AlN thin films were deposited on sapphire substrates and ZnO templates by rf-magnetron sputtering. Powder-sintered AlN target was adopted for source material. Thickness of AlN layer was linearly dependent on plasma power from 50 to 110 W, and it decreased slightly when working pressure increased from 3 to 10 mTorr due to short mean free path of source material sputtered from AlN target by Ar working gas. When $N_2$ gas was mixed with Ar, the thickness of AlN layer decreased significantly because of low sputter yield of nitrogen. AlN layer was also deposited on ZnO template. However, it showed weak thermal stability that the interface between AlN and ZnO was deteriorated by rapid thermal annealing treatment above $700^{\circ}C$. In addition, ZnO layer was largely attacked by MOCVD ambient gas of hydrogen and ammonia around $700^{\circ}C$ through inferior AlN layer deposited by sputtering. And AlN layers were fully peeled off above $900^{\circ}C$.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2014.02a
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pp.162-162
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2014
최근 들어 wearable computing에 대한 수요가 증가하면서 flexible device에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 하지만, flexible device를 구현하기 위해서는 기판의 damage를 줄이기 위한 저온공정, device life-time 향상을 위한 passivation, 와이어 본딩 등 다양한 문제들이 해결 되어야 한다. 이러한 문제들 중, polymer 기판과 금속간의 접착력을 향상시키기 위해서 많은 연구자들은 기판의 표면에 adhesive layer를 도포하거나 금속잉크의 solvent를 변화시키는 등의 연구를 진행해왔다. 종래의 연구는 기존 device를 대체 할 수 있을 정도의 생산성과 polymer 기판에 대한 열 적인 손상 이 문제가 되었다. 종래의 문제를 해결하기 위하여 저온공정, in-line system이 가능한 준 준 대기압 플라즈마를 사용하였다. 본 연구에서는 금속잉크를 Ink-jet으로 jetting하여 와이어 본딩 하는 과정에서 전도성 ink의 선폭을 유지시키고 접착력을 향상하기 위하여 준 대기압 플라즈마 공정을 이용하여 이러한 문제점을 해결하고자 하였다. Polymer 기판 표면에 roughness를 만들기 위해 대략 수백 nm 크기를 갖는 graphene flake를 spray coating하여 마스크로 사용하고 준 대기압 플라즈마를 이용하여 표면을 식각 함으로써 roughness를 형성시켰다. 준 대기압 플라즈마를 발생시키기 위해 double discharge system에서 6 slm/1.5 slm (He/O2) gas composition을 하부 전극에 흘려보내고 60 kHz, 5 kV 파워를 인가하였다. 동시에 상부 전극에는 30 kHz, 5 kV 파워를 인가하여 110초 동안 표면 식각 공정을 진행하였다. Graphene flake mask가 coating되어 있는 유연기판을 산소 플라즈마 처리 한 후 물에 3초 동안 세척하여 표면에 남아있는 graphene flake를 제거하고 6 slm/0.3 slm (He/SF6)의 유량으로 주파수와 파워 모두 동일 조건으로 110초 동안 표면 처리를 하였다. Figure 1은 표면 개질 과정과 graphene flake를 mask로 사용하여 얻은 roughness 결과를 SEM을 이용하여 관찰한 결과이다. 이와 같이 실험한 결과 ink와 기판간의 접촉면적을 늘려주고 접촉 각을 조절하여 Wenzel model 을 형성 할 수 있는 표면 roughness를 생성하였고 표면의 화학적 결합을 C-F group으로 치환하여 표면의 물과 접촉각 이 $47^{\circ}$에서 $130^{\circ}$로 증가하는 것을 확인하였다.
High quality diamond films of the silicon on diamond (SOD) structure are deposited using CO and $H_2$ gas mixture in microwave plasma chemical vapor deposition (CVD), a SOD structure is fabricated using low pressure CVD polysilicon on diamond/ Si(100) substrate. The crystalline structure of the diamond films which composed of { 111} and {100} planes. were changed from octahedral one to cubo-octahedron one as the CO/$H_2$ ratios are increased. The high quality diamond films without amorphous carbon and non-diamond elements were deposited at the CO/$H_2$ flow rate of 0.18. and the main phase of the diamond films shows (111) plane. The diamond/Si(lOO) structure shows that the interface is flat without voids. The measured dielectric constant. leakage current and breakdown field were $5.31\times10^{-9}A/cm^2$ and $9\times{10^7}{\Omega}cm$ respectively.
Shin, D. H.;Choi, W.;Lee, J. H.;Kim, H. J.;Nam, S. E.
Journal of Surface Science and Engineering
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v.31
no.1
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pp.54-62
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1998
In this study, the behaviorof ion nitriding of AISI 304 stainless steel was investigated using plasma ion nitriding system. The characteristics of ion nitriding, and their micsoctrucyures, and physical properties were investigated as a function of process parmeteds. important conclusions can be summarzied as follows. Firstly, it was found that growth of nitride layer in ion nitriding are mainly affected by N2 partial pressures and nitriding temperatures for AISI 304 stainless steel. The $N_2$<\TEX> partial pressure plays on important role in ion nitriding since it determiness the incoming flux of nitrogen species onto specimen surface. Nitriding thmprrature is also important besauseit determines the diffusion rates of nitrogen through nitride layers. While both parameters affects the characteristics rateding are controlled by nitridingen diffusion nitration profiles of N and alloying elements such as Cr and Ni are observed through niride layers. Secondly, nitride layer consists of the upper white laywe having various nitride phases and the underneath diffusion layers. The thickness of white layer increases with $N_2$<\TEX> partial pressures and nitriding temperatures. The thinkness of diffusion layer is increasting nitriding temperatures. Finally, nitriding of stainless steels steel show slighly low their corrsionce prorerties. However, passivation properties, which is normally observed in stainless steels, were still observed aftre ion nitriding.
Park, Chang Joon;Han, Myung Sub;Song, Sun Jin;Lee, Dong Soo
Analytical Science and Technology
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v.15
no.2
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pp.120-126
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2002
The analytical performance of four commercially-available pneumatic nebulizers(Meinhard, Cross-flow, Babington, ESI PFA) was evaluated using inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry (ICP-AES) and ICP-mass spectrometry (ICP-MS) instruments. The performance of an inert concentric nebulizer and a modified conespray nebulizer, made in Korea Research Institute of Standards and Science (KRISS), is compared with that of the four commercial nebulizers. Variation of sample introduction efficiency was investigated as carrier argon pressure and sample uptake rate were changed. Variation of sensitivity, signal stability, blank intensity and oxide/hydride ratios were also studied when the nebulizers were connected to the ICP-MS and ICP-AES instruments. It was found that good analytical result such as high sensitivity, low blank, stable signal and so on can be obtained with judicious selection of the nebulizer depending on the type of sample, sample amount, type of analytical instrument and analyte.
Kim, Il-Jin;Moon, Hock-Key;Lee, Jung-Hun;Jung, Jae-Wook;Cho, Sang-Hyun;Lee, Nae-Eung
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.02a
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pp.459-459
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2012
Recently, the discharge of global warming gases in dry etching process of TFT-LCD display industry is a serious issue because perfluorocarbon compound (PFC) gas causes global warming effects. PFCs including CF4, C2F6, C3F8, CHF3, NF3 and SF6 are widely used as etching and cleaning gases. In particular, the SF6 gas is chemically stable compounds. However, these gases have large global warming potential (GWP100 = 24,900) and lifetime (3,200). In this work, we chose C3F6O gas which has a very low GWP (GWP100 = <100) and lifetime (< 1) as a replacement gas. This study investigated the effects of the gas flow ratio of C3F6O/O2 and process pressure in dual-frequency capacitively coupled plasma (CCP) etcher on global warming effects. Also, we compared global warming effects of C3F6O gas with those of SF6 gas during dry etching of a patterned positive type photo-resist/silicon nitride/glass substrate. The etch rate measurements and emission of by-products were analyzed by scanning electron Microscopy (SEM; HITACI, S-3500H) and Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR; MIDAC, I2000), respectively. Calculation of MMTCE (million metric ton carbon equivalents) based on the emitted by-products were performed during etching by controlling various process parameters. The evaluation procedure and results will be discussed in detail.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.06a
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pp.545-545
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2008
Poly-Si is an essential material for floating gate in NAND Flash memory. To fabricate this material within region of floating gate, chemical mechanical polishing (CMP) is commonly used process for manufacturing NAND flash memory. We use colloidal silica abrasive with alkaline agent, polymeric additive and organic surfactant to obtain high Poly-Si to SiO2 film selectivity and reduce surface defect in Poly-Si CMP. We already studied about the effects of alkaline agent and polymeric additive. But the effect of organic surfactant in Poly-Si CMP is not clearly defined. So we will examine the function of organic surfactant in Poly-Si CMP with concentration separation test. We expect that surface roughness will be improved with the addition of organic surfactant as the case of wafering CMP. Poly-Si wafer are deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) and oxide film are prepared by the method of plasma-enhanced tetra ethyl ortho silicate (PETEOS). The polishing test will be performed by a Strasbaugh 6EC polisher with an IC1000/Suba IV stacked pad and the pad will be conditioned by ex situ diamond disk. And the thickness difference of wafer between before and after polishing test will be measured by Ellipsometer and Nanospec. The roughness of Poly-Si film will be analyzed by atomic force microscope.
Recently, the establishment of a hydrogen-based economy and the utilization of low-carbon energy sources, particularly for shipping and power generation, have been in high demand in order to achieve carbon neutrality by 2050. In particular, ammonia is gaining renewed attention because it is capable of serving as a key facilitator for high-efficiency green hydrogen storage and transportation and it is also capable of serving as a low-carbon energy source. Although ammonia can be synthesized through the Haber-Bosch process, the high energy consumption and carbon emissions associated with this process result in minimal carbon reduction. To address the critical drawbacks of the traditional Haber-Bosch process, various thermochemical synthesis methods have been developed recently, allowing for the synthesis of ammonia with lower carbon emissions and a higher energy efficiency. Research is also progressing in the development of high-performance catalyst materials that are capable of demonstrating sufficient ammonia synthesis performance under milder process conditions compared to conventional methods. Additionally, a variety of different processes such as chemical-looping ammonia synthesis, plasma synthesis, and mechanochemical synthesis are being applied diversely. This review aims to provide a detailed overview of the emerging ammonia synthesis technologies that have been developed to effectively store green hydrogen for future applications.
BACKGROUND/OBJECTIVES: This study was conducted to compare the overall changes in dietary intake and metabolic syndrome risk parameters in Vietnamese marriage-based female immigrants over time. SUBJECTS/METHODS: The subjects of this study were 581 Vietnamese marriage-based female immigrants, who were recruited from local clinical centers in Korea. Baseline data were collected from 2006-2011 and the follow-up data were collected from 2012-2014. Dietary food intake was assessed by a 1-day 24-hour recall method. RESULTS: Compared to the baseline, the mean body weight, body mass index, waist circumference, high density lipoprotein (HDL)-cholesterol, systolic blood pressure and diastolic blood pressure increased while the fasting blood sugar, triglycerides and low density lipoprotein-cholesterol decreased at follow-up. The total consumption of foods such as vegetables/fruits/seaweeds/mushrooms, oil and fat, and eggs decreased during the follow-up period, whereas the consumption of sugars, beverages and meats increased. Partial correlation between the rate of change [(Follow-up - Baseline) / Baseline ${\times}100$] in metabolic syndrome risk parameters and food intake after controlling for confounding factors showed that the waist circumference was positively correlated with either the total plant food intake (r = 0.1042, P = 0.0129) or the total food intake (r = 0.0880, P = 0.0359). The plasma levels of total cholesterol (r = -0.1918, P = 0.0289) and HDL-cholesterol (r = -0.1424, P = 0.0007) were negatively correlated with the percentage of total intake from plant food, and HDL-cholesterol levels were positively correlated with the intake of total animal food (r = 0.0980, P = 0.0217). The serum C-reactive protein levels were positively correlated with the total intake of animal food (r = 0.2374, P < 0.0001) or the percentage of total intake from animal food (r = 0.1346, P = 0.0016). CONCLUSIONS: These results suggest that the change rate of dietary intake such as total plant food or animal food is associated with the change rates of metabolic syndrome risk parameters.
Kim, Tae-Sik;Sun, Kyung;Lee, Kyu-Baek;Park, Sung-Young;Hwang, Jae-Joon;Son, Ho-Sung;Kim, Kwang-Taik;Kim. Hyoung-Mook
Journal of Chest Surgery
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v.37
no.3
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pp.201-209
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2004
Extracorporeal life support (ECLS) system is a device for respiratory and/or heart failure treatment, and there have been many trials for development and clinical application in the world. Currently, a non-pulsatile blood pump is a standard for ECLS system. Although a pulsatile blood pump is advantageous in physiologic aspects, high pressure generated in the circuits and resultant blood cell trauma remain major concerns which make one reluctant to use a pulsatile blood pump in artificial lung circuits containing a membrane oxygenator. The study was designed to evaluate the hypothesis that placement of a pressure-relieving compliance chamber between a pulsatile pump and a membrane oxygenator might reduce the above mentioned side effects while providing physiologic pulsatile blood flow. The study was performed in a canine model of oleic acid induced acute lung injury (N=16). The animals were divided into three groups according to the type of pump used and the presence of the compliance chamber, In group 1, a non-pulsatile centrifugal pump was used as a control (n=6). In group 2 (n=4), a single-pulsatile pump was used. In group 3 (n=6), a single-pulsatile pump equipped with a compliance chamber was used. The experimental model was a partial bypass between the right atrium and the aorta at a pump flow of 1.8∼2 L/min for 2 hours. The observed parameters were focused on hemodynamic changes, intra-circuit pressure, laboratory studies for blood profile, and the effect on blood cell trauma. In hemodynamics, the pulsatile group II & III generated higher arterial pulse pressure (47$\pm$ 10 and 41 $\pm$ 9 mmHg) than the nonpulsatile group 1 (17 $\pm$ 7 mmHg, p<0.001). The intra-circuit pressure at membrane oxygenator were 222 $\pm$ 8 mmHg in group 1, 739 $\pm$ 35 mmHg in group 2, and 470 $\pm$ 17 mmHg in group 3 (p<0.001). At 2 hour bypass, arterial oxygen partial pressures were significantly higher in the pulsatile group 2 & 3 than in the non-pulsatile group 1 (77 $\pm$ 41 mmHg in group 1, 96 $\pm$ 48 mmHg in group 2, and 97 $\pm$ 25 mmHg in group 3: p<0.05). The levels of plasma free hemoglobin which was an indicator of blood cell trauma were lowest in group 1, highest in group 2, and significantly decreased in group 3 (55.7 $\pm$ 43.3, 162.8 $\pm$ 113.6, 82.5 $\pm$ 25.1 mg%, respectively; p<0.05). Other laboratory findings for blood profile were not different. The above results imply that the pulsatile blood pump is beneficial in oxygenation while deleterious in the aspects to high pressure generation in the circuits and blood cell trauma. However, when a pressure-relieving compliance chamber is applied between the pulsatile pump and a membrane oxygenator, it can significantly reduce the high circuit pressure and result in low blood cell trauma.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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