• 원예과학기술지
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• 제19권3호
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• pp.352-357
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• 2001

깎기눈접으로 사과나무 우량묘목을 생산하고자 할 경우 생산성을 높이기 위한 몇 가지 기술을 개발하고자 본 시험을 수행하였다. 적정 깎기눈접 시기를 구명하고자 8월 5일부터 9월 24일까지 10일 간격으로 접목하고 활착률과 생육을 조사하였던 바 8월 중순부터 9월 상순까지가 깎기눈접 적기인 것으로 판단되었고 접목테이프는 접목 6-8주 후에 제거하는 것이 알맞은 것으로 나타났다. 깎기눈접시 작업능률을 높이기 위하여 미리 접눈을 깎아 $25^{\circ}C$의 물에 5시간까지 침지하여 두어도 접목 활착이나 활착 후 생장에 영향을 미치지 않았으나 $35^{\circ}C$의 물에서는 3시간 침지하여도 접목성공률이 떨어지고 생장도 불량하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제31권3호
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• pp.10-17
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• 2024

본 논문은 전자 기기의 소형화와 유연성을 실현하기 위한 플렉시블 패키징 핵심 기술 중 하나인 Chip On Film(COF) 기술에 대해 논의합니다. COF는 Display Driver IC(DDI)를 유연한 폴리이미드(Polyimide) 기판에 직접 부착하여, 고해상도 디스플레이의 경량화와 두께 감소를 가능하게 합니다. COF 기술은 주로 Organic Light Emitting Diode(OLED) 디스플레이와 같은 고성능 디스플레이 패널에서 사용되며, 스마트폰과 웨어러블 기기와 같은 휴대용 전자 장치에서 핵심적인 역할을 합니다. 본 연구에서는 COF의 주요 구성 요소 및 본딩 기술의 발전을 분석합니다. 특히, 열압착(Thermo-Compression Bonding), 초음파 본딩(Thermo-sonic Bonding)과 같은 최신 본딩 기법의 도입으로, 본딩 신뢰성 및 전기적 성능이 크게 향상되었습니다. 이러한 본딩 기술은 미세 피치 구조에서 높은 전기적 연결성을 유지하면서도, COF 패키지의 기계적 안정성을 강화합니다. 또한, COF 본딩 기술의 향후 발전 방향과 그에 따른 도전 과제를 논의하며, 차세대 디스플레이 및 Advanced 패키징 기술로서의 가능성을 조망합니다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.347-348
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• 2008

The main goal of this work is advances in 1.0mm $\times$ 0.5mm light emitting diode using AlInGaN cell structure and display module. In the first place, we proposed $200{\mu}m{\times}200{\mu}m$ cell structure using AlInGaN. Secondly, we describe new type 1.0mm $\times$ 0.5mm blue and white LED fabrication procedure and results of an examination include mobile application.

• 한국컴퓨터정보학회논문지
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• 제16권1호
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• pp.11-18
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• 2011

본 연구에서는 RFID 카드 접촉에 의해 시스템 전원을 개폐하는 방식의 디지털 보안 장치를 개발했다. 이는 무선 데이터 송/수신 회로기반으로 설계되었으며, RS-232C전용 칩을 내장하여 컴퓨터나 기타 디지털 기기에도 적용할 수 있다. LED를 장착하여 본 장치의 동작 여부를 점검 할 수 있다. 본 시스템에서 13.56MHz의 주파수 회로가 ID 카드에 전원을 공급하고, 카드 유무를 체크하기 위해 DC 입력단이 카드의 필드 내 근접여부를 확인한다. 본 시스템의 보안 수준은 비교시스템[13]에 비해 보안 수준이 아주 강력하다. 어떤 사용자일경우라도RFID 카드를 이용하지 않으면 시스템을 사용할 수 없다. 인가된 경로 외의 모든 불법적인 접근이 차단된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.303-304
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• 2005

In this paper, we report a fluxless eutectic die bonding process which uses 80Au-20Sn eutectic alloy. The chip LEDs are picked and placed on silicon substrate wafers. The bonding process temperatures and force are $305\sim345^{\circ}C$ and 10$\sim$100gf, respectively. The bonding process was performed on graphite heater with nitrogen atmosphere. The quality of bonding are evaluated by shear test and thermal resistance. Results of fluxless eutectic die bonding show that shear strength is Max. 3.85kgf at 345$^{\circ}C$ /100gf and thermal resistance of junction to die bonding is Min. 3.09K/W at 325$^{\circ}C$/100gf.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제19권2호
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• pp.22-25
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• 2020

Deep red EuSi₂O₂N₂ phosphors were synthesized under various sintering gas pressures (1 atm, 2 atm, and 3 atm). They were in good agreement with the standard EuSi₂O₂N₂ ICSD card # 41-6046 (a monoclinic crystal system with space group of P2₁/a). Their photoluminescence intensities were significantly increased with increasing the gas pressures. They showed a broad band emission peaking at 680 nm due to 4f⁶5d¹ - 4f⁷ of Eu²⁺ ion, which can be efficiently excited in the visible range up to 550 nm. The best one at 3 atm was applied for red LED based on blue chip, which showed the strong deep red emission.

• 융복합기술연구소 논문집
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• 제4권1호
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• pp.21-27
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• 2014

White LEDs (light-emitting diodes) are promising new-generation light sources which can replace conventional lamps due to their high reliability, low energy consumption and eco-friendly effects. This paper briefly reviews recent progress of oxy/nitride host phosphor and quantum dot materials with broad excitation band characteristics for phosphor-converted white LEDs. Among oxy/nitride host materials, $M_2Si_5N_8:Eu^{2+}$, $MAlSiN_3:Eu^{2+}$ M-SiON(M=Ca, Sr, Ba), ${\alpha}/{\beta}-SiAlON:Eu^{2+}$ are excellent phosphors for white LED using blue-emitting chip. They have very broad excitation bands in the range of 440-460 nm and exhibit emission from green to red. In this paper, In this review we focus on recent developments in the crystal structure, luminescence and applications of the oxy/nitride phosphors for white LEDs. In addition, the application prospects and current trends of research and development of quantum dot phosphors are also discussed.

• 한국광학회지
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• 제35권3호
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• pp.95-106
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• 2024

일반 백색 LED의 연색성을 보완하기 위해 적색 양자점을 선택적으로 활용함으로써 고연색성 조명을 구현하는 연구가 최근 활발하다. 본 논문에서는 최근 이루어지고 있는 원격 양자점 부품 연구 및 이를 활용한 고연색성 조명 개발의 현황에 대해 소개한다. 특히 양자점 부품이 배치되는 조명의 광구조 최적화에 있어서 중요하게 고려해야 할 다양한 요소를 집중적으로 논의함으로써 향후 고연색성 조명 연구의 방향 및 전망까지 다루고자 했다.

• 한국진공학회지
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• 제20권4호
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• pp.288-293
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• 2011

본 논문은 InGaN/GaN 다중양자우물 구조를 가지는 녹색 발광다이오드의 활성층 내 인듐(In) 조성비와 piezoelectric field에 대한 전계 흡수 현상을 연구하였다. 활성층 내 결정학적 성질과 In 조성비는 double crystal X-ray diffraction 측정으로 분석하였으며, $1{\times}1\;mm^2$ 대면적 칩을 제작하여 발광특성을 조사하였다. 또한, 활성층 내 piezoelectric field는 electro-reflectance spectroscopy로부터 측정한 compensation voltage를 이용해 계산하였고, 인가전압에 따른 photocurrent의 변화를 측정함으로써 녹색 발광 소자의 전기 광학적 특성을 분석하였다.

• 한국재료학회지
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• 제15권10호
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• pp.626-631
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• 2005

GaN-related compound semiconductors were grown on the corrugated interface substrate using a metalorganic chemical vapor deposition system to increase the optical power of white LEDs. The patterning of substrate for enhancing the extraction efficiency was processed using an inductively coupled plasma reactive ion etching system and the surface morphology of the etched sapphire wafer and that of the non-etched surface were investigated using an atomic force microscope. The structural and optical properties of GaN grown on the corrugated interface substrate were characterized by a high-resolution x-ray diffraction, transmission electron microscopy, atomic force microscope and photoluminescence. The roughness of the etched sapphire wafer was higher than that of the non-etched one. The surface of III-nitride films grown on the hemispherically patterned wafer showed the nano-sized pin-holes that were not grown partially. In this case, the leakage current of the LED chip at the reverse bias was abruptly increased. The reason is that the hemispherically patterned region doesn't have (0001) plane that is favor for GaN growth. The lateral growth of the GaN layer grown on (0001) plane located in between the patterns was enhanced by raising the growth temperature ana lowering the reactor pressure resulting in the smooth surface over the patterned region. The crystal quality of GaN on the patterned substrate was also similar with that of GaN on the conventional substrate and no defect was detected in the interface. The optical power of the LED on the patterned substrate was $14\%$ higher than that on the conventional substrate due to the increased extraction efficiency.