• 제목/요약/키워드: Light mask

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동적 마스크를 이용한 3D/2D 변환 집적영상 디스플레이 시스템 (Three-dimensional/two-dimensional convertible integral imaging display system using an active mask)

  • 오용석;신동학;이병국;정신일
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제18권12호
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    • pp.3055-3062
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    • 2014
  • 동적 마스크를 사용하는 3D 집적영상 기술은 공간에 고해상도의 3D 영상을 디스플레이할 수 있다. 본 논문에서는 동적 마스크를 사용한 새로운 3D/2D 변환 집적영상 디스플레이 시스템을 제안한다. 제안하는 방법에 대하여 2개의 LCD 패널을 통하여 보여지는 영상에 따른 3D 모드, 2D모드 그리고 3D/2D 혼합 모드의 동작원리를 설명한다. 3D모드에서는 요소영상과 마스크 영상이 표시되고, 2D 모드에서는 광원영상과 2D 영상이 표시된다. 그리고 3D/2D 혼합모드에서는 영역별로 2D와 3D가 분리되어 동시에 디스플레이 된다. 제안한 방법의 유용함을 보이기 위해서 기초적인 실험을 수행하고 그 결과를 보고한다.

빛의 반사량 측정을 통한 가면 착용 위변조 얼굴 검출 (Albedo Based Fake Face Detection)

  • 김영신;나재근;윤성백;이준호
    • 전자공학회논문지CI
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    • 제45권6호
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    • pp.139-146
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    • 2008
  • 특수 분장을 이용하여 매우 정교하게 제작된 가면을 쓴 얼굴 위변조의 경우 일반적인 밝기 영상으로는 검출이 용이하지 않다. 최근의 획기적인 특수 분장 기술 발전을 고려할 때 성공적인 얼굴 인식시스템 개발을 위해 가면을 쓴 얼굴 위변조 검출 연구는 매우 중요하다. 본 연구에서는 물질의 재질 및 표면 색상에 따른 반사율의 차이를 기반으로 가면을 착용하는 얼굴 위변조 검출 방법을 제안한다. 우선 실제 얼굴 인식 시스템의 적용 환경을 고려할 때 알비도(albedo)를 단순히 빛의 반사량, 즉, 영상에서의 그레이 값으로 간략화 할 수 있음을 보였다. 이를 기반으로 850nm 적외선 조명이 얼굴 피부와 가면재질의 구분에 가장 적합하고, 인종 간 다른 피부색에 대해서는 685nm 조명에서 뚜렷한 차이를 보임을 알 수 있었다. 이 두 파장대의 조명하에서 측정한 영상의 그레이 값으로 2D 특징 벡터를 만들어 사용하면 특징 공간 상에서의 얼굴 피부와 가면 재료의 분포는 선형적으로 분리가 가능한 분포를 갖게 되는 것을 알 수 있었다. Fisher Linear Discriminant(FLD)를 적용하여 97.8%의 가면 얼굴 검출율을 얻을 수 있었다. 제안하는 방법은 기존의 상용 얼굴 인식 시스템에 매우 적은 비용과 간단한 방법으로 추가 적용하여 모든 인종에 대한 얼굴 위변조 검출이 가능하다.

Preparation of ITO and Insulator Layer Using Shadow Mask Method

  • 서인하;이종호;최범호
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.321-323
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    • 2012
  • 유기 발광 다이오우드는(OLEDs) 자체 발광 소자로써 높은 시야각, 높은 효율, 그리고 빠른 응답속도 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이 및 조명 소자로서 많은 연구가 진행되고 있다. 특히 유기 발광 다이오우드는 차세대 반도체 조명 소자로서 조명의 패러다임을 바꿀 수 있는 기술로 인식되고 있다. 하지만, 유기 발광 다이오우드 조명의 상용화를 위해서는 가격 경쟁력을 갖추는 것이 시급하며, 이를 위해 저가 공정 개발이 필요하다. 본 연구에서는 유기발광 다이오우드 조명 제작에 필수적인 전면 전극 및 절연막 증착 공정을 기존의 노광 공정이 아닌 shadow mask 기술을 적용하여 형성하였다. 먼저 유리 기판 상에 150 nm 두께의 ITO 막을 shadow mask를 이용하여 증착하였다. 기존 공정에서는 노광 및 식각 공정을 이용하여 증착하는 것이 일반적이며, 광학적, 전기적 특성 또한 타 공정 방법에 비해 우수하다. 하지만 일련의 복잡한 공정으로 인해 제조 원가를 상승 시키는 단점이 있다. Fig. 1은 shadow mask를 이용하여 ITO를 증착을 수행한 공정의 모식도이다. ITO 박막 증착 후 표면 거칠기 제어 및 면저항 제어를 위해 O2 plasma 처리와 RTA 공정을 추가 수행하였다. Fig. 2(a)는 플라즈마 처리 및 열처리 공정 수행 후에 측정한 표면 AFM 사진이다. 열처리 및 플라즈마 처리 후에 ITO 박막의 표면 거칠기는 10배 이상 향상되었으며, 이는 유기 발광 다이오우드 조명 소자의 전면 투명 전극으로 사용되기에 적합한 값이다. 또한 전기적 특성 중 하나인 면저항 값은 열처리 및 플라즈마 처리 전/후의 값에서 많은 차이를 보인다. 표면 거칠기가 향상됨에 따라 면저항 값 역시 향상되는 결과를 보여주는데, 표면 처리전후의 면저항 값은 각각 28.17, 13.18 ${\Omega}/{\Box}$이다. 일반적으로 유기 발광 다이오우드의 전면 투명 전극으로 사용되기 위해서는 15 ${\Omega}/{\Box}$이하의 면저항 값이 필요한데, 표면 처리 후의 면저항값들은 이로한 조건을 만족한다. Fig. 3은 shadow mask 기술을 이용하여 절연막까지 형성한 유기 발광 다이오우드 소자의 전자 현미경 사진으로, 기존의 공정을 이용한 경우와 큰 차이는 없으며, 다만 shadow tail이 약 $30{\mu}m$ 정도 발생함을 확인할 수 있다. 절연막의 특성 평가 기준인 누설 전류 밀도는 $10-5A/cm^2$으로 기존의 공정을 이용한 경우에 비해 95% 수준으로서 shadow mask를 이용한 공정이 기존의 노광 및 식각 공정을 이용한 경우에 비해 공정 수는 9개가 단축됨에도 불구하고, 각 증착 박막의 특성에는 큰 차이가 없음을 알 수 있다.

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Fabrication of Micromirror Array with Vertical Spring Structure

  • 신종우;김용권;최범규
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 1996년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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    • pp.416-418
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    • 1996
  • A $50{\times}50{\mu}m^2$ aluminum micromirror array is fabricated using surface micromachining technology. $50{\times}50$ micromirrors are arrayed two dimensionally. The micromirror plate is supported by a vertical spring structure that is placed underneath the mirror plate. When the mirror plates reflect a light, the micromirror array un have large effective reflecting area. Fabrication of vertical spring uses only one mask and shadow evaporation process.

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V형 원자계에서의 광에 의해 유도된 위상마스크에 의한 위상특이점의 생성 (Generation of vortices by a light-induced phase mask in a V-type atomic system)

  • 전진호;최원식;오명규;안경원;이재형
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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    • pp.160-161
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    • 2003
  • 위상특이점이라고도 불리는 광 보텍스(optical vortex)를 포함한 빔은 파면의 특이성 때문에 많은 관심을 끌어왔다. 위상을 정의할 수 없는 위상특이점을 따라서는 빔의 동일위상파면이 소용돌이 형태를 가진다. 그 소용돌이 정도는 위상전하(topological charge) 라는 양으로 특징지을 수 있다. 광 보텍스는 선형 및 비선형적 특성에 대해 많은 연구가 이루어져왔다. 레이저 공진기를 변형하거나, 홀로그램이나 위상마스크에 레이저를 조사하여 보텍스를 발생시키는 방법 등의 여러 방법이 알려져 있다. (중략)

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High efficient Transflective TFT-LCD by tRGB-rW Sub-Pixel Rendering

  • Lin, L.;Liang, B.J.;Huang, C.M.;Lin, H.C.;Chen, Y.N.
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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    • pp.1613-1617
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    • 2006
  • The total light efficiencies of the novel 1.9" transflective tRGB-t/rW and tRGB-rW TFT LCDs are calculated and they are implemented by the traditional 7-mask ${\alpha}$-Si processing. Then, the two vehicles are turned on with the appropriate Sub-Pixel Rendering White (SPRW) algorithms, so they can exhibit the extra luminance without the original visual resolution loss. Their outstanding optical properties are approved by measuring the contrast ratio (C.R.) and the NTSC ratio. Because they utilize the light resource very effectively and efficiently, they are very suitable for the dark indoor and the bright outdoor environments.

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Chemical Solution Deposition of PZT/Oxide Electrode Thin Film Capacitors and Their Micro-patterning by using SAM

  • Suzuki, Hisao
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2005년도 International Meeting on Information Displayvol.II
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    • pp.907-912
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    • 2005
  • Micro-patterns of $Pb(Zr_{0.53}Ti_{0.47})O_3$, PZT, thin films with a MPB composition were deposited on $Pt/Ti/SiO_2/Si$ substrate from molecular-designed PZT precursor solution by using self-assembledmonolayer(SAM) as a template. This method includes deposition of SAM followed by the optical etching by exposing the SAM to the UV-light, leading to the patterned SAM as a selective deposition template. The pattern of SAM was formed by irradiating UV-light to the SAM on a substrate and/or patterned PZT thin film through a metal mask for the selective deposition of patterned PZT or lanthanum nickel oxide (LNO) precursor films from alkoxide-based precursor solutions. As a result, patterned ferroelectric PZT and PZT/LNO thin film capacitors with good electrical properties in micrometer size could be successfully deposited.

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Fabrication Process of Light Emitting Diodes Using CdSe/CdS/ZnS Quantum Dot

  • Cho, Nam Kwang;Kang, Seong Jun
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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    • pp.428-428
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    • 2013
  • Red color light emitting diodes were fabricated using CdSe/CdS/ZnS quantum dots (QDs). Patterned indium-tin-oxide (ITO) was used as a transparent anode, and oxygen plasma treatment on a surface of ITO was performed. Poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) was spin coated on the ITO surface as a hole injection layer. Then CdSe/CdS/ZnS QDs was spin coated and thermal treatment was performed for the cross-linking of QDs. TiO2 was coated on the QDs as an electron transport layer, and 150 nm of aluminum cathode was formed using thermal evaporator and shadow mask. The device shows a pure red color emission at 606 nm wavelength. Device characteristics will be presented in detail.

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Optofluidic packaging and patterning technologies for light emitting devices

  • Chung, Su-Eun;Jang, Ji-Sung;Lee, Seung-Ah;Lee, Ho-Suk;Kwon, Sung-Hoon
    • 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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    • 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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    • pp.1272-1273
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    • 2009
  • We demonstrate conformal phosphor coating and patterning methods on light emitting diodes (LEDs) using image processing based optofluidic maskless lithography (IP-OFML) system in microfluidic channels. IP-OFML allows a real-time detection and dynamic mask generation for packaging of randomly dispersed microchips. Our system detects each chip by considering rotation of the chip through image processing regardless of their arrangement error. Therefore, it precisely packages the chip making conformal polymer layer.

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나노 구조의 패턴을 갖는 n-type GaN 기판을 이용한 380 nm UV-LED의 광 추출 효율 개선 (Improvement in Light Extraction Efficiency of 380 nm UV-LED Using Nano-patterned n-type Gan Substrate)

  • 백광선;조민성;이영곤;;송영호;김승환;김재관;전성란;이준기
    • 한국재료학회지
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    • 제21권5호
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    • pp.273-276
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    • 2011
  • Ultraviolet (UV) light emitting diodes (LEDs) were grown on a patterned n-type GaN substrate (PNS) with 200 nm silicon-di-oxide (SiO2) nano pattern diameter to improve the light output efficiency of the diodes. Wet etched self assembled indium tin oxide (ITO) nano clusters serve as a dry etching mask for converting the SiO2 layer grown on the n-GaN template into SiO2 nano patterns by inductively coupled plasma etching. PNS is obtained by n-GaN regrowth on the SiO2 nano patterns and UV-LEDs were fabricated using PNS as a template. Two UV-LEDs, a reference LED without PNS and a 200 nm PNS UV-LEDs were fabricated. Scanning Electron microscopy (SEM), Transmission Electron Microscopy (TEM), X-Ray Diffraction (XRD), Photoluminescence (PL) and Light output intensity- Input current- Voltage (L-I-V) characteristics were used to evaluate the ITO-$SiO_2$ nanopattern surface morphology, threading dislocation propagation, PNS crystalline property, PNS optical property and UVLED device performance respectively. The light out put intensity was enhanced by 1.6times@100mA for the LED grown on PNS compared to the reference LED with out PNS.