$\textrm{MgAl}_{2}\textrm{O}_{4}$ 기판위에 GaN의 Hydride Vapor Phase Epitaxy성장과 특성
(Growth and Properties of GaN on $\textrm{MgAl}_{2}\textrm{O}_{4}$ Substrate by Hydride Vapor Phase Epitaxy Method)
-
- 한국재료학회지
- /
- 제7권8호
- /
- pp.707-713
- /
- 1997