Spinel $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ thin films were synthesized up to x = 0.9 by a sol-gel method employing spin-coating. The Ni-substituted films were found to maintain cubic structure at low x but to exhibit tetragonal structure for $x{\geq}0.6$. Such cubic-tetragonal phase transition indicates that $Ni^{3+}(d7)$ ions with low-spin $(t_{2g}^6,e_g^1)$ state occupy the octahedral sites of the compound, thus being subject to the Jahn-Teller distortion. By x-ray photoelectron spectroscopy both $Ni^{2+}$ and $Ni^{3+}$ ions were detected. Optical properties of the $LiNi_xMn_{2-x}O_4$ films were investigated by spectroscopic ellipsometry (SE) in the visible?ultraviolet range. The measured dielectric function spectra by SE mainly consist of broad absorption structures attributed to charge-transfer (CT) transitions, $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{4+}(3d)$ for 1.9 $(t_{2g})$ and $2.8{\sim}3.0$ eV $(e_g)$ structures and $O^{2-}(2p){\rightarrow}Mn^{3+}(3d)$ for 2.3 $(t_{2g})$ and $3.4{\sim}3.6$ eV $(e_g)$ structures. Also, sharp absorption structures were observed at about 1.6, 1.7, and 1.9 eV, interpreted as due to d-d crystal-field transitions within the octahedral $Mn^{3+}$ ion. The strengths of these absorption structures are reduced by the Ni substitution. Rapid reduction of the CT transition strength involving the eg states for x = 0.6 is attributed to the reduced wavefunction overlap between the $e_g$ and the $O^{2-}(2p)$ states due to the tetragonal extension of the lattice constant by the Jahn-Teller effect.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.7
no.6
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pp.1056-1063
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2006
Thermal evaporated 10 nm-Ni/l nm-Ir/(or polycrystalline)p-Si(100) and 10 nm-$Ni_{50}Co_{50}$/(or polycrystalline)p-Si(100) films were thermally annealed using rapid thermal annealing fur 40 sec at $300{\sim}1200^{\circ}C$. The annealed bilayer structure developed into Ni(Ir or Co)Si and resulting changes in sheet resistance, microstructure, phase and composition were investigated using a four-point probe, a scanning electron microscopy, a field ion beam, an X-ray diffractometer and an Auger electron spectroscope. The final thickness of Ir- and Co-inserted nickel silicides on single crystal silicon was approximately 20$\sim$40 nm and maintained its sheet resistance below 20 $\Omega$/sq. after the silicidation annealing at $1000^{\circ}C$. The ones on polysilicon had thickness of 20$\sim$55 nm and remained low resistance up to $850^{\circ}C$. A possible reason fur the improved thermal stability of the silicides formed on single crystal silicon substrate is the role of Ir and Co in preventing $NiSi_2$ transformation. Ir and Co also improved thermal stability of silicides formed on polysilicon substrate, but this enhancement was lessened due to the formation of high resistant phases and also a result of silicon mixing during high temperature diffusion. Ir-inserted nickel silicides showed surface roughness below 3 nm, which is appropriate for nano process. In conclusion, the proposed Ir- and Co- inserted nickel silicides may be superior over the conventional nickel monosilicides due to improved thermal stability.
Kim, Jong Goo;Lee, Jong Gyu;Kim, Jung Suk;Kim, Seung Soo;Chun, Kwan Sik
Journal of the Korean Chemical Society
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v.41
no.5
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pp.251-255
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1997
Fluorescence spectra and life time of $Eu^{3+}$ ion in borosilicate glass medium are measured. Electronic transitions of $Eu^{3+}$ ion in borosilicate glass medium are found to come from $5D0{\rightarrow}7FJ$(J=0, 1, 2, 3, 4) transitions of SL coupling system in $f^b$ electrons configuration. From the number of Stark sublevels in spetra, crystal field for $Eu^{3+}$ ion is also found to have the symmetric character of low symmetry order, $n{\leq}2$. The fraction and the number of components of life times were varied depending on the composition of $Eu^{3+}$ in borosilicate glasses, from which the binding condition between the $Eu^{3+}$ ion and anionic oxygen of borosilicate glass can be deduced.
Cho, Yong-Kyu;Ha, Seok-Jae;Huxiao, Huxiao;Cho, Myeong-Woo;Choi, Jong Myeong;Hong, Seung-Min
Design & Manufacturing
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v.7
no.1
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pp.55-59
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2013
A Light Emitting Diode(LED) is a semiconductor device which converts electricity into light. LEDs are widely used in a field of illumination, LCD(Liquid Crystal Display) backlight, mobile signals because they have several merits, such as low power consumption, long lifetime, high brightness, fast response, environment friendly. In general, LEDs production does die bonding and wire bonding on board, and do silicon and phosphor dispensing to protect LED chip and improve brightness. Then lens molding process is performed using mixed liquid silicon rubber(LSR) by resin and hardener. A mixture of resin and hardener affect the optical characteristics of the LED lens. In this paper, computational design of static mixer was performed for mixing of liquid silicon. To evaluate characteristic of mixing efficiency, finite element model of static mixer was generated, and fluidic analysis was performed according to length of mixing element. Finally, optimal condition of length of mixing element was applied to static mixer from result of fluidic analysis.
The chemical behavior of the transition metal (Nb4+ and Mo4+) complexes with organoligand (dichloro-bis(η-cyclopentadienyl) has been investigated by the UV/vis-spectrophotometric, magnetic, and electrochemical method. The two or three energy absorption bands are observed by the spectra of these complexes. The magnitude of crystal field splitting energy, the spin pairing energy and bond strength was obtained from the spectra of the complexes. These are found to be delocalization, low-spin state, and strong bonding strength. The magnetic dipolemoment are found to be paramagnetic and diamagnetic complexes. The redox reaction processes of complexes were investigated by cyclic voltammetry in aprotic media. As a result the redox reaction proceses of Nb-C complex was couple-single reaction with diffusion and reaction current one electron process, and also Mo-C complex was couple-single reaction with reaction current of one electron process.
The chemical behaviour of the Eu(Ⅲ) complexes with organic ligands(tris[3-(trifluoromethylhydroxymethylene-camphorato)]) and tris[3-heptafluoropropylhydroxymethylene-camphorato)] has been investigated by the UV/vis-spectrophotometric, magnetic, and electrochemcial methods. The two or three energy absorption bands are observed by the spectra of these complexes. The magnitude of crystal field splitting energy, the spin pair energy and strength were obtained from the spectra of the complexes. These complexes are found to be delocalization, low-spin state, and strong bonding strenth of electron configuration. The magnetic dipolemoment are found to be diamagnetic. The redox reaction processes of complexes were investigated by cyclic voltammetry in aprotic solvent. The redox reaction processes of complexes are turned out to be single or double reaction with respect to one electron diffusion current.
New banana-shaped achiral compounds, 4-chloro-1,3-phenylene bis [4-4(3-fluoro-9-alkenyloxy) phenyl-iminomethylbenzoate]s and 4-chloro-1,3-phenylene bis [4-4-(3-fluoro-10-alkanyloxy) phenyliminomethyl benzoate]s were synthesized by varying the substituent (X=H, F, or Cl); their electrooptical properties are described. The smectic phases, including a switchable chiral smectic C ($SmC^{\ast}$) phase, were characterized by differential scanning calorimetry, polarizing optical microscopy, and triangular method. The presence of vinyl end group at the terminals of linear side wings in the banana-shaped molecules induced a decrease in melting temperature. The smectic phase having the undecenyloxy group such $as-(CH_2)_9CH=CH_2$ showed ferroelectric switching, and its value of spontaneous polarization on reversal of an applied electric field was 2250 $nC/cm^2$, while the value of spontaneous polarization of the smectic phase having the decanyloxy group such as $-(CH2)_9CH_3$ was 3700 $nC/cm^2$. We could obtain the ferroelectric phase with low isotropic temperature by varying the end group at the terminals of linear side wings in the banana-shaped achiral molecules.
A new hybrid silicon thin-film transistor (TFT) fabrication process using the DPSS laser crystallization technique was developed in this study to realize low-temperature poly-Si (LTPS) and a-Si:H TFTs on the same substrate as a backplane of the active-matrix liquid crystal flat-panel display (AMLCD). LTPS TFTs were integrated into the peripheral area of the activematrix LCD panel for the gate driver circuit, and a-Si:H TFTs were used as a switching device of the pixel electrode in the active area. The technology was developed based on the current a-Si:H TFT fabrication process in the bottom-gate, back-channel etch-type configuration. The ion-doping and activation processes, which are required in the conventional LTPS technology, were thus not introduced, and the field effect mobility values of $4\sim5cm^2/V{\cdot}s$ and $0.5cm^2/V{\cdot}s$ for the LTPS and a-Si:H TFTs, respectively, were obtained. The application of this technology was demonstrated on the 14.1" WXGA+(1440$\times$900) AMLCD panel, and a smaller area, lower power consumption, higher reliability, and lower photosensitivity were realized in the gate driver circuit that was fabricated in this process compared with the a-Si:H TFT gate driver integration circuit
The chemical behaviour of Pt(Ⅱ) and Pd(Ⅱ) complexes with the organic ligand tetramethylenesulfoxide(TMSO) has been investigated by UV/vis-spectrophotometric, magnetic, and electrochemical methods. Two energy absorption bands are observed in the spectra of these complexes. The crystal field splitting energy, spin pairing energy, and bond strength were obtained from the spectra of the complexes. The electronic properties of the complexes are found to be delocalized, and low-spin state. The correlation between ligand and metals were strong bonding strength. These complexes are diamagnetics. The redox reaction processes of the complexes were investigated by cyclic voltammetry in an aprotic solvent. The redox processes of complexes turned out to be respect to one-electrton one step. These complexes were considerably diffusion and reaction controlled.
The magnetic polishing is the useful method to finish using magnetic power of magnet. That method is one of precision polishing techniques and has an aim of the clean technology using for the pure of gas and inside of the clean pipe. The magnetic abrasive polishing method is not so common for machine that it is not spreaded widely. There are rarely researcher in this field because of non-effectiveness of magnetic abrasive. Therefore, in this paper deals with development of the magnetic abrasive using Sr-Ferrite. In this development, abrasive grain GC used to resin bond fabricated low temperature. And Sr-Ferrite of magnetic abrasive powder fabricated that Sr-Ferrite was crused into 200 mesh. The XRD analysis result show that only GC abrasive and Sr-Ferrite crystal peaks detected which explains resin bond was not any more chemical reaction. From SEM analysis it is found that GC abrasive and Sr-Ferrite were strong bonding with each other by bond. The magnetic polishing is performed by polishing the surface of pipe by attracting magnetic abrasives with magnetic fields. This can be widely applied for finishing machinery fabrications such as various pipes and for other safety processes. In this paper, we could have investigated in to the changes of the movement of magnetic abrasive grain. In reference to this result, we could have made the experiment which is set under the condition of the magnetic flux density, polishing velocity according to the form of magnetic brush.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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