ZnO and phosphorus doped ZnO thin films (ZnO:P) are deposited by pulsed laser deposition grown on (001) $Al_{2}O_{3}$. ZnO/ZnO:P/ZnO/$Al_{2}O_{3}$ (multi-layer) structure was used for phosphorus doped ZnO fabrication. This multi-layer structure thin film was annealed at $400^{\circ}C$ for 40 min. The electron concentration of that was changed from $10^{19}$ to $10^{16}/cm^{-3}$ after annealing. ZnO thin films with encapsulated structure showed the enhanced structural and optical properties than phosphorus doped ZnO without encapsulated layer. In this study, encapsulated ZnO structure was suggested to enhance electrical, structural and optical properties of phosphorus doped ZnO thin film and it was identified that encapsulated structure could be used to fabricate high quality phosphorus doped ZnO thin film.
The large-space single-layer lattice dome is relatively simpler in terms of the arrangement of the various framework members and of the design of the junction than the multi-layered lattice dome, can reduce the numbers and quantity of the framework members, and has the merit of exposing the beauty of the framework as it stands. The single-layer lattice dome, however, requires a stability investigation of the whole structure itself, along with an analysis of the stress of the framework members, because an unstable phenomenon called "buckling" occurs when its weight reaches critical levels. Many researchers have systematically conducted researches on the stability evaluation of the single-layer lattice dome. No construction case of a single-layer lattice dome with a 300-m-long span, however, has yet been reported anywhere in the world. The large-space dome structure is difficult to erect due to the gigantic span and higher ceiling compared with other common buildings, and its construction cost is generally huge. The method of erecting a structure causes major differences in the construction cost and period. Therefore, many researchers have been conducting various researches on the method of erecting such structure. The step-up method developed by these authors can reduce the construction cost and period to a great extent compared with the other general methods, but the application of this method inevitably requires the development of system supports in the center section as well as pre-existing supports in the boundary sections. In this research, the safety during the construction of a single-layer lattice dome with 300-m-long span using pre-existing materials was examined in the aspect of structural strength, and the basic data required for manufacturing the supports in the application of the step-up method developed by these authors during the erection of the roof structure were obtained.
To investigate the possibility of the $ZrO_2$ buffer layer as the insulator for the Metal-Ferroelectric-Insulator-semiconductor (MFIS) structure, $ZrO_2$ and $SrBi_2Ta_2O_9$ (SBT) thin films were deposited on the P-type Si(111) wafer by the R.F. magnetron-sputtering method. According to the process with and without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer and SBT thin film, the diffusion amount of Sr, Bi, Ta elements show slight difference through the Glow Discharge Spectrometer (GDS) analysis. From X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS) results, we could confirm that the post-annealing process affects the chemical binding condition of the interface between the $ZrO_2$ thin film and the Si substrate. Compared to the MFIS structure without the post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer, memory window value of MFlS structure with post-annealing of the $ZrO_2$ buffer layer were considerably improved. The window memory of the Pt/SBT (260 nm, $800^{\circ}C)/ZrO_2$ (20 nm) structure increases from 0.75 to 2.2 V under the applied voltage of 9 V after post-annealing.
본 논문에서는 다층형 결합 선로를 이용한 6-단자 위상 상관기와 동일한 구조를 갖는 반송파 복원기 그리고 위상 변위기를 갖는 일원화된 6-단자 직접변환 수신 전처리부를 설계 제작한다. 전력 분배기와 하이브리드 결합기로 구성되는 6-단자 소자는 다층형 결합 선로 구조로 이루어지며, 수신부 위상 상관기와 반송파 복원기 그리고 위상 변위기의 기본 구조 요소로 작용한다. 다층형 결합 선로 구조로 구성되는 일원화된 수신 전처리부는 구성이 간단하고 집적화가 용이하다. 설계 제작된 다층형 결합 구조 6-단자 수신 전처리부는 일정한 반송파 신호를 재생하고, PSK 전송 신호를 복원한다.
The purpose of this study was to propose an ecological management plan by the comprehensive analysis of biotope structures on Namsan Urban Natural Park in Seoul. Classified by actual vegetation, structure of layer and vegetation damage, biotope structures were composed of forest area, compact management area, herb area, cultivated area and non-ecology(urban) area. Succession had seened to stop in the Native forest. Artifical forest was divided into two types. The first, upper layer, was too dense to accommodate lower layer plants, the other case was the appearance of Quercus spp. and the first stage plants of succession following the declination of the upper layer plants. The soil pH of Nam-san Urban Park was 4.21∼4.51, which meant the soil was becoming acid. As the result of acidity, leaching of available nutrition(K/sup +/, NH₄/sup +/, Ca/sup ++/ etc.) was immediately influenced by the natural ecosystem, influence of acid rain was disturbed to becoming organic matter which was use to plants. In the case of a biotope structure management plan, the urban area was prohibited to spread outside. Cultivated and herb area was regenerated to natural forest. In the forest area, the compact management area was maintained with its present condition, and then it is desirable to make a preservation area and to plant shrubs. Planted Pinus densiflora Community was needed to eliminate competitive species of canopy layer, and plant shrubs. Management of deciduous broad-leaved Comm. was maintained in its present conditionand it is desirable to raise the diversity of the understory and shrub layer. The management of the artifical forest seems to be suitable for Q. spp. community. The care of naturalized plants prevents the expansion and restores the structure of wild plants. The soil management was a marked restoration soil ecosystem in order to prevent soil acid and drying.
We have studied conduction mechanism that is interpreted in terms of space charge limited current (SCLC) region and tunneling region. The OLEDs are based on the molecular compounds, N,N'-diphenyl-N,N'-bis(3-methylphenyl)-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine (TPD) as a hole transport, tris (8- hydroxyquinolinoline) aluminum(III) $(Alq_3)$ as an electron injection and transport and emitting later, copper phthalocyanine (CuPc) and poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS) and poly(vinylcarbazole) (PVK) as a buffer layer respectively. Al was used as cathode. We manufactured reference structure that has in ITO/TPD/$Alq_3$/Al. Buffer layer effects were compared to reference structure. And we have analyzed out luminance efficiency-voltage characteristics in ITO/Buffer layer/TPD/$Alq_3$/Al with buffer-layer materials.
Coating brittle intermetallic compounds on metal can enlarge the range of their use. It is found that intermetallic compound coating layers made by only combustion synthesis in an electric furnace have porous multi-phase structures containing several intermediate phases, even though the coating layers show good wear resistance. In this study, dense $Ni_{3}Al$ single phase layer corresponding to the initial composition of the mixed powder is coated on two different ferrous materials by the diffusing treatment after combustion synthesis. After- ward, sliding wear behaviors of the coating layer are evaluated in comparison with that of the coating layer with porous multi-phase structure made by only combustion synthesis. As a result, the wear properties of the coating layer composed of dense $Ni_{3}Al$ single phase are considerably improved at the range of low sliding speed com- pared with that of the coating layer with porous multi-phase structure, particularly in the running-in wear region. This is attributed to the fact that wear of the coating layer is progressed by shearing as a sequence of adhesion, not by occurring of pitting on the worn surface due to having dense structure without pores.
본 연구에서는 차세대 디스플레이 소자로 각광을 받고 있는 유기발광 소자의 전기적인 특성을 해석적으로 접근하였다. 기본적인 OLED의 동작 메카니즘은 일함수(work function)가 낮은 음극(cathode) 전극으로부터 주입된 전자(electron)와 양극(anode) 전극으로 주입된 정공(hole)이 수송층을 지나 발광층으로 유입되어 여기상태(exciton state)를 거치며 재결합함으로써 발광되는 것으로 알려져 있다. 따라서 음극과 양극을 통해 들어오는 수송자(carrier)들이 원활한 전자-정공 쌍(electron - hole pair)을 이루기 위해 다층 박막 구조로 소자를 제작하여 높은 에너지 장벽을 완만하게 만들고 또한 박막의 두께를 조절하여 정공과 전자의 이동도 밸런스(balance)를 맞추어 수송자-전자와 정공-들이 수송층(CTL : carrier transport layer)을 통해 발광층(EML : emitting material layer)으로 주입을 용이하게 만든다 따라서 본 논문에서는 유기 발광소자의 최적의 발광특성을 얻기 위해서는 수치 해석을 통한 가장 높은 발광 효율을 가지게되는 박막의 두께를 예측하고 예측된 유기발광소자의 수치해석 값이 실제 제작된 소자의 특성 값과 일치하여 타당성이 있음을 증명하고자 한다.
Cao, Yan;Musharavati, Farayi;Baharom, Shahrizan;Talebizadehsardari, Pouyan;Sebaey, Tamer A.;Eyvazian, Arameh;Zain, Azlan Mohd
Steel and Composite Structures
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제37권2호
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pp.253-258
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2020
Vibration response in a sandwich plate with a nanocompiste core covered by magnetic layer is presented. The core is armed by functionalyy graded-carbon nanotubes (FG-CNTs) where the Mori-Tanaka law is utilized assuming agglomeration effects. The structure plate is located on elastic medium simulated by Pasternak model. The governing equations are derived based on Mindlin theory and Hamilton's principle. Utilizing diffrential quadrature method (DQM), the frequency of the structure is calculated and the effects of magnetic layer, volume percent and agglomeration of CNTs, elastic medium and geometrical parameters of structure are shown on the frequency of system. Results indicate that with considering magnetic layer, the frequency of structure is increased.
The MFIS capacitors were fabricated using a metalorganic decomposition method. Thin layers of $ZrO_2$ and $CeO_2$ were deposited as a buffer layer on Si substrate and BLT thin films were used as a ferroelectric layer. The electrical and structural properties of the MFIS structure were investigated. X -ray diffraction was used to determine the phase of the BLT thin films and the quality of the $ZrO_2$ and $CeO_2$ layer. AES show no interdiffusion and the formation of amorphous $SiO_2$ layer is suppressed by using the $ZrO_2$ and $CeO_2$ film as buffer layer between the BLT film and Si substrate. The width of the memory window in the C-V curves for the $BLT/ZrO_2/Si$ and $BLT/CeO_2/Si$ structure is 2.94 V and 1.3V, respectively. The experimental results show that the BLT-based MFIS structure is suitable for non-volatile memory FETs with large memory window.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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