• 대한전자공학회논문지SD
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• 제43권11호
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• pp.77-82
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• 2006

직접 변환 방식의 IEEE 802.11a 무선랜 수신기에 사용되는 아날로그 채널 선택 필터에 대하여 기술한다. 채널 선택필터는 10MHz의 차단주파수를 갖는 5차의 체비셰프 필터이며 active-RC 구조로 설계되었다. 2단의 연산증폭기를 사용하였는데, 전력 소모를 최소화하기 위하여 전류재사용 feedforward 주파수 보상 방법을 사용하였다. 필터는 $0.l8{\mu}m$ CMOS 공정을 사용하여 제작하였으며 1.8V의 전원 전압에서 20mW의 전력 소모를 갖고 있으며 19dBV의 out-of-band iIP3를 갖는다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제10권3호
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• pp.368-377
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• 1999

본 연구에서는 차세대 이동통신인 2 GHz 광대역 CDMA 송신기를 설계, 제작하였다. 변조방식으로는 QPSK방식보다 전력효율이 우수한 등포락선 특성을 갖는 CC-OQPSK 변조기를 ASIC화가 용이한 FPGA 회로로 구현하였다. 송신기를 제작하여 측정한 결과, 이중변환방식의 중간주파수단은 1차 변화주파수 240 MHz에서 우수한 고조파 제거특성과 20dB의 이득을 얻었다. 2단 RF증폭기는 1.9GHz대역에서 17dB의 이득을 가지며 이때의 채널 출력전력은 +21.14dBm이었다. 본 연구에서 제작한 송신기의 전기적 특성은 설계기준으로 설정한 2GHz대을 위한 W-CDMA 송신기의 규격을 만족함을 확인하였다.

• 한국전자파학회:학술대회논문집
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• 한국전자파학회 2000년도 종합학술발표회 논문집 Vol.10 No.1
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• pp.183-186
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• 2000

본 논문에서는 잡음에 적합한 능동 정합 회로를 구성하여 기존의 보상 정합 회로와 궤환 회로를 적용함으로써 L. S 밴드(1-4GHz) 내에서 균일한 이득 특성과 작은 반사 손실을 갖는 광대역 저잡음 증폭기를 설계하였다. 설계된 중폭기는 대역 내에서 14.25-14.96dB의 소신호 이득과 1.41, 1.28 이하의 입, 출력 정재파비를 갖는다.

• 한국통신학회논문지
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• 제29권6A호
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• pp.677-682
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• 2004

본 논문에서는 C-band의 중심 주파수인 6 GHz 대역을 중심으로 광대역 공간 전력 합성기를 설계, 제작하여 그 특성을 고찰하였다. 제안된 공간 전력 합성기는 광대역 특성을 갖는 입ㆍ출력 안테나에 평면형 다이폴 안테나를 사용함으로서 기존의 공간 전력 합성기의 대역폭의 제한을 극복하였고 입ㆍ출력 안테나의 편파를 교차편파가 되도록 사용하였기 때문에 입력단과 출력단의 격러도를 높여서 공간 전력 합성기의 안정성을 향상 시켰다. 설계된 입력부와 출력부 안테나의 대역폭은 각각 24.8%와 23%의 대역폭을 얻었다. 제작한 4${\times}$l 공간 전력 합성기는 6 GHz에서 24.04 dB의 유효 등방성 이득(EIPG), 17% 이상의 이득 대역폭, 68.69%의 전력 합성 효율을 얻었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제41권10호
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• pp.97-102
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• 2004

본 논문에서는 변형된 개별 차수 혼변조 신호 발생기들을 이용한 새로운 형태의 전치왜곡 회로를 제안하였다. 이 회로들은 전치왜곡 3차 와 5차 이상의 고차 신호 발생기 두개로 구성되어 독립적으로 동작과 제어되며, 이것의 회로 동작을 통해서 전력 증폭기의 혼변조 왜곡 신호들을 효과적으로 억압할 수 있다. 구현된 전치왜곡 선형화기의 동작특성은 국내 개인 휴대 통신 (PCS) 기지국 송신 대역인 1840 ～ 1970MHz 주파수에서 동작되도록 제작, 측정을 하였고 그 결과 반송파 2 톤 신호를 인가할 때 3차 혼변조 왜곡 특성의 (C/I)비는 40dB 이상, 5차 혼변조 왜곡 특성의 (C/I)비는 23dB 이상의 개선효과를 얻었고, IS-95 CDMA 신호를 인가하였을 때 885KHz 이격 지점에서 인접 채널 전력비를 l0dB이상 개선시켰다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제11C권4호
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• pp.99-106
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• 2001

An overview of Silicon Carbide (SiC) Static Induction Transistor (SIT) development is presented. Basic conduction mechanisms are introduced and discussed, including ohmic, exponential, and space charge limited conduction (SCLC) mechanisms. Additionally, the impact of velocity saturation and temperature effects on SCLC are reviewed. The small-signal model, breakdown voltage, power density, and different gate structures are also discussed, before a final review of published SiC SIT results. Published S-band (3-4 GHz) results include 9.5 dB of gain and output power of 120 W, and L-band (1.3 GHz) results include 400 W output power, 7.7 dB of gain, and power density of 16.7 W/cm.

• 한국산업정보학회:학술대회논문집
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• 한국산업정보학회 2000년도 추계공동학술대회논문집
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• pp.711-727
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• 2000

본 논문에서는 레이다 및 EW수신시스템에서 사용하는 SDLA를 5-7㎓(C-Band)의 RF 주파수대에서 설계 구현하였다. 구현한 SDLA의 특성은 -80㏈m-0㏈m의 동작범위를 얻었고, $\pm$1.2㏈이하의 대수오차, 19.2㎷/㏈의 대수기울기, 출력전압 범위는 0-l.53V, 2.0:1 이하의 VSWR, 약2㏈의 잡음지수와 900$\Omega$의 비디오 임피던스를 얻었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.2
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• pp.861-863
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• 2003

In this work, the preparations and characteristics of capacitors and inductors for RF IC as a integrated devices are investigated. These kinds of capacitors and inductors can be applicable to the passive components utilized in voltage controlled oscillator(VCO), low noise amplifier(LAN), mixer and synthesizer for mobile telecommunication of radio frequency band(900 MHz to 2.2GHz), and in a library of monolithic microwave integrated circuit(MMIC). The results show that these inductors and capacitors array for RF IC may be applicable to the RF IC passive components for mobile telecommunication.

• 한국항해항만학회지
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• 제28권3호
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• pp.213-219
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• 2004

본 논문에서는 1,452∼l,492 MHz L-Band 대역의 위성 DAB 수신기를 위한 저잡음증폭기를 입ㆍ출력 반사계수와 전압정재파비를 개선하기 위하여 평형증폭기 형태로 설계 및 제작하였다. 저 잡음증폭기는 GaAs FET소자인 ATF-10136을 사용한 저 잡음증폭단과 MMIC 소자인 VNA-25을 사용한 이득증폭단을 하이브리드 방식으로 구성하였으며, 최적의 바이어스를 인가하기 위하여 능동 바이어스 회로를 사용하였다. 적용된 능동 바이어스 회로는 소자의 펀치오프전압($V_P$)과 포화드래인 전류($I_{DSS}$)의 변화에 따라 주어진 바이어스 조건을 만족시키기 위해 소스 저항과 드래인 저항의 조절이 필요없다. 즉, 능동 바이어스 회로는 요구된 드래인 전류와 전압을 공급하기 위해 게이트-소스 전압($V_{gs}$)을 자동적으로 조절한다. 저잡음증폭기는 바이어스 회로와 RF 회로를 FR-4기판 위에 제작하였고, 알류미늄 기구물에 장착하였다. 제작된 저잡음증폭기는 이득 32 dB, 이득평탄도 0.2 dB, 0,95 dB 이하의 잡음지수, 입ㆍ출력 전압정재파비는 각각 1.28, 1.43이고, $P_{1dB}$ 는 13 dBm으로 측정되었다.

• 한국통신학회논문지
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• 제22권12호
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• pp.2674-2685
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• 1997

본 논문에서는 국내향 800MHz CDMA 와 PCS(CDMA 방식)에서 동시에 사용될 수 있는 이동통신 전화기의 핵심부품인 이중대역 전력증폭기 모듈에 대한 연구를 기술하였다. CDMA 방식의 전화기가 갖는 사용빈도가 가장 높은 출력(1O-15dBm)이 선형영역인점을 고려하여 종단전력증폭용 GaAs FET의 DC 동작점을 B급으로 제한하므로서 배터리 사용시간을 연장하였다. 따라서 낮은 동작점에서도 우수한 선형성을 가진 2개의 Plastic GaAS FET로서 모듈을 구현하였고 입출력단에 주파수 분리회로를 설계하여 2개의 주파수 대역을 사용할수 있게 하였다. 모듈의 소형화를 위해 다층기판을 사용하였으며 협소한 전송선로간의 전자기결합과 가판 각 층간의 via hole 등은 전자기 해석을 통해 회로 설계에 반영하였다. 모듈 전체 크기는 O.96CC($22{\times}14.5{\times}3mm^3$) 이고 출력 10~l5dBm에서 모듈 총전류는 130mA이다. 선형특성은 출력 28dBm(CDMA, 800MHz)와 23.5dBm(PCS)에서 IS-95에서 규정하는 ACPR(Adjacent Channel Power Rejection)보다 2-3dB 여유도를 가진다.