• 제목/요약/키워드: LiT$aO_3$ crystal

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$LiTaO_3$ 단결정의 완전용융조성 (Congruent Melt Composition of $LiTaO_3$ Single Crystal)

  • 정대식;박병학;김유성;노용래
    • 한국결정성장학회지
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    • 제3권2호
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    • pp.99-106
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    • 1993
  • 열분석(DTA : Differential Thermal Analysis) 방법에 의한 퀴리온도$(T_c)$ 측정방법으로부터 48.50에서 49 $Li_2O$ mole %까지의 퀴리온도$(T_c)$$Li_2O$ mole %(C)의 관계식 $(T_c = -17.869C^2+1840.2C-46623)$을 구하였다.$LiTaO_3$ 단결정의 congruent 조성을 결정하기 위하여 48.60 부터 48.70 mole %까지의 영역에서 쵸크랄스키법으로 $LiTaO_3$ 단결정을 육성하고 Top과 Tail 결정에서의 퀴리온도 차이,${\Delta}{T_c} (T_{c(Top)}-T{_c(Tail)})$ 그리고 결정성장 초기와 말기의 융액과 결정의 조성비로부터 분배계수(k)를 구하였다. 이 결과로부터 결정된 congruent 조성은 48.65 mole %였으며 그때의 $(T_c)$ 값은 $610{\pm}1^{\circ}C$였다.

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$LiNbO_3$ 단결정의 Congruent 조성에 관한 연구 (Cougruent Compositon of $LiNbO_3$ Crystal)

  • 이성국;이상학;윤의박
    • 한국결정성장학회지
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    • 제1권2호
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    • pp.71-78
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    • 1991
  • $LiNbO_3$ congruent 조성이 성장결정과 잔류융액의 Curie 온도$(T_c)$측정에 의해 조사되어졌다. 결정성장시 원료의 조성은 48.45에서 48.60mole%$Li_2O$ 까지 변화되어졌다. $LiNbO_3$$T_c$는 조성에 따라 크게 변하였고 Tc=10.4184C2-962.996C+23342에 따름을 알 수 있었다. $T_c$측정에는 DSC-1500를 사용하였고, $iNbO_3$$Li_2O$의 분배계수가 결정과 융액조성의 관계에 따라 구해졌다. $ iNbO_3$의 congruent조성은 48.52mole%$Li_2O$임이 밝혀졌고 그때의 $T_c$$1145{\pm}^1{\circ}C$이었다.

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LiTaO3 및 LiMbO3 단결정 내의 상자성 불순물에 관한 전자 자기공명 연구 (Electron Magnetic Resonance Study of Paramagnetic Impurities in LiTaO3 and LiMbO3 Single Crystals)

  • 염태호
    • 한국자기학회지
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    • 제13권5호
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    • pp.204-210
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    • 2003
  • 강유전체 물질인 LiNbO$_3$ 및 LiTaO$_3$ 단결정 내에 불순물로 첨가되어 있는 상자성 전이원소인 Cr$^{3+}$ , $Mn^{2+}$, Fe$^{3+}$ 이온에 관한 전자 자기공명 연구를 하였다. 이들 두 단결정 내에 들어있는 불순물 이온에 대하여 중첩모델을 써서 계산한 영자기장 갈라지기 상수의 값을 실험에서 얻은 영자기장 갈라지기 값 및 기존에 보고된 많은 연구 논문과 비교 분석하여 상자성 불순물이 결정 내의 어느 자리를 치환하고 들어가는지를 연구하였다. LiNbO$_3$ 단결정 내의 Cr$^{3+}$ 이온이 불순물로 들어 갈 경우에는 두 가지 공명 중심이 가능하며, Li$^{+}$ 및 Nb$^{5+}$이온 자리를 각각 치환하고 들어간다. 또한 LiNbO$_3$ 결정 내의 $Mn^{2+}$ 및 Fe$^{3+}$ 이온의 경우에는 두 이온 모두 Nb$^{5+}$ 이온 자리를 치환하고 들어간다. LiTaO$_3$ 단결정 내에 불순물로 들어가 있는 Cr$^{3+}$ 및 Fe$^{3+}$ 이온은 모두 Li$^{+}$ 이온 자리를 치환하고있는 것으로 나타났다.

고상반응법에 의해 제조된 $Li_{0.44}MnO_2$의 전기화학적 성질에 미치는 Ti 치환의 영향 (Effect of Ti substitution on electrochemical properties $Li_{0.44}MnO_2$ synthesized by solid state reaction)

  • 황광택
    • 한국결정성장학회지
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    • 제10권5호
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    • pp.362-366
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    • 2000
  • $Li_{0.44}MnO_2$양극재료는 리튬의 삽입과정에서 높은 가역성을 가지며 과충전이나 과방전 과정에서 쉽게 손상되지 않는다. $Mn_2O_3$가 불순물로 자주 나타나며 전기화학적으로 비활성이기 때문에 전극의 전기화학적 용량을 감소시킨다. 잉여의 NaOH 첨가는 $Mn_2O_3$를 X선 회절에 검출되지 않는 정도로 낮추었다. 용량 증가는 큰 단위세포를 가지는 양극재료에서 얻어질 수 있으므로, 망간의 일부를 이온반경이 큰 티타니움으로 치환하였으며, $Li_{0.44}T_{iy}Mn_{1-y}O_2$(여기서 y = 0.11, 0.22, 0.33, 0.44, 0.55) 조성의 분말들을 합성하여 특성을 평가하였다. ECPS 실험결과 $Li/P(EO)_8$LiTFSI/$LixTi_{0.22}Mn_{0.78}O_2$전지에서 150 mAh/g 최대가역용량 값이 얻어졌다. 티타니움이 치환된 망간산화물을 사용한 전지는 충방전당 0.12 %나 그 이하의 용량감소율을 나타내었다.

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Study of molecular motion by 1H NMR relaxation in ferroelectric LiH3(SeO3)2, Li2SO4·H2O, and LiN2H5SO4 single crystals

  • Park, Sung Soo
    • 한국자기공명학회논문지
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    • 제20권1호
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    • pp.1-6
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    • 2016
  • The proton NMR line widths and spin-lattice relaxation rates, $T_1^{-1}$, of ferroelectric $LiH_3(SeO_3)_2$, $Li_2SO_4{\cdot}H_2O$, and $LiN_2H_5SO_4$ single crystals were measured as a function of temperature. The line width measurements reveal rigid lattice behavior of all the crystals at low temperatures and line narrowing due to molecular motion at higher temperatures. The temperature dependences of the proton $T_1^{-1}$ for these crystals exhibit maxima, which are attributed to the effects of molecular motion by the Bloembergen - Purcell - Pound theory. The activation energies for the molecular motions of $^1H$ in these crystals were obtained. From these analysis, $^1H$ in $LiH_3(SeO_3)_2$ undergoes molecular motion more easily than $^1H$ in $LiN_2H_5SO_4$ and $Li_2SO_4{\cdot}H_2O$ crystals.

$Ti:LiNbO_3$ 도파로 제작을 위한 열처리 과정 동안 강유전 도메인 특성에 미치는 영향 (Ferroelectric domain inversion in $LiNbO_3$ crystal plate during heat treatment for Ti in-diffusion)

  • 양우석;이형만;권순우;김우경;이한영;윤대호
    • 한국결정성장학회지
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    • 제15권3호
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    • pp.124-127
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    • 2005
  • [ $Ti:LiNbO_3$ ], 광도파로 제작을 위해 큐리온도$(T_c)$ 아래에서 백금박스 내에서 알곤 과 산소 분위기 내에서 열처리 과정 동안 기판 표면의 강유전 도메인 특성 변화를 관찰하였다. 열처리 된 $LiNbO_3$ 기판의 +Z면의 경우 전체적으로 약 $1.6{\mu}m$ 두께로 도메인 반전이 이루어 졌으며, 표면에서 etch hillock이 관찰되었다. $LiNbO_3$ 결정 표면의 Li 이온이 외부로 확산 되는 영향을 감소시킬 수 있는 환경에 있는 기판 면에서 하나의 도메인이 관찰되었으며, 이때 결정 표면에서의 식각특성, 결정성 및 양이온 분포변화에 관하여 X-선 회절, AFM 및 SIMS를 이용하여 분석하였다.

펄스 레이저 증착법에 의한 ZnO:Li 박막 성장과 열처리 효과 (Effect of Thermal Annealing and Growth of ZnO:Li Thin Film by Pulesd Laser Deposition)

  • 홍광준
    • 한국재료학회지
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    • 제15권5호
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    • pp.293-300
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    • 2005
  • ZnO:Li epilayers were synthesized on sapphire substrates by the pulesd laser deposition (PLD) after the surface of the ZnO:Li sintered pellet was irradiated by the ArF (193 nm) excimer laser. The growth temperature was fixed at $400^{\circ}C$. The crystalline structure of epilayers was investigated by the photoluminescence (PL) and double crystal X-ray diffraction (DCXD). The carrier density and mobility of epilayers measured by van der Pauw-Hall method are $2.69\times10cm^{-3}$ and $52.137cm^2/V{\cdot}s$ at 293 K, respectively. The temperature dependence of the energy band gap of epilayers obtained from the absorption spectra is well described by the Varshni's relation, $E_g(T)=3.5128eV{\cdot}(9.51\times10^{-4}eV/K)T^2/(T+280K)$. After the as-grown ZnO:Li epilayer was annealed in Zn atmospheres, oxygen and vaccum the origin of point defects of ZnO:Li has been investigated by PL at 10 K. The Peaks of native defects of $V_{zn},\;V_o,\;Zn_{int},\;and\;O_{int}$ showned on PL spectrum are classified as a donors or accepters type. We confirm that $ZnO:Li/Al_2O_3$ in vacuum do not form the native defects because ZnO:Li epilayers in vacuum existe in the form of stable bonds.

$Li_3B_7O_12$의 결정구조 (Crystal Structure of Lithium Heptaborate, $Li_3B_7O_12$)

  • 박현민;조양구
    • 한국결정학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.15-20
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    • 1998
  • Lithium heptaborate, Li3B7O12(Mr=288.49), 단결정을 성장시킨후, 결정구조를 X-선 분말 회절법과 단결정 회절법을 이용하여 결정하였다. 구조해석 결과 단위포 내에 각각 두개의 (B3O7)3-와 (B3O8)5-그룹이 있음을 알 수 있었다. 공간군은 P-1(Ci1)으로 결정되었고, a=6.500(3) Å, b=7.839(2) Å, c=8.512(1) Å, α=92.07(2)˚, β=104.97(2)˚, γ=99.35(3)˚, V=412.0(2) Å3, Z=2 Dx=2.32 g cm-3, MoKα, λ=0.71069 Å, μ=2.15cm-1, T=293K 이었다. 최종 구조의 오차인자는 2,296개 회절 점에서 각각 R=0.0339과 wR=0.0882이었다. X-선 분말 회절방법으로 비슷한 결과를 얻을 수 있었다.

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$LiB_3O_5$의 결정구조 (Crystal Structure of Lithium Triborate, $LiB_3O_5$)

  • 박현민;조양구;김한균;정수진
    • 한국결정학회지
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    • 제9권2호
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    • pp.138-142
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    • 1998
  • Lithium triborate, LiB3O5(Mr=119.37), 단결정을 상단 종자정 융액법으로 성장시켰으며, 결정구조를 X-선 회절법으로 연구하였다. 결정계는 사방정계이며 공간군은 Pna21(No. 33)이다. 단위포의 상수는 a=8.432(1) , b=7.364(1) , c=5.110(1) , α=β=γ=90.00o, V=317.3(6) 3, V=4, Dx=2.50 gcm-3, MoKα1, λ=0.71069 , μ=2.3/cm, F(000)=232, T=293 K 이었다. 최종 구조의 오차인자는 520개 회절 점에서 각각 R=0.0222과 wR=0.0582이었다.

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Li2O.Al2O3.2SiO2의 조성을 갖는 유리에서 $\beta$-eucryptite의 핵생성 및 결정성장 (Nucleation and Crystal Growth of $\beta$-eucryptite in a Glass of the Molecular Composition Li2O.Al2O3.2SiO2)

  • 이상현;장수진
    • 한국세라믹학회지
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    • 제22권3호
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    • pp.53-59
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    • 1985
  • Nucleation and crystallization of $\beta$-eucryptite in a glass of molecular percentage composition Li2O.Al2O3.2SiO2 are studied. The glasses are made by quenching of the melts from 143$0^{\circ}C$ to room temperature. Heat-treatment for nucleation and crystal growth are caried out at various temperature in the range between 50$0^{\circ}C$ and 80$0^{\circ}C$ with different duration of time. The amounts of crystallization are estimated by the method of x-ray powder diffraction. As the results a time-temperature-transformation relation for crystallization is derived. The maximum rate of crystallization is observed at about 75$0^{\circ}C$ from the T-T-T-curve while the crystallization temperature is detected at 67$0^{\circ}C$ by DTA measurement. The crystallization temperature moved to 62$0^{\circ}C$ by adding 5 weight percents of TiO2 and it moved to 78$0^{\circ}C$ by adding 2 weight percents of V2O5. The crystallization temperature moved to 62$0^{\circ}C$ by adding 5 weight percent of TiO2 it moved to 78$0^{\circ}C$ by adding 2 weight percents of V2O5 The activation energy for crystallization from the pure glass is calculated as 68 Kcal/mol and it varied to 53 Kcal/mol and 110Kcal/mol when 5 weight percents of TiO2 and weight percents of V2O5 are added respectively.

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