• Title/Summary/Keyword: Light-emitting Diode

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Improvement of Permeation of applied Multi-Layer Encapsulation of thin films on Ethylene Terephthalate(PET) (고분자 기판위의 다층 보호막의 성능 평가)

  • Kim, Jong-Hwan;Han, Jin-Woo;Kang, Hee-Jin;Kim, Jong-Yeon;Moon, Hyun-Chan;Choi, Sung-Ho;Park, Kwang-Bum;Kim, Tae-Ha;Kim, Hwi-Woon;Seo, Dae-Shik
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2006.04a
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    • pp.60-61
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    • 2006
  • In this paper, the inorganic-organic thin film encapsulation layer was newly adopted to protect the organic layer from moisture and oxygen. Using the electron beam, Sputter and Spin-Coater system, the various kinds of inorganic and organic thin-films were deposited onto the Ethylene Terephthalate(PET) and their interface properties between organic and inorganic layer were investigated. Results indicates that the SiON/PI/SiON/PI/PET barrier coatings have high potential for flexible organic light-emitting diode(OLEO) applications.

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High-performance thin-film transistor with a novel metal oxide channel layer

  • Son, Dae-Ho;Kim, Dae-Hwan;Kim, Jung-Hye;Sung, Shi-Joon;Jung, Eun-Ae;Kang, Jin-Kyu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.222-222
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    • 2010
  • Transparent semiconductor oxide thin films have been attracting considerable attention as potential channel layers in thin film transistors (TFTs) owing to their several advantageous electrical and optical characteristics such as high mobility, high stability, and transparency. TFTs with ZnO or similar metal oxide semiconductor thin films as the active layer have already been developed for use in active matrix organic light emitting diode (AMOLED). Of late, there have been several reports on TFTs fabricated with InZnO, AlZnSnO, InGaZnO, or other metal oxide semiconductor thin films as the active channel layer. These newly developed TFTs were expected to have better electrical characteristics than ZnO TFTs. In fact, results of these investigations have shown that TFTs with the new multi-component material have excellent electrical properties. In this work, we present TFTs with inverted coplanar geometry and with a novel HfInZnO active layer co-sputtered at room temperature. These TFTs are meant for use in low voltage, battery-operated mobile and flexible devices. Overall, the TFTs showed good performance: the low sub-threshold swing was low and the $I_{on/off}$ ratio was high.

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금속이 코팅된 PET필름의 수분침투 특성 평가

  • Hwang, Bin;Choe, Yeong-Jun;Park, Gi-Jeong;Kim, Hoe-Bong;Jo, Yeong-Rae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.351-351
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    • 2010
  • OLED(organic light emitting diode)는 액정디스플레이를 대체할 차세대 평판디스플레이로 많은 주목을 받고 있다. 현재 많이 사용되고 있는 OLED의 기판재료는 Glass기판이지만 차세대 Flexible한 display에서의 적용을 위해서는 가볍고 유연한 plastic을 기판 재료로 사용 할 것으로 보인다. 하지만 plastic이 기판재료로 된 OLED의 가장 큰 단점중의 하나가 수분과 산소에 민감하여 열화를 초래한다는 것이다. 이런 수분침투와 열화 과정으로 인해 OLED의 발광효과가 약해져 OLED의 수명과 직접적으로 연결된다. 하여 외부에서 OLED내부로 유입되는 산소, 수분으로 부터 발광재료와 전극의 산화를 방지하며 외부의 충격으로부터 소자를 보호하기 위한 봉지기술은 반드시 필요하다. 따라서 본 연구에서는, flexible한 OLED에 적용되는 금속 코팅한 막의 적층구조 및 기판의 노출온도에 따른 금속 코팅막의 수분침투 특성에 대해 MOCON의 weight gain test (WGT)를 통해 barrier layer에 대해 평가하고 이에 대한 mechanism을 확립하는데 그 목적이 있다. 금속을 코팅한 막은 OLED의 cathode와 anode 재료로 많이 사용되는 Al과 ITO를 sputter장비를 이용해 single layer와 double-layer의 두 가지 구조로 PET기판에 증착하였다. 증착한 Al막의 두께는 각각 50 nm, 100 nm, 200 nm, 400 nm 등 4가지로 하였다. double-layer의 경우에는 총 두께를 절반씩 기판의 양쪽에 증착하였다. 적층구조에 따른 수분침투 특성 평가 결과로 보면 같은 두께일 때 double-layer는 single layer에 비해서 모든 시편에서 수분의 투습율이 낮음으로써 더 좋은 수분침투의 barrier 특성을 나타내었다. 특히 100 nm이상인 경우 투습율은 예상한 값보다 50%이상 낮게 나타났다.

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산화아연 나노로드기반 광검출소자 제작 및 특성

  • Go, Yeong-Hwan;Jeong, Gwan-Su;Yu, Jae-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.189.2-189.2
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    • 2013
  • 1차원 산화아연 나노구조물은 광대역 에너지 밴드갭(~3.3 eV)과 독특한 물리적 특성을 갖고 있어, 전계효과 트랜지스터(field effect transistor), 발광다이오드(light emitting diode), 자외선 광검출기 (ultraviolet photodetector) 및 태양전지(photovoltaic cell)에 널리 이용되고 있다. 특히, 1차원 산화아연 나노구조물은 직접천이형 에너지 밴드갭(direct bandgap)을 갖고 있으며, 빛으로부터 여기된 전자가 1차원 나노구조물을 통해 향상된 이동경로를 제공할 수 있어서 차세대 자외선 광검출기 응용에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 한편, 수열합성법(hydrothermal method)을 통해서 1차원 산화아연 나노구조물을 비교적 간단하고 저온공정을 통해서 합성할 수 있는데, 이를 광검출기 소자구조에 응용에서 양전극에 연결하기 위해서는 복잡하고 정교한 공정이 필요하다. 이에 본 연구에서는 수열합성법을 통해 합성된 산화아연 나노로드가 포함된 에탄올 용액을 금(Au) 패턴에 drop-casting을 통해서 간단한 방법으로 metal-semiconductor-metal (MSM) 광검출기를 제작하여 광반응 특성을 분석하였다. 또한 염료를 통해 가시광을 흡수하여 광전류(photocurrent)를 발생시킬 수 있도록 염료를 흡착한 산화아연 나노로드를 이용하여 같은 구조의 MSM 광검출기를 제작하여 가시광에 대한 광반응 특성을 관찰하였다.

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Atomic Layer Deposition for Display Applications

  • Park, Jin-Seong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.08a
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    • pp.76.1-76.1
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    • 2013
  • Atomic Layer Deposition (ALD) has remarkably developed in semiconductor and nano-structure applications since early 1990. Now, the advantages of ALD process are well-known as controlling atomic-level-thickness, manipulating atomic-level-composition control, and depositing impurity-free films uniformly. These unique properties may accelerate ALD related industries and applications in various functional thin film markets. On the other hand, one of big markets, Display industry, just starts to look at the potential to adopt ALD functional films in emerging display applications, such as transparent and flexible displays. Unlike conventional ALD process strategies (good quality films and stable precursors at high deposition processes), recently major display industries have suggested the following requirements: large area equipment, reasonable throughput, low temperature process, and cost-effective functional precursors. In this talk, it will be mentioned some demands of display industries for applying ALD processes and/or functional films, in terms of emerging display technologies. In fact, the AMOLED (active matrix organic light emitting diode) Television markets are just starting at early 2013. There are a few possibilities and needs to be developing for AMOLED, Flexible and transparent Display markets. Moreover, some basic results will be shown to specify ALD display applications, including transparent conduction oxide, oxide semiconductor, passivation and barrier films.

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MEH-PPV 농도에 따른 유기발광다이오드의 전기$\centerdot$ 광학적 특성

  • 공수철;백인재;유재혁;임현승;장호정;장영철
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2005.09a
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    • pp.142-146
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    • 2005
  • 패턴화된 ITO (indium tin oxide)/Glass 기판 위에 정공수송층인 PEDOT:PSS [poly(3,4-othylenedioxythiophene):poly(styrene sulfolnate)]와 발광층인 MEH-PPV [poly(2-methoxy-5-(2-ethyhexoxy)-1,4phenylenvinylene)]를 사용하여 ITO/PEDOT:PSS/MEH-PPV/AI 구조를 갖는 고분자 유기 발광다이오드 (polymer light emitting diode: PLED)를 제작하였다. PLED 제작시 MEH-PPV 의 농도를 ($0.1\;wt\%\;{\~}\;0.9\;wt\%$) 변수로 하여 박막의 표면 거칠기와 박막 층의 마찰재수(friction coefficient) 측정을 통하여 농도에 따른 특성 변화를 조사하였다. MEH-PP 의 농도를 $0.1\;wt\%$ 에서 $0.9\;wt\%$ 로 증가함에 따라 발광 층의 RMS (root mean square)같은 1.72 nm 에서 1.00 nm 로 감소하여 거칠기가 개선되는 경향을 보여 주었다. 그러나 박막간의 마찰계수는 0.048 에서 0.035 로 감소하여 박막간의 접합상태가 나빠지는 현상을 나타내었다. 소자의 전기, 광학적 특성의 경우 MEH-PPV 농도가 $0.5\;{\~}\;0.9\;wt\%$ 범위에서 약 0.35 mA (at 9V)의 전류밀도를 나타내었으며, 최대 휘도는 $0.5\;wt\%$ 농도에서 $409\;cd/m^2$의 값을 나타내었다.

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Basic Design Guidelines for LED Lamp Packages (LED 램프 패키지 설계를 위한 기본 지침)

  • Youk, Ji-Hyun;Hong, Dae-Woon;Lee, Song-Jae
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • v.22 no.3
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    • pp.141-150
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    • 2011
  • Although significant amount of research has been done to develop LED lamp packages for improved performance, no standard theories or guidelines have been established yet for designing LED lamp packages. In this paper, the photon extraction efficiency depending on both the InGaN/Sapphire LED chip structure and its attachment schemes for chip mounting has been analyzed by using the Monte Carlo photon simulation method. Based on the results of the analysis, we have derived guidelines for LED lamp package design, which can be utilized in industries or research institutes for designing new LED lamp packages optimized for particular applications.

A Method for Improving Resolution and Critical Dimension Measurement of an Organic Layer Using Deep Learning Superresolution

  • Kim, Sangyun;Pahk, Heui Jae
    • Current Optics and Photonics
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    • v.2 no.2
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    • pp.153-164
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    • 2018
  • In semiconductor manufacturing, critical dimensions indicate the features of patterns formed by the semiconductor process. The purpose of measuring critical dimensions is to confirm whether patterns are made as intended. The deposition process for an organic light emitting diode (OLED) forms a luminous organic layer on the thin-film transistor electrode. The position of this organic layer greatly affects the luminescent performance of an OLED. Thus, a system for measuring the position of the organic layer from outside of the vacuum chamber in real-time is desired for monitoring the deposition process. Typically, imaging from large stand-off distances results in low spatial resolution because of diffraction blur, and it is difficult to attain an adequate industrial-level measurement. The proposed method offers a new superresolution single-image using a conversion formula between two different optical systems obtained by a deep learning technique. This formula converts an image measured at long distance and with low-resolution optics into one image as if it were measured with high-resolution optics. The performance of this method is evaluated with various samples in terms of spatial resolution and measurement performance.

GaN Etch Process System using Parallel Plasma Source for Micro LED Chip Fabrication (병렬 플라즈마 소스를 이용한 마이크로 LED 소자 제작용 GaN 식각 공정 시스템 개발)

  • Son, Boseong;Kong, Dae-Young;Lee, Young-Woong;Kim, Huijin;Park, Si-Hyun
    • Journal of the Semiconductor & Display Technology
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    • v.20 no.3
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    • pp.32-38
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    • 2021
  • We developed an inductively coupled plasma (ICP) etcher for GaN etching using a parallel plasma electrode source with a multifunctional chuck matched to it in order for the low power consumption and low process cost in comparison with the conventional ICP system with a helical-type plasma electrode source. The optimization process condition using it for the micro light-emitting diode (µ-LED) chip fabrication was established, which is an ICP RF power of 300 W, a chuck power of 200 W, a BCl3/Cl2 gas ratio of 3:2. Under this condition, the mesa structure with the etch depth over 1 ㎛ and the etch angle over 75° and also with no etching residue was obtained for the µ-LED chip. The developed ICP showed the improved values on the process pressure, the etch selectivity, the etch depth uniformity, the etch angle profile and the substrate temperature uniformity in comparison with the commercial ICP. The µ-LED chip fabricated using the developed ICP showed the similar or improved characteristics in the L-I-V measurements compared with the one fabricated using the conventional ICP method

Utilization of LED Plant Factory for Medical Cannabis Cultivation (의료용 대마재배를 위한 LED 식물공장의 활용)

  • Hong, Chang-Hee
    • Proceedings of the Plant Resources Society of Korea Conference
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    • 2019.10a
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    • pp.7-7
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    • 2019
  • 우리나라에서의 대마는 마약류로 분류되어 기호용과 의료용 모두 법적인 제재를 받아왔으나 최근에 의료용 대마가 법적으로 허용이 되어 환자들에게 처방 받을 수 있게 되었다. 하지만 우리나라 사람들에게 대마는 환각성분을 가진 마약류로 깊이 인식되어 왔으며 의료용 대마에 대한 연구는 거의 전무한 실정이다. 노지재배에서 발생할 수 있는 범죄의 위험성, 자연교배에 의한 품질저하를 피할 수 있으며 재배조건(양액, 광조건, 광주기, 대기환경조성) 등을 제어할 수 있는 밀폐형 LED 식물공장은 의료용 대마 생산에 제일 적합한 모델이 될 수 있다. 식물체의 광합성은 가시광선 중 특정 파장 450nm 청색광과 660nm 적생광을 주로 이용하며 'LED (Light Emitting Diode) 발광다이오드'는 식물체의 광합성에 적합한 파장으로 광원을 조사할 수 있는 장점이 있다. 이러한 LED를 이용한 광합성은 식물체의 2차 대사물질 Anthocyanins, phenolic compounds 등의 향상과 생육에도 긍정적인 영향을 미치며 식물 뿐만 아니라 광합성을 하는 미세조류(micro algae)에서도 이용이 가능하며 해마토 코쿠스(Hematococcus)의 세포증식과 항산화물질 아스타잔틴(astaxathin)생산에 유용하게 쓰이고 있다. 최근 미국과 다른 나라에서도 기호용, 의료용 대마사업에 대한 관심이 높아지고 있으며 캐나다와 미국에서는 밀폐형 유리온실과 식물공장을 이용한 의료용 대마를 생산, 추출, 가공까지 하여 산업적인 영역을 넓히고 있는 실정이다. 특히, 실내재배에서는 광원이 필수적인 요소이며 식물생육에 선택적인 파장을 조사할 수 있는 LED와 재배조건을 정밀하게 제어할 수 있는 밀폐형 식물공장을 이용한 의료용 대마 생산에 대한 연구가 절실히 필요한 시점이다.

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