• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.108-111
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• 2001

ZnO thin films on (001) sapphire substrates knave been deposited by pulsed laser deposition(PLD) technique for light emitting device applications. We have controlled the emission intensity of UV and visible light, depending on film thickness and various post-annealing time. UV emission became strong as the thickness of ZnO thin films increased. The intensity of visible light was strong as post-annealing temperature increased. The optical properties of the ZnO thin films were characterized by PL(photoluminescence) and the structural properties of the ZnO were characterized by XRD for the application of ZnO light emission device.

• 한국의류산업학회지
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• 제22권1호
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• pp.55-65
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• 2020

Smart photonic clothing integrates light emitting technology inside and outside of the garment and integrates it as a fashion product. It expresses digital color that radiates light outside the body that expands the functionality of the clothing as well as makes new and various attempts visually. It is also is gradually expanding into a new area of fashion. LED, one of the digital color output devices, is a light emitting device that is suitable for presenting consumer customized designs in that the patterns and colors of clothes can be modified as desired by utilizing computer technology such as program coding. LED technology that can realize various digital colors is actively applied in various industrial design fields, but there are few previous studies on smart clothes using LED color in Korean fashion fields. Therefore, this study develops a prototype of a customized LED smart photonic garment that allows the user to directly participate in the color implementation of clothing and select a digital color suitable for the desired function. The LED module was designed to be detachable from clothing and made using a 256-pixel LED matrix. Various coding patterns of the LED were designed using the coding change of Arduino program.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권12호
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• pp.1087-1092
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• 2007

We developed the 4-channel Light Medical Therapy Apparatus for Skin Injury Cure using a high brightness LED. This equipment was fabricated using a micro-controller and a high brightness LED, and designed to enable us to control light irradiation time, intensity and reservation. In this paper, the designed device was used to find out how high brightness LED light affects the skin injury of SD-Rat(Sprague-Dawley Rat). In the experiment, $1\;cm^2$ wounds on the skin injury of SD-Rat(Sprague-Dawley Rat) were made. Light irradiation group and none light irradiation group divided, each group was irradiated one hour a day for 14 days. In result, compared with none light irradiation group, the lower incidence of inflammation and faster recovery was shown in light irradiation group.

• 한국진공학회지
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• 제21권3호
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• pp.164-170
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• 2012

청색 발광다이오드(LED) InGaN/GaN의 방사 피크 파장에 따른 LED 소자의 성능 저하를 광학적 및 전기적 특성을 고려하여 조사하였다. 방사 피크 파장이 437~452 nm인 LED 소자에 전류를 각각 60 mA, 75 mA, 그리고 90 mA로 구동하여 장시간 동안 스트레스를 주었다. 형광체의 유무에 따라서 LED 소자의 광 감쇠 특성을 관측하였다. 형광체가 없는 소자의 광 감쇠 특성은 피크 파장이 단파장일수록 급속하게 떨어진다. 형광체가 있는 소자는 형광체가 없는 것보다 감쇠 특성이 둔감해진다. 전기적 특성은 방사 피크 파장에 의존하지 않고, 스트레스 시간에 따른 LED의 내부 저항이 서서히 증가하는 현상으로 나타난다. 피크 파장에 따른 외형변화는 동일 전류 조건에서 단파장일 때 열화현상이 심하게 발생한다. 이는 청색 발광다이오드에서 발생한 빛의 파장이 단파장영역으로 갈수록 칩 외의 재료에서 단파장 광 흡수가 증가하여 열화현상이 가속화되는 것으로 분석된다. 따라서 LED 소자의 장수명을 얻기 위해서는 청색 칩의 방사 피크 파장과 소자재료의 광 열화해석이 중요하다.

• ETRI Journal
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• 제35권4호
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• pp.566-570
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• 2013

In this paper, we demonstrate the capabilities of 380-nm ultraviolet (UV) light-emitting diodes (LEDs) using metal organic chemical vapor deposition. The epi-structure of these LEDs consists of InGaN/AlGaN multiple quantum wells on a patterned sapphire substrate, and the devices are fabricated using a conventional LED process. The LEDs are packaged with a type of surface mount device with Al-metal. A UV LED can emit light at 383.3 nm, and its maximum output power is 118.4 mW at 350 mA.

• 전력전자학회논문지
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• 제16권4호
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• pp.358-365
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• 2011

LED는 친환경적 특성, 긴 수명, 우수한 효율 등의 장점이 있어 최근 기존의 백열전등 및 형광등을 대체하는 조명 수단으로 각광받고 있다. 또한, LED는 전기를 빛으로 변환하는 속도가 굉장히 빠른 반도체로 정보의 변조 및 인코딩이 용이하기 때문에 통신 소자로서 활용이 가능하다. 이를 이용하여 기존의 조명 기능을 수행함과 동시에 부가적으로 근거리 무선 통신을 수행하는 것을 가시광 통신 시스템이라 한다. 기존의 전압원 구동 가시광 통신 시스템의 경우, 스위치의 선형 영역 구동으로 인해 전력 변환 효율의 저하 및 발열이 심각하였다. 본 논문에서는 스위치를 스위칭 영역에서 구동시킴으로써 전력 변환 효율과 발열의 획기적인 개선이 가능한 고효율 스위칭 방식의 LED 드라이버를 제안한다. 또한 3MHz 무선 오디오 통신 시스템에 제안된 20W급 LED 드라이버를 적용하여 그 타당성을 검증한다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.388-393
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• 2018

본 논문은 고효율 리플렉터 일체형 50W급 AC 직결형 엔진을 개발하여 SMPS 사용하지 않고 제품의 소형화 및 경량화를 구현하여 소비자가 편리하게 사용하고, AC Driver의 취약한 부분을 보완하기 위해 다단 바리스터 회로를 설계하여 전자 부품 수량 감소를 통한 원가절감 전해 콘덴서를 사용하지 않는 회로 구성으로 고신뢰성을 구현 하여 LED수명을 증대시켰다. 또한 AC 직결형 구동장치를 IC 반도체로 제작하여 리플렉터 일체형으로 AC 직결형 구동장치를 적용 하여 제작 그 수명을 LED의 온전한 수명을 모두 사용할 수 있는 장치와 발광 다이오드 조명 장치의 제어 회로에 하나 이상의 발광다이오드를 포함하는 여러 개의 발광 다이오드 채널이 직렬로 구성되는 광원을 정류 전압으로 구동하는 발광 다이오드 조명 장치의 제어회로를 제안하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.451-451
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• 2012

Instead of a highly toxic CdSe and ZnScore-shell,InP/ZnSecore-shell quantum dots [1,2] were investigated as an active material for quantum dot light emitting diode (QD-LED). In this paper, aquantum dot light-emitting diode (QDLED), consisting of a InP/ZnS core-shell type materials, with the device structure of glass/indium-tin-oxide (ITO)/PEDOT:PSS/Poly-TPD/InP-ZnS core-shell quantum dot/Cesium carbonate(CsCO3)/Al was fabricated through a simple spin coating technique. The resulting InP/ZnS core-shell QDs, emitting near blue green wavelength, were more efficient than the above CdSe QDs, and their luminescent properties were comparable to those of CdSe QDs.Thebrightness ofInP/ZnS QDLED was maximumof 179cd/m2.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권4호
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• pp.6-10
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• 2020

The silver nanowires (AgNWs) were synthesized by the conventional polyol process, which revealed 25 ㎛ and 30 nm of average length and diameter, respectively. The synthesized AgNWs were applied to the CdSe/CdZnS quantum dot (QD) based transparent light-emitting device (LED). The device using a randomly networked AgNWs electrode had some problems such as the high threshold voltage (for operating the device) due to the random pores from the networked AgNWs. As a method of improvement, a composite electrode was formed by overlaying the ZnO:Ga on the AgNWs network. The device used the composite electrode revealed a low threshold voltage (4.4 Vth) and high current density compared to the AgNWs only electrode device. The brightness and current density of the device using composite electrode were 55.57 cd/㎡ and 41.54 mA/㎠ at the operating voltage of 12.8 V, respectively, while the brightness and current density of the device using (single) AgNWs only were 1.71 cd/㎡ and 2.05 mA/㎠ at the same operating voltage. The transmittance of the device revealed 65 % in a range of visible light. Besides the reliability of the devices was confirmed that the device using the composite electrode revealed 2 times longer lifetime than that of the AgNWs only electrode device.

• 조명전기설비학회논문지
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• 제29권8호
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• pp.1-6
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• 2015

In this paper, we propose the LED(Light-Emitting-Diode) emergency lighting in a tunnel by using the thermoelectric devices. To achieve high generated power, thermoelectric device should be have high Seebeck coefficient and small contact area. Also, we reveal that a moderate heatsink required for high generated power. From the waste heat of LED tunnel lighting module (25W), the generated power was 0.062W by thermoelectric device, and it could illuminate for 1hour after charge the battery of emergency lighting during about 101hours.