• 제목/요약/키워드: Leakage signal

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Low-temperature crystallization of high-dielectric (Ba,Sr)$TiO_3$ thin films for embedded capacitors

  • Cho, Kwang-Hwan;Kang, Min-Gyu;Kang, Chong-Yun;Yoon, Seok-Jin
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2010년도 춘계학술회의 초록집
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    • pp.21-21
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    • 2010
  • (Ba,Sr)$TiO_3$ (BST) thin film with a perovskite structure has potential for the practical application in various functional devices such as nonvolatile-memory components, capacitor, gate insulator of thin-film transistors, and electro-optic devices for display. Normally, the BST thin films derived from sol-gel and sputtering are amorphous or partially crystalline when processed below $600^{\circ}C$. For the purpose of integrating BST thin film directly into a Si-based read-out integrated circuit (ROIC), it is necessary to process the BST film below $400^{\circ}C$. The microstructural and electrical properties of low-temperature crystallized BST film were studied. The BST thin films have been fabricated at $350^{\circ}C$ by UV-assisted rapidly thermal annealing (RTA). The BST films are in a single perovskite phase and have well-defined electrical properties such as high dielectric constant, low dielectric loss, low leakage current density, and high breakdown voltage. Photoexcitation of the organics contained in the sol-gel-derived films by high-intensity UV irradiation facilitates elimination of the organics and formation of the single-crystalline phase films at low temperatures. The amorphous BST thin film was transformed to a highly (h00)-oriented perovskite structure by high oxygen pressure processing (HOPP) at as low as $350^{\circ}C$. The dielectric properties of BST film were comparable to (or even better than) those of the conventionally processed BST films prepared by sputtering or post-annealing at temperature above $600^{\circ}C$. When external pressure was applied to the well-known contractive BST system during annealing, the nucleation energy barrier was reduced; correspondingly, the crystallization temperature decreased. The UV-assisted RTA and HOPP, as compatible with existing MOS technology, let the BST films be integrated into radio-frequency circuit and mixed-signal integrated circuit below the critical temperature of $400^{\circ}C$.

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SG전열관 2차측 이물질 검출 및 특성분석을 위한 ETSS 개발 (Development of ETSS for the SG Secondary Side Loose Part Signal Detection and Characterization)

  • 신기석;문용식;민경만
    • 한국압력기기공학회 논문집
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    • 제7권3호
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    • pp.61-66
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    • 2011
  • The integrity of the SG(Steam Generator) tubes has been challenged by numerous factors such as flaws, operation, atmosphere, inherently degraded materials, loose parts and even human errors. Of the factors, loose parts(or foreign materials) on the secondary side of the tubes can bring about volumetric defects and even leakage from the primary to the secondary side in a short period of time. More serious concerns about the loose parts are their unknown influx path and rapid growth rate of the defects affected by the loose parts. Therefore it is imperative to detect and characterize the foreign materials and the defects. As a part of the measures for loose part detection, TTS(Top of Tubesheet) MRPC(Motorized Rotating Pancake Coils) ECT has been carried out especially to the restricted high probability area of the loose part. However, in the presence of loose parts in the other areas, wide range loose part detection techniques are required. In this study, loose part standard tube was presented as a way to accurately detect and characterize loose part signals. And the SG tube ECT bobbin coil and MRPC ISI(In-service Inspection) data of domestic OPR-1000 and Westinghouse Model F(W_F) were reviewed and consequently, comprehensive loose part detection technique is derived especially by applying bobbin coil signals

Power Semiconductor SMD Package Embedded in Multilayered Ceramic for Low Switching Loss

  • Jung, Dong Yun;Jang, Hyun Gyu;Kim, Minki;Jun, Chi-Hoon;Park, Junbo;Lee, Hyun-Soo;Park, Jong Moon;Ko, Sang Choon
    • ETRI Journal
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    • 제39권6호
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    • pp.866-873
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    • 2017
  • We propose a multilayered-substrate-based power semiconductor discrete device package for a low switching loss and high heat dissipation. To verify the proposed package, cost-effective, low-temperature co-fired ceramic, multilayered substrates are used. A bare die is attached to an embedded cavity of the multilayered substrate. Because the height of the pad on the top plane of the die and the signal line on the substrate are the same, the length of the bond wires can be shortened. A large number of thermal vias with a high thermal conductivity are embedded in the multilayered substrate to increase the heat dissipation rate of the package. The packaged silicon carbide Schottky barrier diode satisfies the reliability testing of a high-temperature storage life and temperature humidity bias. At $175^{\circ}C$, the forward current is 7 A at a forward voltage of 1.13 V, and the reverse leakage current is below 100 lA up to a reverse voltage of 980 V. The measured maximum reverse current ($I_{RM}$), reverse recovery time ($T_{rr}$), and reverse recovery charge ($Q_{rr}$) are 2.4 A, 16.6 ns, and 19.92 nC, respectively, at a reverse voltage of 300 V and di/dt equal to $300A/{\mu}s$.

Dual Bias Modulator for Envelope Tracking and Average Power Tracking Modes for CMOS Power Amplifier

  • Ham, Junghyun;Jung, Haeryun;Bae, Jongsuk;Lim, Wonseob;Hwang, Keum Cheol;Lee, Kang-Yoon;Park, Cheon-Seok;Yang, Youngoo
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제14권6호
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    • pp.802-809
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    • 2014
  • This paper presents a dual-mode bias modulator (BM) for complementary metal oxide semiconductor (CMOS) power amplifiers (PAs). The BM includes a hybrid buck converter and a normal buck converter for an envelope tracking (ET) mode for high output power and for an average power tracking (APT) mode for low output power, respectively. The dual-mode BM and CMOS PA are designed using a $0.18-{\mu}m$ CMOS process for the 1.75 GHz band. For the 16-QAM LTE signal with a peak-to-average power ratio of 7.3 dB and a bandwidth of 5 MHz, the PA with the ET mode exhibited a poweradded efficiency (PAE) of 39.2%, an EVM of 4.8%, a gain of 19.0 dB, and an adjacent channel leakage power ratio of -30 dBc at an average output power of 22 dBm, while the stand-alone PA has a PAE of 8% lower at the same condition. The PA with APT mode has a PAE of 21.3%, which is an improvement of 13.4% from that of the stand-alone PA at an output power of 13 dBm.

진폭 변조 거리 측정 시스템을 위한 정밀 위상차 측정부 개발 (The Phase Difference Measurement Module Development for Amplitude Modulated Range Measurement System)

  • 노형우;박정호;강일흥;최문각;김강욱
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제22권2호
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    • pp.182-190
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    • 2011
  • 진폭 변조를 이용한 거리 측정 시스템은 반송파를 진폭 변조하여 송수신한 신호의 진폭 변조 신호의 위상차를 사용하여 거리를 측정하게 된다. 진폭 변조 거리 측정 시스템에서 문제가 되는 안테나 간의 누설 신호 및 불요 신호에 의한 측정 오차를 최소화하기 위해 능동반사기를 사용하여 주파수 대역을 바꾸어 송신하는 방식이 제안되었다. 본 논문에서는 모호성이 없는 측정 거리를 확장하면서도 정밀한 측정을 가능하게 하는 새로운 위상측정부의 구현에 대해 설명하고 있다. 즉, 8 MHz 및 1 MHz의 두 개의 변조 주파수를 교차적으로 선택하여 변조함으로써, 150 m까지의 거리를 2 cm 이하의 오차로서 측정할 수 있게 하였다. 위상측정부는 정밀한 위상 측정을 위하여 높은 변조 주파수는 JK 플립플롭 위상차 측정기를 사용하고, 낮은 변조 주파수일 경우는 XOR 위상차 측정기를 사용하였다.

모바일 앱을 이용한 홈 시큐리티 시스템 구현 (Implementation of Home Security System using a Mobile App)

  • 권영일;정삼진
    • 융합정보논문지
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    • 제7권4호
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    • pp.91-96
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    • 2017
  • 본 논문에서는 나날이 늘고 있는 주거침입 범죄에 대응하여 아두이노와 스마트폰 앱을 이용하여 효율적으로 범죄에 대응하는 것을 목표로 하고 있다. 집 안 곳곳에 설치된 센서의 신호를 받아 스마트 폰의 앱과 연동을 시킨다. 앱을 사용하기 위해서 사용자의 스마트폰에서 앱을 다운받아 앱을 실행시키고 실행된 앱의 연동을 통해 집 내부에서만이 아닌 집 밖에서의 조작을 구동할 수 있다. 집안에 설치된 센서들 중 움직임 감지 센서를 통해 보안적인 면에서 활용도를 높이고, 가스누출 센서와 불꽃감지 센서들을 사용하여 화재의 위험을 쉽게 감지하여 초기에 예방을 할 수 있도록 하였다. 또한, 현관문을 스마트폰으로 원격 제어하는 기능이 있기 때문에 보안이 한 층 강화되었다. 향후 다양한 센서들을 추가하고, 블루투스 모듈 외에 와이파이 모듈로 발전시킬 수 있다.

S-대역 펄스 2 kW RF 리미터 (Pulse 2 kW RF Limiter at S-band)

  • 정명득
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제23권7호
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    • pp.791-796
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    • 2012
  • RF 리미터(limiter)는 원하지 않는 신호로부터 수신단을 보호하기 위해 사용되는 소자로서, 임계값 이상의 모든 입력신호에 대해 일정한 출력을 제공한다. 다이오드를 사용하는 RF 리미터는 작은 신호는 통과시키는 반면, 어떤 임계값 이상의 신호는 감쇄시켜서 전달한다. 현대의 레이더 시스템에서 수신기를 보호하기 위해 사용되는 RF 리미터는 새로운 간섭 위협이나 복잡한 전자파 환경의 도전으로부터 극복할 수 있는 절대 필요한 역할을 수행한다. 본 논문은 고출력 RF 리미터를 구현하기 위해 PIN 다이오드와 Limit 다이오드의 조합으로 구성된 회로를 제안한다. PIN 다이오드는 스위치의 격리도(isolation) 특성을 이용하는 것과 같이 다이오드의 격리도 특성을 이용하는 개념을 적용한다. S-대역에서 200 us 펄스폭을 갖는 2 kW RF 리미터를 개발하였다. 그 측정 결과는 예측한 값과 잘 일치함을 알 수 있다.

배전자동화 개폐기 내장형 광 전류 및 광 전압 센서에 관한 연구 (A Study on Optical Current Sensor and Voltage Sensor for automation of power distribution)

  • 양승국;오상기;박해수;김인수;김요희;홍창희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제6권1호
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    • pp.89-98
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    • 2002
  • 본 연구에서는 광계측 기술을 이용하여 배전자동화 개폐기 내에서 발생하는 전자 계측장치의 절연문제 및 측정오차의 문제점을 개선하기 위하여 배선자동화개폐기 내장형 광전류 및 광전압센서를 연구하였다. 자기광학 효과(magneto optic effect)인 페러데이효과(Faraday effect)를 이용하여 최적의 광전류 센서를 설계 제작하여 높은 전류까지 선형성을 유지시키고 다른 상의 전류에 대한 유도현상을 최소로 하기 위해 순철 코아를 사용하여 광전류 센서를 일체화시켜 설계 제작하였다. 설계내에서 결정의 굴절률 및 방위각의 변화에 의해 생기는 전기광학효과(electrooptic effect)인 포켈스 효과(pockels effect)를 이용하여 광전압센서를 구성하였으며 배전 자동화용 개폐기의 협소한 내부구조를 고려하여 공간전계방식을 채택하였다. 또한 다심의 광섬유를 개폐기와 외부의 신호처리 단말기와 연결하기 위하여 기밀형 멀티 광커넥터를 설계 자작하여 접속 손실 및 가스 누설 시험을 하였다. 전기적 특성시험에서 광 전류센서에서는 인가 전류에 대한 선형 특성은 20A 에서 700A까지 변동 오차 2.5% 이내의 선형성을 유지하였으며, 광전압센서에 있어서 인가 전압에 대한 선형 특성은 6.6kV에서 19.8kV까지 거의 변동 오차가 1% 이내로 우수한 선형 특성을 나타냈다.

방사선원 3차원 위치탐지를 위한 방사선 영상장치 개발 (Development of Three-Dimensional Gamma-ray Camera)

  • 이남호;황영관;박순용
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제19권2호
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    • pp.486-492
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    • 2015
  • 방사선 영상장치는 방사능 누출사고의 조기처리 및 확산 피해 최소화에 필수적인 장비이며, 가까운 미래에 빅마켓으로 성장될 원전폐로 분야에서도 중요한 역할을 담당할 것으로 예상된다. 현재까지 개발된 방사선 영상장치는 방사선 오염원의 위치를 방향 정보만으로 탐지하여 가시화하고 있고 방사선원의 거리 측정은 불가능한 실정이다. 본 논문에서는 스테레오 카메라 원리를 적용하여 방사선원의 3차원 위치정보를 추출할 수 있는 새로운 기법의 방사선 3차원 영상장치의 구현에 대해 연구하였다. 한 대의 방사선 센서와 CCD 카메라, 그리고 팬틸의 컴팩트한 구성으로 설계된 방사선 3차원 영상장치(K3-RIS)는 위치변환 제어에 의한 스테레오 방사선 영상 취득과 연속모드 제어 및 고속 스테레오 영상정보처리 기능이 특징이다. 개발한 장치의 기능검증을 위해 감마 방사선원(Cs-137)을 대상으로 실험을 수행한 결과 선원간의 거리와 무관하게 3% 이하의 거리측정 오차를 확인하였다.

아크 검출기 관련 규정 마련에 관한 연구 (A study on working out arc detector related regulations)

  • 박용서
    • 디지털융복합연구
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    • 제16권11호
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    • pp.115-122
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    • 2018
  • 국내에서 전기 화재의 70% 이상이 아크로 인하여 발생하고 있다. 본 논문에서는 이를 예방하기 위한 방안을 마련하기 위하여 기존의 누전 차단기에 관한 기술기준 및 규정을 분석하였으며, 아크 검출기에 관한 기술기준 및 규정은 아크의 특성을 고려하여 기존의 누전 차단기에 관한 기술기준 및 규정과는 별도로 제정되어야 한다는 결론을 얻었다. 따라서 본 논문에서는 아크 검출기 관련 규정은 기존 누전 차단기의 관련 규정에 추가 되거나 이것과 별개인 규정으로 제정되어야 한다고 제안하였다. 특히 아크로 인한 화재를 예방하기 위해서는 아크 검출기의 신속한 보급이 필요하고 그 설치를 의무화하는 것이 바람직하다. 따라서 이 같은 여건을 고려했을 때 기존 누전차단기 규정에 아크 검출기 관련 사항들을 추가할 것을 제안하였다. 아크 검출기의 기술 기준에는 아크의 판단 규격과 차단 임계치, 그리고 차단기가 반응하지 말아야 할 불요신호의 범위 등이 반드시 반영되어야 한다.