• Title/Summary/Keyword: K2P channel

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A highly integrable p-GaN MSM photodetector with GaN n-channel MISFET for UV image sensor system

  • Lee, Heon-Bok;Hahm, Sung-Ho
    • 센서학회지
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    • 제17권5호
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    • pp.346-349
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    • 2008
  • A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet (UV) photodetector (PD) is proposed as an effective UV sensing device for integration with a GaN n-channel MISFET on auto-doped p-type GaN grown on a silicon substrate. Due to the high hole barrier of the metal-p-GaN contact, the dark current density of the fabricated MSM PD was less than $3\;nA/cm^2$ at a bias of up to 5 V. Meanwhile, the UV/visible rejection ratio was 400 and the cutoff wavelength of the spectral responsivity was 365 nm. However, the UV/visible ratio was limited by the sub-bandgap response, which was attributed to defectrelated deep traps in the p-GaN layer of the MSM PD. In conclusion, an MSM PD has a high process compatibility with the n-channel GaN Schottky barrier MISFET fabrication process and epitaxy on a silicon substrate.

A Dynamic Channel Switching Policy Through P-learning for Wireless Mesh Networks

  • Hossain, Md. Kamal;Tan, Chee Keong;Lee, Ching Kwang;Yeoh, Chun Yeow
    • KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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    • 제10권2호
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    • pp.608-627
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    • 2016
  • Wireless mesh networks (WMNs) based on IEEE 802.11s have emerged as one of the prominent technologies in multi-hop communications. However, the deployment of WMNs suffers from serious interference problem which severely limits the system capacity. Using multiple radios for each mesh router over multiple channels, the interference can be reduced and improve system capacity. Nevertheless, interference cannot be completely eliminated due to the limited number of available channels. An effective approach to mitigate interference is to apply dynamic channel switching (DCS) in WMNs. Conventional DCS schemes trigger channel switching if interference is detected or exceeds a predefined threshold which might cause unnecessary channel switching and long protocol overheads. In this paper, a P-learning based dynamic switching algorithm known as learning automaton (LA)-based DCS algorithm is proposed. Initially, an optimal channel for communicating node pairs is determined through the learning process. Then, a novel switching metric is introduced in our LA-based DCS algorithm to avoid unnecessary initialization of channel switching. Hence, the proposed LA-based DCS algorithm enables each pair of communicating mesh nodes to communicate over the least loaded channels and consequently improve network performance.

Alteration of 4-Aminopyridine-Sensitive, Voltage-Dependent $K^+-Channel$ in Arterial Smooth Muscle Cells of One-Kidney, One-Clip Goldblatt Hypertensive Rats

  • Kim, Hoe-Suk;Kim, Se-Hoon;Jeon, Byeong-Hwa;Chang, Seok-Jong
    • The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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    • 제4권5호
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    • pp.385-391
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    • 2000
  • Using the patch-clamp technique, we investigated the alteration of 4-aminopyridine(4-AP)-sensitive, voltage-dependent $K^+$ channel (Kv) in the mesenteric arterial smooth muscle cell (MASMC) of renovascular hypertensive model, one-kidney one-clip Goldblatt hypertensive rat (GBH). To isolate $K_V$ current, internal pipette solution contained 5 mM ATP and 10 mM EGTA. Under these condition, MASMC was depolarized by 4-AP, but charybdotoxin did not affect membrane potential. Membrane potential of hypertensive cell $(-40.3{\pm}3.2\;mV)$ was reduced when compared to that of normotensive cell $(-59.5{\pm}2.8\;mV).$ Outward $K^+$ current of hypertensive cell was significantly reduced when compared to normotensive cell. At 60 mV, the outward currents were $19.10{\pm}1.91$ and $14.06{\pm}1.05$ pA/pF in normotensive cell and hypertensive cell respectively. 4-AP-sensitive $K^+$ current was also smaller in hypertensive cell $(4.28{\pm}0.38\;pA/pF)$ than in normotensive cell $(7.65{\pm}0.52\;pA/pF).$ The values of half activation voltage $(V_{1/2})$ and slope factor (k1) as well as the values of half inactivation voltage $(V_{1/2})$ and slope factor (k1) were virtually similar between GBH and NTR. These results suggest that the decrease of 4-AP-sensitive $K^+$ current contributes to a depolarization of membrane potential, which leads to development of vascular tone in GBH.

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격행 연결 이중층 셔플넷을 이용한 광 WDM 네트워크 채널공유방식과 라우팅 알고리즘 (Shared Channel Scheme and Routing Algorithms of Every - Other- Row - Connecting Bilayered ShuffleNet for WDM Optical Networks)

  • 지윤규
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제38권11호
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    • pp.804-809
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    • 2001
  • 본 논문에서는 광 WDM 멀티홉 네트워크에서 필요한 파장 채널 수를 줄이기 위하여 격행 연결 이중층 셔플넷 방식을 이용한 효과적인 채널 공유 방식과 이를 위한 라우팅 알고리즘을 제안한다. 채널 공유 방법은 2P개의 노드들이 하나의 채널을 공유하게 하는 방법으로써 전체적으로 필요한 파장 수가 기존의 방법에 비하여 줄어들게 된다. 각 열에 있는 노드는 두 개씩 짝을 이루게 하여 각각의 쌍의 번호를 p-진수로 계산하고, 각 쌍의 위에 위치한 노드에는 2-진수의 0을 첨가하고 아래에 위치한 노드에는 2-진수의 1을 첨가하여 각 노드에 대한 주소를 결정한다. 이와 같이 정해진 주소를 이용하여 효과적으로 패킷을 중계하도록 알고리즘을 제안하고 (4, 2) 토폴로지에서의 경로설정 방법을 예를 들어 설명한다.

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비계획구매를 고려한 제조업체와 유통업체의 판매촉진 비용 분담 (Cooperative Sales Promotion in Manufacturer-Retailer Channel under Unplanned Buying Potential)

  • 김현식
    • 한국유통학회지:유통연구
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    • 제17권4호
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    • pp.29-53
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    • 2012
  • 제조업체와 유통업체의 판매촉진 구사가 증가하면서 이들 사이의 바람직한 판매촉진 비용 분담 방식에 대한 관심도 증가하고 있다. 특히 유통업체 점포를 방문하는 소비자의 비계획구매 요소는 유통업체에게 명시적 잉여를 제공하지만 제조업체에게는 그렇지 않다는 점에서 이를 고려한 판매촉진 비용 분담의 방향 제시가 필요한 것이 현실이다. 문제는 유통업체 방문 소비자의 점포내 비계획구매 요소가 있을 때 제조업체가 어떻게 대응해야 하는지에 대해서는 충분한 설명이 이루어지지 못하고 있다는 점이다. 이러한 문제의식에서 본 연구에서는 유통업체 점포내 비계획구매 요소가 있을 때 제조업체가 구체적으로 공동 판매촉진 행동을 어떻게 전개해야 하는지 조명하고 있다. 본 연구의 주요결과는 다음과 같다: (1) 유통업체 점포 방문 소비자의 비계획구매 수준이 증가할수록 채널 전체의 판매촉진 수준은 높아지고, 제조업체의 비용 분담액도 커진다. (2) 유통업체 점포 방문 소비자의 비계획구매 수준이 증가할수록 채널 전체 판매촉진 비용 중에서 제조업체의 판매촉진 비용 분담 비중은 낮아지고, 유통업체의 판매촉진 비용 분담 비중은 높아진다. (3) 제조업체 이익은 유통업체 점포 방문 소비자의 비계획구매 수준인 b의 증가함수이다. (4) 유통업체가 소비자의 비계획구매 대상 제품을 조달하는데 소요되는 비용 수준이 증가할수록 유통업체 점포 방문 소비자의 비계획구매 수준 증가에 따른 채널 전체의 판매촉진 수준 증가 정도, 제조업체의 판매촉진 비용 분담액 증가 정도, 유통업체의 판매촉진 비용 분담 비중 증가 정도, 제조업체 이윤 증가 정도가 낮아진다.

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ATSC DTV에서 동일채널간섭 커버리지에 대한 분석 (Analysis on Co-channel Interference Coverage of ATSC DTV)

  • 류관웅;박성익;김흥묵
    • 방송공학회논문지
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    • 제18권1호
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    • pp.59-65
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    • 2013
  • 최근 지상파 방송은 아날로그 TV방송에서 디지털 TV방송으로의 전환이 진행 중에 있다. 이러한 디지털 TV방송 전환 이후에 동일 채널 간섭으로 인한 TV White space (TVWS)의 재할당 및 배치가 필요하다. 본 논문에서는 방송서비스 전파모델로 가장 많이 사용되고 있는 Longley-Rice와 ITU-R P.1546 전파모델에서 동일채널간섭 (CCI; co-channel interference)으로 인해 발생되는 TVWS에 대해 연구한다. 또한 디지털 방송에서 송신 안테나 높이와 송신전력에 따른 서비스 커버리지 반경과 CCI 반경을 분석한다. 분석결과에 의하면, Longley-Rice와 ITU-R P.1546 전파모델의 평균적인 CCI 반경 대 서비스 커버리지 반경의 비는 각각 2.54, 2.07이었다.

Anti-pseudomonal Activity of DA-1131, A New Carbapenem Antibiotic

  • Kim, Gye-Won;Kim, Ji-Young;Park, Seong-Hak;Lim, Joong-In;Kim, Won-Bae;Junnick Yang
    • 한국응용약물학회:학술대회논문집
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    • 한국응용약물학회 1996년도 춘계학술대회
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    • pp.236-236
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    • 1996
  • DA-1131은 IPM이 D2 channel 특이적인 세포외막투과성을 나타내는 것과는 달리 D2 channel 이외에 azthreonam 투과경로도 이용하는 것으로 확인되었다. IPM 감수성 및 내성인 P aeruginosa 균주들에 대하여 $\beta$-lactamase의 inducible activity, hydrolytic susceptibility, affinity를 측정한 결과, Inducible activity는 DA-1131, PPM 및 MEPM이 거의 동일하였으며, 3가지 약물 모두 가수분해에 대한 안정성을 나타내었다. 그러나 $\beta$-lactamase에 대한 affinity는 IPM이 가장 컸고, MEPM, DA-1131의 순으로 감소하였다. DA-1131은 P8P2와 PBP3를 동시에 저해하며, IPM은 PBP2의 저해 후 순차적으로 PBP3를 저해하였고 이러한 시험결과는 PBPs blinding pattern과 밀접한 관계가 있는 것으로 알려진 균형태변화로도 확인되었다.

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고항복전압 MHEMT 전력소자 설계 (Simulation Design of MHEMT Power Devices with High Breakdown Voltages)

  • 손명식
    • 한국진공학회지
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    • 제22권6호
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    • pp.335-340
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    • 2013
  • 본 논문은 InP 식각정지층을 갖는 MHEMT 소자의 항복전압을 증가시키기 위한 시뮬레이션 설계 논문이다. MHEMT 소자의 게이트 리세스 구조 및 채널 구조를 변경하여 시뮬레이션을 수행하였고 비교 분석하였다. MHEMT 소자의 드레인 측만을 완전히 제거한 비대칭 게이트 리세스 구조인 경우 $I_{dss}$ 전류가 90 mA에서 60 mA로 줄어들지만 항복 전압은 2 V에서 4 V로 증가함을 확인하였다. 이는 $Si_3N_4$ 보호층과 InAlAs 장벽층 사이의 계면에서 형성되는 전자-포획 음의 고정전하로 인해 채널층에서의 전자 공핍이 심화되어 나타나는 현상으로 이는 채널층의 전류를 감소시켜 충돌이온화를 적게 형성시켜 항복전압을 증가시킨다. 또한, 동일한 구조의 비대칭 게이트 리세스 구조에서 채널층을 InGaAs/InP 복합 채널로 바꾸어 설계한 구조에서는 항복전압이 5 V로 증가하였다. 이는 높은 드레인 전압에서 InP 층의 적은 충돌이온화와 이동도로 인해 전류가 더 감소했기 때문이다.

Characterization and Design Consideration of 80-nm Self-Aligned N-/P-Channel I-MOS Devices

  • Choi, Woo-Young;Lee, Jong-Duk;Park, Byung-Gook
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제6권1호
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    • pp.43-51
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    • 2006
  • 80-nm self-aligned n-and p-channel I-MOS devices were demonstrated by using a novel fabrication method featuring double sidewall spacer, elevated drain structure and RTA process. The fabricated devices showed a normal transistor operation with extremely small subthreshold swing less than 12.2 mV/dec at room temperature. The n- and p-channel I-MOS devices had an ON/OFF current of 394.1/0.3 ${\mu}A$ and 355.4/8.9 ${\mu}A$ per ${\mu}m$, respectively. We also investigated some critical issues in device design such as the junction depth of the source extension region and the substrate doping concentration.

엇갈린 V-형 리브가 부착된 냉각유로에서의 열유동 수치해석 (NUMERICAL SIMULATION OF FLOW AND HEAT TRANSFER IN A COOLING CHANNEL WITH STAGGERED V-SHAPED RIBS)

  • 명현국;김광용
    • 한국전산유체공학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.107-113
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    • 2008
  • The present study numerically simulates the flow and heat transfer characteristics of rib-induced secondary flow in a square cooling channel with staggered V-shaped ribs, extruded on both walls. The rib pitch-to-height ratio (p/h) varies from 2.8 to 10 with the rib-height-to-hydraulic diameter ration (h/$D_h$)of 0.07 and the Reynolds number of 50,000. Shear stress transport (SST) turbulence model is used as a turbulence model. Computational results show that complex secondary flow patterns are generated in the channel due to the snaking flow in the streamwise direction for all tested cases. In the range of p/h=5 to 10 the staggered V-shaped rib gives about 3 times higher heat transfer augmentation than the reference smooth pipe with high heat transfer on both front side and the area around the leading edge of the ribs, while the former cases give about 18 times higher streamwise pressure drop than the latter ones. However, for the thermal performances, based on the equal pumping power condition, the case of p/h=2.8 gives the best result among three cases, mainly due to relatively low streamwise pressure drop, although it gives relatively low heat transfer augmentation.