 $\AA$으로 스퍼터한 후 fountain 방식으로 전기 도금하여 3 $\mu\textrm{m}$ Cu를 형성하였으며, 인덕터는 coplanar구조로 하여 기존의 반도체 공정을 이용하여 MCM-D기판에 인덕터를 안정적으로 내장시키고 전기적 특성을 측정하였다.

• 폴리머
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• 제29권2호
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• pp.122-126
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• 2005

Al-MCM-41의 제조방법이 선형 저밀도 폴리에틸렌(LLDPE)의 촉매 분해 활성에 어떠한 영향을 주는지 조사하였다 이를 위해 Al-MCM41은 직접 합성법(Al-MCM41-D)과 후처리법(Al-MCM-41-P)의 두 가지 방법으로 제조되었으며, XRD, BET, $NH_3\;TPD,\;^{27}Al$ MAS NMR 등을 이용하여 이들 촉매 특성을 규명하였다. TGA 동역학 방법을 사용하여 Al-MCM-41-D와 Al-MCM-41-P의 LLDPE촉매 분해 활성화 에너지를 구한 결과 각각 197.54, 174.26 kJ/mol로 나타났다. 이처럼 시-MCM-41-P가 시-MCM-41-D보다 촉매 활성이 높은 이유는 접근 가능한 산점수가 훨씬 많고 상대적으로 기공 크기도 작은 것에 기인한 것으로 여겨진다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제5권2호
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• pp.7-12
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• 1998

감광성 BCB를 사용한 MCM-D기판에 신뢰성있는 비아형성을 위하여 BCB의 공정 특성과 C2F6를 사용한 플라즈마 cleaning 영향을 분석하였다. 절연막, 금속배선재료로 각각 감광성 BCB, Cu를 사용하여 MCM-D 기판을 제작 분석한 결과 BCB는 soft bake 후 초기 두께의 50%정도 두께 손실이 있었으며 해상도는 15um이었다. BCB층에 비아 형성후 C2F6 가스로 플라즈마 cleaning 하고 AES로 비아표면을 분석한 결과 유기물 C는 검출되지 않은 반면 플라즈마 cleaning을 하지 않은 비아를 분석한 결과 유기물 성분의 C가 많이 검출되었 고 Ar 스퍼터에 의해서도 완전히 제거되지 않았다. 따라서 감광성 BCB를 절연막으로 사용 한 MCM-D 기판 제작공정에서 비아 형성후 C2F6를 이용한 플라즈마 cleaning의 필요성을 확인하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제4권2호
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• pp.25-32
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• 1997

대용량, 고속 정보처리가 요구되는 System의 모듈은 Data 처리의 고속성 및 회로의 고집적이 가능한 MCM의 형태로 구현되어 ATM, GPS 및 PCS 등의 분야에 광범위하게 응 용되고 있다. 위와 같은 High Speed 응용분야에서의 System 성능은 Interconnect Line의 전달지연, 임피던스 부정합에 의한 신호 반사 손실. 신호선 간의 Crosstalk, Ground Bounce 등의 현상에 대한 최적화 여부에 결정적인 영향을 받는다. 그러나 Interconnect의 특성상 정 형이 존재하지 않으므로 추상적인 Library를 구축하는 형식으로 접근할 수밖에 없으며 이를 위하여 여러기본 구조를 정의한후 각 Dimension을 변수로 두고 해석 결과를 합성하여 Database화하는 접근방식이다. 본 논문에서는 MCM-D 공정을 이용하여 Interconnect Line 특성을 분석하고 Database화 하기 위한 Test Pattern을 구현하고 Time Domain reflectometry(TDR)을 이용하여 그특성들을 측정 분석하였다. Test pattern 제작은 MCM-D 공정으로 최소선폭 27$\mu$m, Via Hole 75$\mu$m으로 형성하였고 2 Layer Signal과 GND로 총 3Layer를 구현하였다. 특성분석을 위해 TDR장비와 모데링 및 Simulation S/W인 IPA 510 을 사용하였다. 이를 통해 MCM-D를 이용한 공정에서 Interconcet Line의 고주파 특성을 측정하고 정량화하여 LIbrary를 제작할수 있었다.

• 분석과학
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• 제19권3호
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• pp.211-217
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• 2006

Diphenyl amine (DPA) was polymerized inside the channels of the mesoporous silica (MCM-41). MCM-41 (C) and MCM-41 (D) were prepared with cetyltrimethyl ammonium bromide (CTAB) and dodecyltrimethyl ammonium bromide (DTAB), respectively and used as hosts. Initially, the self assembly of DPA inside the pores of MCM-41 was made in ${\beta}$-naphthalene sulfonic acid (NSA) medium and subsequently poly (diphenylamine), PDPA was formed by oxidative polymerization. $N_2$ adsorption-desorption measurements of PDPA loaded MCM-41 (C) and MCM-41 (D) show variations in pore volume and surface area between them. A tubular form of poly (diphenylamine), PDPA was envisaged to form in the pores of MCM-41 and supported by high resolution transmission microscopy. The presence of PDPA inside the channel of MCM-41 was further confirmed by FTIR spectroscopy, thermogravimetric analysis (TGA), X-ray diffraction.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권9호
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• pp.64-68
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• 2006

본 연구에서는 Si bump를 이용해 기판의 기계적, 열적 특성을 개선한 MCM-D 기판공정을 개발하였고, 이를 system-on-package(SOP)-D개념의 system 구현에 적용하고자 하였다. 이 과정에서 밀리미터파 대역에 적용될 수 있는 필터를 설계하고 구현하여 그 특성을 관찰하였다. 두 가지 형태의 필터를 구현하였는데 첫 번째는 공진기간의 커플링을 이용한 구조로서 2층의 금속층과 3층의 유전체(BCB)를 이용하였다. 구현된 필터 특성은 중심주파수 55 GHz에서의 삽입손실이 2.6 dB이고 군지연이 0.06 ns정도로 우수한 특성을 나타내었다. 또한 일반적으로 알려진coupled line 형태의 필터를 구현하였는데 삽입손실이 3 dB, 군지연이 0.1 ns정도의 특성을 나타내었다. 이렇게 내장형 필터를 포함한 MCM-D 기판은 MMIC를 flip-chip 방법으로 실장 할 수 있어서 집적화된 밀리미터파 대역 초소형 system 구현에 적용되어 우수한 특성을 나타낼 것으로 기대된다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제29권10호
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• pp.1993-1997
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• 2008

In the present work, Diels-Alder reaction of cyclopentadiene with ethylacrylate has been carried out by using two types of mesoporous solid acid catalysts (Al-MCM-41, Al-MCM-48) with different pore structures. The specific topology of Al-MCM-48 (cubic Ia3d structure composed of two independent 3-D channel systems) exhibit higher activity and stereo-control than those of Al-MCM-41 (hexagonal packing of 1-D channels). The physical properties of Al-MCM-48 catalyst, such as high accessibility of reactants to the acid sites, spatial confinement in the nanoscopic reactors, and 3-D channel network structure that are effective adsorption and diffusion of reactants, play a crucial role in the present study.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권4호
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• pp.1-7
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• 1999

MCM-D 기판에 수동소자를 내장시키는 공정을 개발하였다. MCM-D 기판은 Cu/감광성 BCB를 각각 금속배선 및 절연막 재료로 사용하였고, 금속배선은 Ti/cu를 각각 1000$\AA$/3000$\AA$으로 스퍼터한 후 fountain 방식으로 전기 도금하여 3 um Cu를 형성하였으며, BCB 층에 신뢰성있는 비아형성을 위하여 BCB의 공정특성과 $C_2F_6$를 사용한 플라즈마 cleaning영향을 AES로 분석하였다. 이 실험에서 제작한 MCM-D 기판은 절연막과 금속배선 층이 각각 5개, 4개 층으로 구성되는데 저항은 2번째 절연막 위에 thermal evaporator 방식으로 NiCr을 600$\AA$증착하여 시트저항이 21 $\Omega$/sq가 되게 형성하였고. 인덕터는 coplanar 구조로 3, 4번째 금속배선층에 형성하였으며, 커패시터는 절연막으로 PECVD $Si_3N_4$를 900$\AA$증착한 후 1, 2번째 금속배선층에 형성하여 88nF/$\textrm {cm}^2$의 커패시턴스를 얻었다. 이 공정은 PECVD $Si_3N_4$와 thermal evaporation NiCr 공정을 이용함으로써 기존의 반도체 공정을 이용하여 MCM-D 기판에 수동소자를 안정적으로 내장시킬 수 있었다.