헬리콘 플라즈마를 이용한 $Ge_2Sb_2Te_5(GST)$ 상변화 재료의 식각 특성 검토
(Etching Characteristics of $Ge_2Sb_2Te_5$ Using High-Density Helicon Plasma for the Nonvolatile Phase Change Memory Applications)
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- 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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- 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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- pp.203-206
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- 2004