• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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• pp.445-447
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• 2016

터널링 전계효과 트랜지스터(Tunneling Field-Effect Transistor; TFET) 중에 이중 게이트 TFT(DG-TFET)와 단일 게이트 TFET(SG-TFET)의 구조에 따른 성능 비교를 조사했다. 채널 길이가 30nm 이상, 실리콘 두께 20nm이하, 게이트 절연막 두께는 작아질수록 SG-TFET와 DG-TFET subthrreshold swing과 온 전류 성능이 향상됨을 보였다. 다양한 파라미터에서 DG-TFET의 성능이 SG-TFET 성능보다 향상됨을 보인다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제23권6호
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• pp.758-765
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• 1986

The design, fabrication and performance of vertical double diffused power MOSFET (VDMOS) were described. On the antimony (Sb) doped (~7x10**17 cm**-3) silicon substrate (N+), epitaxial layer(N-) was grown. The thickness and the resistivity of this layer were 32\ulcorner and about 12\ulcorner-cm, respectively. The P- channel length which was controlled by sequential P-/N+ double diffuison method was about 1~2 \ulcorner, and was processed with the self alignment of 21 \ulcorner width poly silicon. To improve the breakdown voltage with constant on-resistance (Ron) about 1\ulcorner, three P+ guard rings were laid out around main pattern. With chip size of 4800\ulcorner x4840 \ulcorner, the VDMOS has shown breakdown voltage of 410~440V, on-resistance within 1.0~1.2\ulcornerand the current capablity of more than 5A.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제50권10호
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• pp.522-531
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• 2001

A large dispersion value in optical fiber cable should be maintained to suppress the nonlinear effect induced distortion for the narrow channel spaced DWDM system while small value of dispersion is needed for high bit rate transmission. To meet these two requirement simultaneously, dispersion distribution control method during the cabling process was exploited. And dispersion distribution cable was fabricated by the way of designing alternation sections in single cable piece with standard single mode fiber(SSMF) and newly developed negative dispersion fiber(NDF). It is shown that the discretely dispersion varying cable along the axis keep the same average dispersion value of an entire cable length as that of nonzero dispersion shifted fiber(NZDSF) with 3.6 ps/km/nm while the local dispersion is around 17 ps/km/nm of absolute value. Moreover, the developed cable had good optical and mechanical properties and the feasibility of this cable for practical use was confirmed.

• 한국지능시스템학회논문지
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• 제14권5호
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• pp.583-586
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• 2004

고밀도의 저장기록장치 채널의 주요 신호검출 오류의 원인은 천이 지터잡음이다. 이러한 채널환경에서 최적의 신호검출기 구현을 위해서는 고도의 복잡도가 요구되는데 이는 지터잡음이 신호와 상관관계가 있고 잡음간에도 상관관계가 존재하기 때문이다. 본 논문에서는 계산량과 하드웨어 복잡도 관점에서 효율적인 두 가지 종류의 신호검출기에 대해서 설명한다. 이는 전통적인 비터비 복호기의 가지값을 변화시킨 형태이며 같은 이진데이터 값의 반복을 제한하는 부호와 함께 결합하여 일반적인 PR 채널에 적용된다 기존의 비터비 알고리즘의 복잡도와 비교하면 비터비 트렐리스에서 각각의 가지값을 계산할 때 추가적으로 하나의 곱셈기 혹은 덧셈기의 증가가 요구된다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2000년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.446-448
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• 2000

Organic semiconductors based on vacuum-deposited films of fused-ring polycyclic aromatic hydrocarbon have great potential to be utilized as an active layer for electronic and optoelectronic devices. In this study, pentacene thin films and electrode materials were deposited by Organic Molecular Beam Deposition (OMBD) and vacuum evaporation respectively. For the gate dielectric layer, OPTMER PC403 photo acryl (JSR Coporation.) was spin-coated and cured at $220^{\circ}C$. Electrical characteristics of the devices were investigated, where the channel length and width was $50{\mu}m$ and 5 mm. It was found that field effect mobility was $0.039\;cm^2V^{-1}s^{-1}$, threshold voltage was -7 V, and on/off current ratio was $10^6$.

• 한국응용과학기술학회지
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• 제18권3호
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• pp.191-196
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• 2001

Organic semiconductors based on vacuum-deposited films of fused-ring polycyclic aromatic hydrocarbon have great potential to be utilized as an active layer for electronic and optoelectronic devices. In this study, pentacene thin films and electrode materials were deposited by Organic Molecular Beam Deposition (OMBD) and vacuum evaporation respectively. For the gate dielectric layer, photoacryl (OPTMER PC403 from JSR Co.) was spin-coated and cured at $220^{\circ}C$. Electrical characteristics of the device were investigated, where the channel length and width was 50 ${\mu}m$ and 5 mm. It was found that field effect mobility was 0.039 $cm^{2}V^{-1}s^{-1}$, threshold voltage was -8 V, and on/off current ratio was $10^{6}$. Further details will be discussed.

• 센서학회지
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• 제8권2호
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• pp.102-107
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• 1999

저주파용 광섬유 하이드로폰을 개발하기 위하여 본 논문에서는 2 채널을 가진 TDM 방식 광섬유 하이드로폰 배역을 구성하고 이를 수조에서 음향특성 실험을 수행하였다. 150m의 광섬유를 중공 원통형 맨드릴에 감아 광섬유 하이드로폰을 제작하였으며 저주파용임을 감안하여 맨드릴의 고유진동수를 10kHz이상에 위치하도록 설계하였다. 제작된 광섬유 하이드로폰은 수중과 음향 임피던스 정합을 이루기 위하여 폴리우레탄으로 몰딩 하였다. 음향 특성을 보기 위하여 TDM 방식의 불평형 간섭계를 구성하여 수조에서 3kHz의 연속파형을 신호입력으로 실험하였다. 실험 결과 제작된 TDM 방식의 광섬유 하이드로폰은 수중에서 3kHz의 음향 신호를 안정적으로 검출함을 확인하였다. 이는 향후 다채널을 가진 광섬유 하이드로폰 배열 개발에 응용 가능성이 기대된다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제41권11호
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• pp.1-6
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• 2004

RFIC를 위한 Nanoscale MOSFET에서의 유효 게이트 저항을 직접 추출법으로 추출하여 다양한 게이트 길이에 대해 분석하였다. 추출된 유효 게이트 저항은 비교적 정확하면서 간소화된 모델을 통한 측정결과와 비교하여 10GHz 대역까지 잘 일치함을 확인하였다. 같은 공정기술로 제작된 소자들 중에서 reverse short channel 효과가 생기지 않는 긴 채널 MOSFET 소자의 경우에 일반적인 유효 게이트 저항에서와는 다른 인가전압 및 주파수 종속성을 가짐을 확인하였다. 특히, 문턱전압을 전후하여 주파수에 따라 상이한 결과를 나타내고 있으며, 게이트 인가전압이 문턱전압에 가까울 때 비이상적으로 큰 유효 게이트 저항값을 나타내었다. 이러한 특성은 직접추출법을 사용하는 RF MOSFET 모델링에 있어서 참고해야 할 중요한 특성이 될 것이다.

• 한국통신학회논문지
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• 제41권12호
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• pp.1765-1767
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• 2016

무선광대역통신 시스템에서 채널 추정과 채널 동기를 얻기 위하여 복잡한 하드웨어 비용이 요구되는 동기 방식에 비하여, 구현이 용이한 비동기 방식이 다양하게 연구되고 있다. 본 논문에서는 비동기 방식중에서 성능이 우수한 블록부호 변조방식의 성능을 개선하는 방법을 제안한다. 블록부호 변조방식은 일반적으로 하나의 심볼을 N개의 펄스로 이루어진 블록으로 구성하고, 각각의 펄스의 간격은 일정한 길이를 유지한다. 펄스의 간격을 작게 하면 전송속도는 증가하지만, 펄스간의 간섭도 증가하여 비트오율이 커지게 된다. 제안하는 방식은 전송속도를 결정하는 펄스 간의 간격을 조정하여, 기존의 방식과 동일한 전송속도 하에서 비트오율을 낮추는 방법을 제안한다. 모의실험을 통하여, 제안된 방법은 전송속도 혹은 비트오율 측면에서 기존의 방식에 비하여 우수한 성능을 나타낸다.

• 천문학회보
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• 제43권1호
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• pp.53.3-54
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• 2018

Solar Proton Events (SPEs) are the energetic phenomena related particle acceleration occurred in solar corona. Conventionally, they have been classified into two groups as the impulsive and gradual cases caused by reconnection in the flaring site and by shock generated by CME, respectively. In the previous studies, we classified these into four groups by analyzing the proton acceleration patterns in multi-energy channel observation. This showed that acceleration due to the magnetic reconnection may occur in the corona region relatively higher than the flaring site. In this study, we analyzes 54 SPEs observed in the energy band over 25 MeV from 2009 to 2013, where STEREO observations as well as SOHO can be utilized. From the multi-positional observation, we determine the exact time at which the Sun-Earth magnetic field line meets the CME shock structure by considering 3-dimensional structure of CME. Also, we determine the path length by considering the solar wind velocity for each event, so that the SPE onset time near the sun is obtained more accurately. Based on this study, we can get a more understanding of the correlation between CME progression and proton acceleration in the solar coronal region.