In practical operation, the exposed surfaces may get dirty thus degrade the performance of devices. So the combination of self cleaning and antireflection is very desirable for use in outdoor photovoltaic and displaying devices, self cleaning windows and car windshields. For the purpose of self cleaning, the surface needs to be either superhydrophobic or superhydrophilic. However, in practice AR in the visible region and self cleaning are a pair of competitive properties. To satisfy the requirements for superhydrophobic or superhydrophilic surfaces, high surface roughness is required. But it usually cause severely light scattering. Photo-responsive coatings (TiO2, ZnO etc.) can lead to superhydrophilic. However, the refractive indices are high. Thus for porous structure, controlling pore size in the underwavelength scale to reduce the light scattering is very crucial for highly transparent and self cleaning antireflection coating. Herein, we demonstrate a simple method to make high performance broadband antireflection layer on the glass surface, by "carving" the surface by hot alkali solution. Etched glass has superhydrophilic surface. By chemical modification, it turns to superhydrophobic. Enhanced transparency (up to 97%) in a broad wavelength range was obtained by short time etching. Also antifogging effect has been demonstrated, which may offer advantage for devices working at high humidity environment or underwater. Compositional dependence of the properties was observed by comparing three different commercially available glasses.
광 리미터는 입사광의 세기가 커질때 투과율을 줄여서 눈과 센서를 보호하는 광소자이다. 최근에 높은 효율의 광 리미터 재료로 알려진 다중벽 탄소 나노튜브 분말을 증류수, 클로로포름, 에탄올, 에틸렌 글리콜과 같은 용매에 각각 섞어 현탁액을 만들고 실온에서 용매의 끓는점까지 온도를 변화시키면서 광 리미팅 효율의 변화를 관측하였다. 광원으로는 펄스폭이 6 ns이고 파장이 1064 nm인 Q-스위칭된 Nd:YAG 레이저 펄스를 사용하였다. 관측 결과, 다중벽 탄소 나노튜브 현탁액의 온도가 증가할수록 광 리미팅 효율이 나빠졌고 현탁액 용매의 끓는점, 점도 그리고 표면장력 값이 낮을수록 광 리미팅 효율이 좋아짐을 확인하였다.
안개 및 대기의 교란이 광무선 통신에 주는 영향을 해석하기 위해 가시광선영역의 LD(laser diode) 및 적외선 영역의 LD 사용하고, 카세그레인 광학계를 이용하여 광을 송수신하게 하였으며, 광 소신소자로는 APD(avalanch photo diode)를 사용함을 가정하여 대기 중의 안개의 정도에 따른 가시도 및 교란의 세기를 나타내는 굴절률 구조상수에 따른 광 수신 전력, 잡음 전력을 고려한 SNR(signal to noise ratio)을 계산해 보고 각각의 통신 상태에서 BER(bit error rate)이 $10^{-9}$이 가능한 통신 거리를 알아보았다.
To investigate the effect of metal electrode in electroluminescent[EL] devices, we fabricated EL devices of ITO/P3HT/Al, ITO/P3HT/LiF/Al and ITO/P3HT/Mg:In structure. In current-voltage-light power characteristics, turn-on voltage of EL devices using LiF insulating layer and Mg:In(2.8V) metal electrode is lower than EL device using Al(4.2V). Besides the external quantum efficiency is improved also. The reason is related to carrier mobility and carrier injection, which would affect the hole-electron balance. In the device with Al electrode, holes injected from indium-tin-oxide[ITO] to poly(3-hexylthiophene)[P3HT] might reach the Al electrode without interacting with injected electrons, because the electron injection efficiency was very low for this electrode. Besides oxidation of the Al electrode is likely due to holes reaching the cathode without meeting injected electrons. Another possible reason for the higher EL efficiency may be the insulating layer playing the role of a tunneling barrier for holes to the Al electrode. In all EL devices, the orange-red light was clearly visible in a dark room. Maximum peak wavelength of EL spectrum emitted at 640nm in accordance with photon energy 1.9eV
현재 항암치료는 외과적 수술, 방사선 또는 광학을 이용한 치료법, 그리고 약물을 이용한 치료법 등을 활용한 다양연구가 진행되고 있다. 또한 고가의 항암 치료제와 대형화된 장비가 개발되어 정확도 및 치료효과를 높이고 있으나, 광원의 종류, 방사선, 항암치료제 등의 오남용에 기인한 많은 부작용이 초래되었다. 따라서 본 논문에서는, 상대적으로 저렴하고 조작이 간편하며, 다양한 파장대 광원의 사용이 가능한 마이크로컨트롤러 기반 맞춤형 암세포 증식 억제 키트를 개발하여 그 효과를 보임으로써 새로운 항암치료법을 제시하고자 한다.
Porous silicon (PS) was prepared by electrochemical anodization. Ultra-thin zinc oxide (ZnO) capping layers were deposited on the PS by plasma-assisted molecular beam epitaxy (PA-MBE). The effects of the ZnO capping layers on the properties of the as-prepared PS were investigated using scanning electron microscopy (SEM) and photoluminescence (PL). The as-prepared PS has circular pores over the entire surface. Its structure is similar to a sponge where the quantum confinement effect (QCE) plays a fundamental role. It was found that the dominant red emission of the porous silicon was tuned to white light emission by simple deposition of the ultra-thin ZnO capping layers. Specifically, the intensity of white light emission was observed to be enhanced by increasing the growth time from 1 to 3 min.
본 논문에서는 광파장 이하의 주기를 갖는 금속 격자형 가시광선 대역 컬러필터를 제안하고 구현하였다. 이 소자는 쿼츠 기판 위의 알루미늄 금속 층에 원형 홀이 2차원으로 배열된 격자로 구성되어 있다. 격자의 구조 파라미터 즉, 금속 박막 두께, 격자 주기, 홀 크기, 홀 구성 물질의 굴절률 등이 필터의 전달특성에 미치는 영향을 분석하여 소자를 설계하였다. 특히, 격자 홀을 구성하는 물질의 굴절률을 조절함으로써 필터의 특성을 최적화하고자 시도하였다. 본 논문에서는 전자빔 직접 기록 방식을 도입하여 두 개의 소자를 구현하였는데, 이들의 설계 파라미터를 살펴보면 격자 높이는 50 nm로 동일하며, 주기는 각각 340 nm와 260 nm였다. 측정된 결과를 살펴보면, 주기가 $\Lambda=340nm$인 소자의 경우에 중심파장은 680 nm이고 최대 투과율은 57%였으며, 주기가 $\Lambda=260nm$인 소자의 경우에는 중심파장이 550 nm이고 최대 투과율을 50%였다. 특히, 계산 결과를 통하여 격자 홀을 기판과 동일한 굴절률과 동일한 물질로 채움으로써 투과효율이 15% 이상 증가함을 확인하였다.
The concerns on the crop damage by ultraviolet (UV) radiations is increasing owing to the decrease of their absorbing stratospheric ozone in the tropospheric. Cultivar differences on early growth of UV radiation among five Korean rice cultivars, four japonica types and one Tongil type (indica-japonica cross hybrid), were studied. Pot-seeded rice plants were grown under four different radiation conditions, i.e., visible radiation only, visible radiation with supplemented with high or low dose of UV-B (280~320 nm in wavelength) and UV-C (less than 280 nm in wavelength). The inhibitory degree on plant height, shoot and root weight and length of leaf blade and leaf sheath were determined at 40 days after seeding. UV-C showed the most severe inhibitory effect on the degree of biomass gain and leaf growth in most cultivars examined, followed by high UV-B and low UV-B. Among the cultivars used, the Kuemobyeo was the most sensitive cultivar and had not repair or showed resistance ability to continued irradiation of UV radiation. However, Janganbyeo and Jaekeon showed different responses that the elongation of leaf blades was promoted on 2nd and 3rd leaves and inhibited on 4th and 5th leaves but this inhibitory degree was reduced on 6 th and 7th leaves. Such tendency on leaf growth means that both cultivars had low sensitivity and most resistant ability to continued irradiation of UV radiation. While Tongil showed different response to enhanced UV radiation, ie., low UV-B promoted leaf growth but the inhibitory was severely increased by continued irradiation of high UV-B and UV-C, which means that Tongil had high threshold of UV radiation for response as an inhibitory light of plant growth. The results of this study indicate that the differences on sensitivity or resistant to the effects of UV radiation were existed among Korean rice cultivars.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제17권4호
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pp.483-491
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2017
The interdigitated germanium (Ge) meta-lsemiconductor-metal (MSM) photodetectors (PDs) with and without an $SiO_2$ anti-reflection (AR) layer was fabricated, and the effect of $SiO_2$ AR layer on their optoelectronic response properties were investigated in detail. The lowest reflectance of 15.6% at the wavelength of 1550 nm was obtained with a $SiO_2$ AR layer with a thickness of 260 nm, which was in a good agreement with theoretically calculated film thickness for minimizing the reflection of Ge surface. The Ge MSM PD with 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer exhibited enhanced device performance with the maximum values of responsivity of 0.65 A/W, the quantum efficiency of 52.2%, and the detectivity of $2.49{\times}10^9cm\;Hz^{0.5}W^{-1}$ under the light illumination with a wavelength of 1550 nm. Moreover, time-dependent switching analysis of Ge MSM PD with 260 nm- thick $SiO_2$ AR layer showed highest on/off ratio with excellent stability and reproducibility. All this investigation implies that 260 nm-thick $SiO_2$ AR layer, which is effective in the reduction in the reflection of Ge surface, has a great potential for Ge based optoelectronic devices.
This study was performed to investigate the effect of mordants on the dyeability colorfastness to light and to laundering and biological properties of mordanted and natural-dyed cotton and silk substrates. Natural red dyes were extracted from Caesalpinia Sappan L. (Sappan wood) and Rubia Akane Nakai (Madder) by boil water Five different compounds of Al, Cr, Cu, Fe and Sn were used as mordanting agents. The result of this study are sumarized as follows ; 1. In the of the fabrics mordanted and dyed with sappan wood K/S value increases and λmax shifts to the longer wavelength as mordant concentration increases. Color of the fabrics dyed with sappan wood and madder change to redder bluer and lighter after mordanting. 2. As the number of repetition of dyeing-mordnating process increase the color of the dyed fabrics tend to be redder bluer and darker. Mordanted dyes with Al and Sn make chroma increase. The quantity of mordant absorbed in the silk fabric increase as mordant concentration increase. More Fe is absorbed in silk than Cr is. 3. After being exposed to light the fabrics dyed with sappan wood and madder change to less red Fe and Cu mordanting yeild better colorfastness to light than others does. Natural-dyed fabrics exposed to light tend to be faded and whitened in CIELAB chromaticity co-ordinates. So we might trace back the original color of ancient faded fabrics by changes in color of natural dyes. 4. After washing the colors of natural dyes change to more blue, Fe and Cu mordanting give better colorfastness to wash than others do. 5. The soil-burial cotton is more susceptible to mildew and rot than the silk is. Antimicrobial activity of the natural-dyed cotton can be enhanced by Cu and silk can be enhanced by Cu and Cr mordanting respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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