Sn whiskers are a serious cause of failure in electronic devices as they create short circuits. Sn whisker growth and mitigation have been investigated by many Japanese consortia including JEITA and JAXA. This paper gives an overview about recent researches of JEITA and JAXA.
The tin-lead alloy was electrodeposited in the low range of peak current density in order to investigate the change of composition and microstructure of them. The Pb content of alloy deposits, which was decreased with increasing average current density, was relatively lower than that of D.C. plated alloy deposit. The preferred orientation of alloy deposit was changed with increasing peak current density and the surface morphology of alloy deposits was closely related to the preferred orientation of them.
본 논문은 전자 부품의 Soldring기에 사용되는 접합제를 Flux를 포함한 Solder paste 대신에 도금막을 이용하기 위한 Sn 도금막 형성 프로세스를 검토한 것이다. 반도체 Device를 Packaging한 외부단자(lead frame)과 HIC상의 후막전극(Ag/Pd)과의 접합 및 PCB상의 Cu land와의 접합시에는 스크린 프린트에 의한 Solder Paste가 일반적으로 사용되고 있다. 본 논문은 Fluxless Soldering의 한수단으로 도금막을 lead상에 형성시켜 접합 재료로서의 형성 프로세스 및 도금막의 특성과 도금형성 Paramete와의 관련성을 실험적으로 검토한 것으로 전류밀도 200 A/m$^{2}$의 조건으로 형성한 Sn 도금막이 접합용으로 최적조건임을 밝혔다.
In this study , fluoborte solution consisting of lead fluoborate, tin fluoborate and cupric acetate was used. By addition of small amount of Cu+= ion to the solution, the Cu content of deposition layer was almost controlled less than 5%. The amount of Cu in deposition layer was almost constant without any influence of Pb++ & Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution . Agitation of plating solution & low current density result in the increase of Cu content. Analyzing of microscopic structures and etching tests of the deposited alloy, it was believed that the alloy had a lamellar structure consisting of copper rich lamellar and lead rich layer.
In this work, activated carbon fibers (ACFs) were plated with copper metal using electroless plating method and the effects of surface properties and pore structures on chromium adsorption properties were investigated. Surface properties of ACFs have been characterized using pH and acid/base values. BET data with $N_2$ adsorption were used to obtain the structural parameters of ACFs. The electroless copper plating did significantly lead to a decrease in the surface acidity or to an increase in the surface basicity of ACFs. However, all of the samples possessed a well-developed micropore. The adsorption capacity of Cr(III) for the electroless Cu-plated ACFs was higher than that of the as-received, whereas the adsorption capacity of Cr(VI) for the former was lower than that of the latter. The adsorption rate constants ($K_1$, $K_2$, and $K_3$) were also evaluated from chromium adsorption isotherms. It was found that $K_1$ constant for Cr(III) adsorption depended largely on surface basicity. The increase of Cr(III) adsorption and the decrease of Cr(VI) adsorption were attributed to the formation of metal oxides on ACFs, resulting in increasing the surface basicity.
Sn-3.0Ag-0.5Cu solder is widely used as micro-joining materials of flip chip package(FCP) because of the fact that it causes less dissolution and has good thermal fatigue property. However, compared with ternary electroplating in the manufacturing process, binary electroplating is still used in industrial field because of easy to make plating solution and composition control. The objective of this research is to fabricate Sn-3.0Ag-0.5Cu solder bumping having accurate composition. The ternary Sn-3.0Ag-0.5Cu solder bumping could be made on a Cu pad by sequent binary electroplating of Sn-Cu and Sn-Ag. Composition of the solder was estimated by EDS and ICP-OES. The thickness of the bump was measured using SEM and the microstructure of intermetallic-compounds(IMCs) was observed by SEM and EDS. From the results, contents of Ag and CU found to be at $2.7{\pm}0.3wt%\;and\;0.4{\pm}0.1wt%$, respectively.
Electron beam can provide convenient way to heat the substrate during Hollow Cathode Discharge (HCD) ion plating of Ti(C, N)films. Densification of columnar structrue is enhanced by longer duration of electron beam heating(EBH). While strong(111) texture is identified always to be formed, the amount of (200) oriented grains which coherently interfaced with carbide particles of the substrate increased with heating(EBH). In turns, these crystallogaphical change lead to the increase of micro hardness and adhesion of coating. Adhesion of Ti(C, N) films increased more dramatically in case of ASP30 substrate of which carbide particles dispersed more finely than M42. Therefore, it could be concluded that both the density of film and interfacial structure can affect the adhesion property. Overheating of substrate could be resulted in low adhesion resistance due to high residual stress developed in the film.
Generally, the build-up printed circuit board manufactured by the sequential process with etching, plating, drilling etc. requires many types of equipments and lead time. Etching process is suitable for mass production, however, it is not adequate for manufacturing prototype in the developing stage. In this study, we introduce a screen printing technology to prototyping a build-up printed circuit board. As for the material, photo/thermal curable resin and conductive paste are used for the formation of dielectric and conductor. The build-up structure is made by subsequent processes such as the formation of liquid resin thin layer, the solidification by UV/IR light, and via filling with conductive paste. By use of photo curable resin, productivity is greatly enhanced compared with thermal curable resin. Finally, the basic concept and the possibility of build-up printed circuit board prototyping are proposed in comparison with to the conventional process.
This paper has been researched bondability of electronics devices, such as lead frame and the thick film of Ag/Pd on an alumina substrate by different heat sources. To obtain the bonds with high quality, it is very important to consist of different materials. Therefore, this paper clarifies not only heat mechanism of micro parallel gap resistance bonding method and pulse heat tip bonding method but also investigates selection of heat sources with micro-electronic materials for bonding. Finally, it is realized fluxless bonding process with filler metal such as plating layers.
This paper has been researched bondability of electronic devices, such as lead frame and thick film of Ag/Pd on an alumina substrate by different heat sources. To obtain the bonds with high quality, it is very important to control both the thermal distribution of the bonds and it stability, because electronics components is consist of different materials. Therefore, this paper clarifies not only heat mechanism of micro parallel gap resistance bonding method and pulse heat tip bonding method but also investigates selection of heat sources with micro-electronic materials for bonding. Finally, it is realzed fluxless bonding process with filler metal such as plating layers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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