• 제목/요약/키워드: Lasing

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Lasing properties of the $lima{\varsigma}on$-shaped microcavity

  • Yi, Chang-Hwan;Kim, Myung-Woon;Lee, Sang-Hun;Kim, Chil-Min
    • 한국광학회:학술대회논문집
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    • 한국광학회 2009년도 창립 20주년기념 특별학술발표회
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    • pp.233-234
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    • 2009
  • In this paper, we report the characteristics of the continuous wave laser output of the $lima{\varsigma}on$-shaped InGaAsP microcavity laser pumped by current injection. In order to find the directions of emission far-field patterns are measureed by rotating an optical fiber around the microcavity. We observe high directionality of the $lima{\varsigma}on$-shaped microcavity laser. For the analysis of lasing properties we also investigate its polarization and spectrum using the Glan-Thompson polarizer and spectrum analyzer.

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압축응력 다중양자우물 구조 InGaAs/InGaAsP PBH-DFB-LD의 제작과 특성 평가 (Fabrication and characterization of InGaAs/InGaAsP strained multiple quantum well PBH-DFB-LDs)

  • 이정기;장동훈;조호성;박경현;김정수;김홍만;박형무
    • 전자공학회논문지A
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    • 제32A권8호
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    • pp.119-125
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    • 1995
  • Strained multiple quantum well(SMQW) PBH-DFB-LDs emitting at 1.55$\mu$m wavelength has been fabricated using OMVPE and LPE crystal growth tecnique. Using the SMQW active layer, a linewidty enhancement factor of 2.65 was obtained at lasing wavelength and consequnently, packaged 42 modules showed a very low average chirp of 0.44nm at 2.5Gbps NRZ direct modulation. The 77 devices showed average threshold current of 8.72mA and average slope efficiency of 0.181 mW/mA, and single longitudinal mode operation with SMSR larger than 30dB up to 5mW. Among the 77 devices, standard deviation of lasing wavelength of 3.57nm was obtained owing to a good crystal growth uniformity.

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Improved Performance of 1.55 ㎛ InGaAsP/InP Superluminescent Diodes by Tapered Stripe Structure

  • Choi Young-Kyu
    • KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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    • 제5C권1호
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    • pp.39-43
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    • 2005
  • We proposed a structure for a 1.55 ㎛ strained separate confinement heterostructure (SCH) multi- quantum well (MQW) superluminescent diode (SLD), having a tapered active region. SLD was fabricated through a two-step procedure: the first step being metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and the second-step being liquid phase epitaxy (LPE). We used a 15 laterally tilted stripe and window region to suppress the lasing action of the SLD. The performance of the SLD showed output power of 11 mW with no lasing under 200 mA pulse driving. The full-width at half-maximum was 42 nm at 200 mA, 25℃.

Nd:LSB 마이크로 칩 레이저 연구 (Research of Nd:LSB microchip laser)

  • 장원권;김태훈;유영문
    • 한국광학회지
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    • 제13권6호
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    • pp.554-558
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    • 2002
  • 초소형 마이크로 칩 형태의 새로운 레이저 매질인 Nd:LSB(Nd$^{3+}$ :Lasc$_3$(BO$_3$)$_4$/. lanthanum scandium borate)chralski pulling method에 의해 성장하여 광학 특성 조사 및 레이저 발진 실험을 하였다. 광학적, 화학적, 역학적 특성을 모두 그대로 유지한 채 높은 농도로 Nd$^{3+}$ 이온의 도핑이 가능한 Nd:LSB의 결정 특성 및 광학 특성을 기존의 다른 Nd형 레이저 매질과 비교하고, 흡수 및 형광 스펙트럼과 형광 수명 등을 조사하였으며. 결정 구조를 분석하였다. 또한 Ti:sapphi e 레이저를 펌핑 광원으로 하였을 때 레이저 발진 특성을 조사하였다.

1.561um에서 동작하는 MQW 도파로형 Depleted Optical Thyristor의 레이징 특성 분석 (Lasing Characteristics of MQW Waveguide-type Depleted Optical Thristor Operating at 1.561um)

  • 최운경;김두근;최영완;이석;우덕하;김선호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제41권1호
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    • pp.29-34
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    • 2004
  • 본 연구에서는 광통신 시스템에 응용할 수 있는 InGaAs/lnGaAsP 다중 양자 우물의 장파장용 완전 공핍 광 싸이리스터(depleted optical thyristor)를 제안하고, 도파로 형태로 소자를 제작하여, 최초로 레이징 특성을 측정 분석하였다. 먼저, 완전공핍 광 싸이리스터에 있어서 스위칭 전압과 전류는 각각 4.63 V 와 10uA로 측정되었고, 홀딩 전압(holding voltage)과 전류는 각각 0.59V, 20uA에서 그 특성이 나타났다. 또한, 레이징 되는 문턱 전류(threshold current)는 $25^{\circ}C$에서 111 mA, $10^{\circ}C$에서 72.5 mA로 각각 나타났으며, 문턱 전류의 약 1.41배에 해당하는 동작 전류에서 측정된 레이징 중심 파장은 1.561um로 나타남을 확인하였다.

이득 분산이 다중 영역 복소 결합 DFB 레이저의 Self-Pulsation 특성에 미치는 효과 (Effect of Gain Dispersion on the Characteristics of Self-Pulsation in a Multisection Complex-Coupled DFB Laser)

  • 김태영;김부균
    • 한국광학회지
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    • 제18권1호
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    • pp.56-65
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    • 2007
  • 이득 분산이 두 개의 복소 결합 DFB 영역과 위상조정 영역으로 구성되는 다중 영역 복소 결합 DFB 레이저에서 발진하는 두 모드의 비팅에 의한 self-pulsation (SP) 주파수와 출력 파워의 변조지수에 미치는 영향에 대하여 살펴보았다. 능동 영역의 이득이 최대가 되는 파장을 두 DFB 영역의 발진 모드의 파장 중심 또는 브래그 파장 중심에 위치시킨 경우가 특정 DFB 영역의 발진 모드의 파장 또는 브래그 파장에 위치시킨 경우에 비하여 두 DFB 영역의 브래그 파장 차이, ${\Dalta}{\lambda}_{B}$, 증가에 따른 두 발진 모드가 받는 이득 차이가 적게 발생하여 최대 SP 주파수가 크고, 변조지수 특성도 좋음을 볼 수 있었다. 또한 능동 영역의 이득이 최대가 되는 파장을 두 DFB 영역의 브래그 파장 중심에 위치시키는 경우가 발진 모드의 파장 중심에 위치시키는 경우에 비하여 더 큰 최대 SP 주파수를 얻을 수 있었고 변조지수 특성도 더 우수함을 볼 수 있었다.

Pulsed Nd:YAG 레이저로 유발된 백서 설점막 창상의 조직학적 변화-수술칼에 의해 형성된 창상과의 비교 실험 (Histological Changes of the Wound in the Tongue Mucosa of White Rats by Pulsed Nd:YAG Laser - A Comparative Experiment with the Scalpel Incision)

  • 박준상;박미희;박봉수
    • Journal of Oral Medicine and Pain
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    • 제22권1호
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    • pp.125-135
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    • 1997
  • The Author examined the clinical and histological changes on the dorsal tongue mucosa of the adult rats after lasing by pulsed Nd:YAG laser and incising with scalpel. The dorsal tongue was lased through 320$\mu\textrm{m}$optic fiber moving 2.5mm/second to make linear incision 5mm. The five conditions of lasing were three application with 1.0W, 1.75W, 3.0W and 3.0W under saline cooling, and single application with 3.0W at 20Hz. With scalpel, linear incisions through the surface epithelium were performed to 5mm in length. After observing the clinical changes of the incised wounds, the animals were sacrified and the tissues were excised to make the tissue specimens. The stained microscopic tissue slide were observed histologically under the microscope. The following results were obtained : 1. While incision with scalpel causes severe bleeding, lasing does not cause bleeding. 2. In three applications with 1.75W and 20Hz, tissue ablation was limited to areas contacted with optic fiber. 3. In three applications with 3.0W and 20Hz, deep incised wound, extensive destruction of the adjacent epithelium and charring were observed. 4. In three applications with 3.0W and 20Hz under saline cooling, tissue ablation was limite to the superficial mucosa and charring was not observed. 5. In single application with 3.0W and 20Hz, the shape of the incised wound was similar to that of the scalpel incision.

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GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성 (Lasing Characteristics of GaAs-Based 1300 nm Wavelength Region InAs Quantum Dot Laser Diode)

  • 김광웅;조남기;송진동;이정일;박정호;이유종;최원준
    • 한국진공학회지
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    • 제18권4호
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    • pp.266-271
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    • 2009
  • Migration Enhanced Molecular Beam Epitaxy를 통해 성장한 GaAs 기반 1300 nm 파장대역 InAs 양자점 레이저 다이오드의 발진 특성을 연구하였다. 펄스 및 상온 연속 동작에서 전류 주입 및 동작 온도 변화에 따른 L-I 특성과 발진 스펙트럼 측정을 통해 바닥준위(1302 nm)에서 여기준위(1206 nm)로의 발진 파장의 전환을 관찰하였으며 이는 양자점 바닥준위 이득의 포화로 이해된다. 상온 펄스 동작시 문턱전류 밀도는 92 A/$cm^2$, 발진 파장은 1311 nm이며, 상온 연속 동작시 문턱전류 밀도는 247 A/$cm^2$, 발진 파장은 1320 nm이다.