A computer program for noise analysis of the audio circuit is developed. The application of the program to the equalizer, low frequency amplifier of radio circuit and cascaded amplifier show good results. The general noise analysis method for cascade operational amplifier is presented. The noise spectral power density is calculated for a resonator active filter.
A low-noise pre-amplifier is developed for use in Topographic Brain Mapping system. It consists of signal generator, signal amplifier with a impedance converter, shield driver, body driver, differential amplifier, and isolation amplifier. Pre-amplifier circuit is designed with the concept of isolation and active body and shield driver. This amplifier shows the good noise behavior, high CMRR, high input impedance, low leakage current and high IMRR.
Kim, Seong-Kyun;Cui, Chenglin;Kim, Byung-Sung;Kim, SoYoung
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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v.12
no.4
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pp.426-432
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2012
A fully-integrated low power K-band radar transceiver in 130 nm CMOS process is presented. It consists of a low-noise amplifier (LNA), a down-conversion mixer, a power amplifier (PA), and a frequency synthesizer with injection locked buffer for driving mixer and PA. The receiver front-end provides a conversion gain of 19 dB. The LNA achieves a power gain of 15 dB and noise figure of 5.4 dB, and the PA has an output power of 9 dBm. The phase noise of VCO is -90 dBc/Hz at 1-MHz offset. The total dc power dissipation of the transceiver is 142 mW and the size of the chip is only $1.2{\times}1.4mm^2$.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.9
no.3
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pp.647-653
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2005
According to the design concept of microwave front-end, a low noise amplifier block using HBT cascode topology is proposed to provide high gain and low noise figure with low bias current. We has implemented MMIC-LNA with a modified configuration using inductors to show low noise at the emitter and base of cascoded HBT-MMIC amplifier. The measured performance of the designed MMIC-LNA at 3.7GHz are a gain of 19dB, noise figure of 2.7dB and image rejection of 35dBc using a supply of 3mA and 2.7V. We can convinced that cascoded amplifier block to fulfill a high gain, low noise and image rejection if microwave front-end receiver is designed by cascode MMEC-LNA with the active image rejection filter.
Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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2000.10a
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pp.196-199
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2000
In this paper, we have designed a low-noise amplifier for the down-converter to apply the K-band Mu-kung-hwa satellite downconvertion. We have designed on three-stage to satisfy the property of low-noise amplifier for the down-converter required at least 30dB gain. The simulaition results for the designed three-stage Low-noise amplifier are measured that 33dB, gain and 0.93dB, noise-figure From 19.200 to 20.200, and The experiment results of the fabric are measured that 25dB, gain and 1.5dB, noise-figure. Since Input reflection coefficient and otput resection coefficient are -25dB and -28dB, respectively, and VSWR is lower than 1.5, this amplifier can be used as a low-noise amplifier for the down-converter to apply the K-band Mu-kung-hwa satellite downconvertion.
In this paper, two-stage low noise amplifier(LNA) for S-band is designed and implemented using ATF54143 HEMT of HP CO. In order to get noise figure and input VSWR to be wanted, it is considered input VSWR and noise figure simultaneously in matching-circuit designing. The fabricated two-stage low noise amplifier has the gain of 27.8dB, input VSWR and output VSWR under 1.5.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.31A
no.6
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pp.70-77
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1994
A low noise erbium doped fiber amplifier for optical preamplification has been demonstrated. The amplifier incoporates an optical isolator in its midway to prevent decrease of population inversion at the input port due to backward traveling amplified spontaneous emission. Then, high gain and low noise can be achieved simultaneously. A small signal gain of 34dB and a noise figure of 5.5dB have been achieved. With this amplifier, we obtained a receiver sensitivity of -39.7dBm with back to back configuration and -39.3dBm with 47km normal fiber for 10$^{-9}$BER at 2.5Gbps direct modulated optical signal.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.7
no.7
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pp.1374-1379
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2003
In this paper, twoㆍstage low noise amplifier(LNA) for 24㎓ is designed and fabricated using NE450284C HJ-FET of NEC CO. In order to get noise figure and input VSWR to be wanted it is considered input VSWR and noise figure simultaneously in matching-circuit designing. The fabricated two-stage low noise mph u has the gai of 16.6㏈, input VSWR of 1.6, and output VSWR under 1.5.
In this paper, a small size, $7{\times}6\;mm^2$, Low Noise Amplifier(LNA) using LTCC process was fabricated with multi-layer structure for 2.4GHz wireless LAN. The measured results demonstrate that the bandwidth is 130 MHz, and the operating frequency is from 2.39GHz to 2.52GHz. The power gain is above 7.3 dB in the operating frequency range and the gain flatness is 0.5 dB. The maximum S11 is -4 dB and the maximum S22 is -7.5 dB. The noise figure is less than 1.83 dB. The measured power gain, S11 and S22 were had poorer performance than the simulation results. The reason for this discrepancy is that the input and output matching was not performed exactly. However, the noise figure of the LTCC low noise amplifier is better than simulation result. It is found that it is possible to fabricate a LTCC low noise amplifier in a small size.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea TC
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v.48
no.11
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pp.89-94
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2011
In this paper, we developed the W-band MMIC low noise amplifier for the millimeter-wave seeker using the tuner system. The MHEMT devices for MMIC LNA exhibited DC characteristics with a drain current density of 692mA/mm, an extrinsic transconductance of 726mS/mm. The current gain cutoff frequency(fT) and maximum oscillation frequency($f_{max}$) were 195GHz and 305GHz, respectively. The fabricated W-band low noise amplifier represented S21 gain of 7.42dB at 94 GHz and noise figure of 2.8dB at 94.2 GHz.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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