• 제목/요약/키워드: Low Mode

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Acoustic mode 를 고려한 공동주택 중량충격음 소음해석 (The numerical analysis of heavy-weight impact noise for an apartment houses considering acoustic mode)

  • 문대호;황재승;박홍근;홍건호;임주혁
    • 한국소음진동공학회:학술대회논문집
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    • 한국소음진동공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.394-402
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    • 2009
  • To investigate the heavy-weight impact noise of apartment houses, numerical analysis was performed. The analysis acoustic pressure consider acoustic mode by finite element method. The variables considered effecting on the acoustic pressure are the Acoustic mode, acoustic damping, and the impulse load. The heavy-weight impact noise is a changeable value in the room. Since the most part of the frequency component of heavy-weight impact noise has low frequency. The noise in low frequency is related to the vibration of structure, the reflection of acoustic wave caused by wall and the standing wave called by acoustic mode. The prediction by the numerical analysis was verified with test result of the heavy weight-impact noise at apartment houses.

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모드정합법을 이용한 20GHz 저손실 이중모드 채널여파기 (A 20 GHz low-loss dual - mode channel filter using mode matching method)

  • 정근욱;이재현;유경완;강성춘
    • 전자공학회논문지D
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    • 제34D권10호
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    • pp.53-59
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    • 1997
  • In this paper, we present a 20 GHz low-loss dual-mode channel filter designed by using mode matching method. The performance of dual-mode channel filter mainly depends on iris characteristics. Therefore the exact design of iris is the key point to get good frequncy response of the filter. MOde matching technique is widely used ot design several kinds of waveguide filters because it is simple in theory and can easily calculate the scattering matrices at the discontinuities with simple structure like iris coupled filters. Additionally the effect for finite thickness of the iris in the dual-mode cavity iflter is analyzed by te full-wave method, providing the exact filter implementation without trial and error.

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새로운 상호결합 이득증가형 적분기를 이용한 1.8V 200MHz대역 CMOS 전류모드 저역통과 능동필터 설계 (Design of A 1.8V 200MHz band CMOS Current-mode Lowpass Active Filter with A New Cross-coupled Gain-boosting Integrator)

  • 방준호
    • 전기학회논문지
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    • 제57권7호
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    • pp.1254-1259
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    • 2008
  • A new CMOS current-mode integrator for low-voltage analog integrated circuit design is presented. The proposed current-mode integrator is based on cross-coupled gain-boosting topology. When it is compared with that of the typical current-mirror type current-mode integrator, the proposed current-mode integrator achieves high current gain and unity gain frequency with the same transistor size. As a application circuit of the proposed integrator, we designed the 1.8V 200MHz band current-mode lowpass filter. These are verified by Hspice simulation using $0.18{\mu}m$ CMOS technology.

유도전동기 센서리스 벡터제어를 위한 고피나스 자속관측기의 P/PI 모드 전환 (The P/PI Mode Switching Method of Gopinath Flux Observer for Sensorless Vector Control of Induction Motors)

  • 강명규;최종우
    • 전기학회논문지
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    • 제66권12호
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    • pp.1732-1739
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    • 2017
  • This paper presents a sensorless vector control algorithm of closed loop Gopinath flux observer to enhance the robustness at low speed by switching P/PI mode. Closed loop Gopinath flux observer has the problem in sensorless vector control of induction motor at low speed. This paper solves the problem using the characteristic function of closed loop Gopinath flux observer. P mode shows better performance than PI mode under the cut-off frequency of observer. But P mode always has a flux error due to DC offset, so this paper combines P mode and PI mode. This algorithm shows good performance over wide speed range. The performance has been confirmed through computer simulations using MATLAB SIMULINK and experiments.

표면연소기의 저주파 연소진동음의 특성 (Characteristics of Low-Frequency Combustion-driven Oscillation in a Surface Burner)

  • 한희갑;이근희;권영필
    • 소음진동
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    • 제10권6호
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    • pp.991-997
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    • 2000
  • The objective of this study is to examine the onset condition and the frequency characteristics of the low-frequency combustion oscillation in a surface burner. For this purpose, extensive parametric studies have been performed experimentally and the effects of size of each section, the equivalence ratio, and the entrance velocity on oscillatory behavior explored. The experimental results were discussed in comparison with the other combustors associated tilth the low-frequency combustion oscillation. The combustion mode is driven at high combustion rate by the lift of unstable flame near the lower limit of the combustible equivalence ratio. The oscillation frequency is dependent not on the burner geometry but on the equivalence ratio and the combustion load. Low-frequency combustion mode was formed to be divided into two different modes, named C1 and C2 respectively. Two modes occurred individually, simultaneously or transitionally according to the equivalence ratio and combustion load. The characteristics of low-frequency oscillation is different from each other depending on the type of combustors. The surface burner has also its own characteristics of low -frequency oscillation.

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CMOS 저전압 전류모드 적분기의 이득 및 주파수 특성 개선 (Improvement of Gain and Frequency Characteristics of the CMOS Low-voltage Current-mode Integrator)

  • 유인호;송제호;방준호
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제10권12호
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    • pp.3614-3621
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    • 2009
  • 본 논문에서는 이득 및 주파수 특성이 개선된 CMOS 저전압 전류모드 적분기가 설계되었다. 설계된 전류모드 적분기는 본 논문에서 새롭게 제안한 선형 캐스코드 회로를 기본으로 구성되었다. 제안된 전류모드 적분기는 기존의 전류미러형 전류모드 적분기의 이득(43.7dB) 및 단위이득주파수(15.2MHz) 비해서 높은 전류이득(47.8dB) 및 단위 이득 주파수(27.8MHz)의 특성을 얻을 수 있었다. 제안된 전류모드 적분기의 응용회로로써 차단주파수 7.03MHz를 갖는 5차 체비세프 저역통과 필터를 설계하였다. 설계된 모든 회로들은 1.8V-$0.18{\mu}m$ CMOS 공정파라메터로써 HSPICE를 이용하여 시뮬레이션되었다.

새로운 전류모드 적분기를 갖는 다중 채널 CMOS 저전압 전류모드 필터 설계 (A Multi-channel CMOS Low-voltage Filter with Newly Current-mode Integrator)

  • 이우춘;방준호
    • 한국산학기술학회논문지
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    • 제10권12호
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    • pp.3638-3644
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    • 2009
  • 본 논문에서는 새롭게 제안한 선형 캐스코드 전류모드 적분기를 기본으로 구성된 다중채널 CMOS 저전압 전류모드 필터를 설계하였다. 제안된 전류모드 적분기는 기존의 전류미러형 전류모드 적분기 비해서 높은 전류이득 및 단위이득 주파수 특성을 얻을 수 있다. 5차 체비셰프 함수로써 구성한 필터는 신호흐름선도(SFG)기법에 의하여 능동필터로 변환되었다. 1.8V-$0.18{\mu}m$ CMOS 공정파라미터를 사용한 HSPICE 시뮬레이션 결과, 설계된 필터는 0.51MHz에서 7.03MHz대역까지의 주파수 조정범위를 가지며 Bluetooth, DECT, WCDMA의 3채널의 기저대역에서 사용할 수 있음을 확인하였다.

Sub-threshold MOSFET을 이용한 전류모드 회로 설계 (Current-Mode Circuit Design using Sub-threshold MOSFET)

  • 조승일;여성대;이경량;김성권
    • 한국위성정보통신학회논문지
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    • 제8권3호
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    • pp.10-14
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    • 2013
  • 본 논문에서는 저전력 기술인 DVFS (Dynamic Voltage Frequency Scaling) 응용을 위하여, 동작주파수의 변화에도 소비전력이 일정한 특성을 갖는 전류모드 회로를 적용함에 있어서, 저속 동작에서 소비전력이 과다한 전류모드 회로의 문제점을 전류모드 회로에서 sub-threshold 영역 동작의 MOSFET을 적용함으로써 소비전력을 최소화하는 설계기술을 소개한다. 회로설계는 MOSFET BSIM 3모델을 사용하였으며, 시뮬레이션한 결과, strong-inversion 동작일 때 소비전력은 $900{\mu}W$이었으나, sub-threshold 영역으로 동작하였을 때, 소비전력이 $18.98{\mu}W$가 되어, 98 %의 소비전력의 절감효과가 있음을 확인하였다.

모바일 기기 신호 인터페이스용 MIPI 디지털 D-PHY의 저전력 설계 (Low Power Design of a MIPI Digital D-PHY for the Mobile Signal Interface)

  • 김유진;김두환;김석만;조경록
    • 한국콘텐츠학회논문지
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    • 제10권12호
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    • pp.10-17
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    • 2010
  • 본 논문에서는 모바일 기기 신호 인터페이스용 MIPI(Mobile industry processor interface)의 D-PHY의 디지털 블록의 저전력 설계를 제안한다. MIPI는 고속 데이터 전송을 위한 HS(high-speed)모드와 주로 제어에 사용되는 LP(low-power)모드의 두 가지 동작 모드를 갖는다. 저전력 소모를 위해 디지털 블록 내부 구성요소를 각 동작에 따라 선택적으로 스위칭 할 수 있는 클럭 게이팅(Clock gating) 기법을 적용했다. 저전력 동작의 설계에 대한 동작을 시뮬레이션을 통해 검증하고 기존의 일반적인 MIPI D-PHY 디지털 블록과 전력소모를 비교했다. HS 모드 데이터 전송동작에 대해서는 저전력 설계를 통하여 전력소모가 송신단(TX: transmitter)과 수신단(RX: receiver) 각각 74%와 31% 감소하여 전체적으로 전력소모가 50%로 줄었고, LP 모드 동작에 대해서도 전력소모가 TX와 RX 각각 79%와 40% 감소하여 전체적으로 51.5% 줄어들었다. 제안된 저전력 MIPI D-PHY 디지털 칩은 $0.13{\mu}m$ CMOS 공정에서 1.2V의 전원을 갖도록 설계 및 제작되었다.

Bi2O3 첨가량에 따른 저온소결 PbTiO3계 세라믹스의 유전 및 압전특성 (Dielectric and Piezoelectric Characteristics of Low Temperature Sintering PbTiO3 System Ceramics with amount of Bi2O3 Addition)

  • 류주현;김도형;이상호;손은영
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제20권9호
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    • pp.771-775
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    • 2007
  • In this study, in order to develop low temperature sintering ceramics for thickness vibration mode multilayer piezoelectric transformer, $PbTiO_3$ system ceramics were fabricated using $Na_2CO_3,\;Li_2CO_3,\;MnO_2\;and\;Bi_2O_3$ as sintering aids and their dielectric and piezoeletric properties were investigated according to the amount of $Bi_2O_3$ addition. At the sintering temperature of $900^{\circ}C\;and\;Bi_2O_3$ addition of 0.1 wt%, density, grain size, thickness vibration mode eletromechanical coupling factor($k_t$), thickness vibration mode mechanical quality factor($Q_{mt}$) and dielecteic constant(${\varepsilon}_r$) showed the optimum value of $6.94g/cm^3,\;2.413{\mu}m$, 0.497, 3,162 and 209, respectively, for thickness vibration mode multilayer piezoelectric transformer application.