Journal of the Korean Society of Manufacturing Process Engineers
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v.11
no.3
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pp.138-145
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2012
The material used in this study is dielectric and ferrite. Because of the unique characteristics of the material, it is easily exposed to external shocks and pressure, which cause damage to the product. However, after being processed under high-temperature environment repeatedly, the mechanical strength of the product is greatly increased due to the change of the electrical properties. In this paper, dielectric and bonded ferrite material was tested for the material properties. The equipment for this experiment was produced and tested to allow Cylindrical and Three-dimensional geometry of the product for the vacuum deposition. For Cylindrical shape of the product, in order to obtain the equivalent film thickness, the device is constructed in a vacuum chamber which gives arbitrary revolving and rotating capability. The electrical performance of the product is obtained through this process as well. However, as mentioned above, with repeating processes under high temperature and exposure to external environment, the product is easy to be broken. This experiment has enabled us to find out a stable condition to apply the communication of the RF high frequency to each of the core elements, such as Ferrite and Dielectric which is then used for the mechanical strength of the Raw material, hetero-junction material, Hetero-junction Ag Coating material and hetero-junction Ag Coating SiO2 Coating material respectively.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.31
no.6
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pp.367-371
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2018
1,200 V class junction barrier schottky (JBS) diodes and schottky barrier diodes (SBD) were simultaneously fabricated on the same 4H-SiC wafer. The resulting diodes were characterized at temperatures from room temperature to 473 K and subsequently compared in terms of their respective I-V characteristics. The parameters deduced from the observed I-V measurements, including ideality factor and series resistance, indicate that, as the temperature increases, the threshold voltage decreases whereas the ideality factor and barrier height increase. As JBS diodes have both Schottky and PN junction structures, the proper depletion layer thickness, $R_{on}$, and electron mobility values must be determined in order to produce diodes with an effective barrier height. The comparison results showed that the JBS diodes exhibit a larger effective barrier height compared to the SBDs.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.38
no.12
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pp.983-990
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2014
This research focused on designing an appropriate thermocouple sensor for a thermal boundary layer with a large temperature gradient. It was designed to minimize the conduction error from a constant temperature wall in a boundary layer. A $79.9-{\mu}m$ thermocouple was chosen, and a five-axis device jig was developed to fabricate a butt-welded thermocouple, which is different from arc-welded junction thermocouples. This was used to minimize the size of the thermocouple junction. In addition to fabricating butt-welded thermocouples, a thorough calibration was conducted to decrease the internal error of a multimeter to ensure that the data from the butt-welded and regular thermocouples were almost the same. Based on this method, a butt-welded thermocouple with a small junction was found to be suitable for measuring the temperature in a thermal boundary layer with very large thermal gradients. Using this thermal boundary layer probe, the thermal boundary layers in a turbine cascade were measured, and the Nusselt numbers were obtained for the turbine endwall.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2010.06a
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pp.244-244
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2010
Doping process of crystalline silicon solar cell process is very important which is as influential on efficiency of solar. Doping process consists of pre -deposition and diffusion. Each of these processes is important in the process temperature and process time. Through these process conditions variable, p-n junction depth can be controled to low and high. In this paper, we studied a optimized doping pre-deposition temperature for high solar cell efficiency. Using a $200{\mu}m$ thickness multi-crystalline silicon wafer, fixed conditions are texture condition, sheet resistance($50\;{\Omega}/sq$), ARC thickness(80nm), metal formation condition and edge isolation condition. The three variable conditions of pre-deposition temperature are $790^{\circ}C$, $805^{\circ}C$ and $820^{\circ}C$. In the $790^{\circ}C$ pre-deposition temperature, we achieved a best solar cell efficiency of 16.2%. Through this experiment result, we find a high efficiency condition in a low pre-deposition temperature than the high pre-deposition temperature. We optimized a pre-deposition temperature for high solar cell efficiency.
International journal of advanced smart convergence
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v.2
no.2
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pp.19-22
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2013
As the demand of the LED for lighting that emits light by p-n junction is increasing, studies on heatproof plate technology is being conducted to minimize the temperature of the LED lighting. As for the temperature of the LED devices, their light emitting efficiency decreases and the maximum lifespan drops down to 1/5. Therefore there are heat dissipation studies going on to minimize the heat. For LED heat dissipation, aluminum heat sink plates are mostly used. For this paper, we designed heat sink that fits residential 20W COB LED Down Light; packaged the heat sink and 20W COB and analyzed and evaluated the thermal properties through a Solidworks flow simulation. We are planning to design the optimal heat sink plate to solve the thermal agglomeration considering TIM(Thermal Interface material).
Seo, BumSik;Lee, KiJoung;Cho, Young Seek;Park, Dae-Hee
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.26
no.2
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pp.158-163
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2013
In this paper, thermal analysis of heatsink for 30 W class Chip-on-Board (COB) LED light source is performed by using SolidWorks Flow Simulation package. In order to increase the convection heat transfer, number of fin and shape of the heatsink is optimized. Furthermore, a copper spread is applied between the COB LED light source and the heatsink to mitigate the heat concentration on the heatsink. With the copper spread, the junction temperature between the COB LED light source and the heatsink is $50.9^{\circ}C$, which is $5.4^{\circ}C$ lower than the heatsink without the copper spread. Due to the improvement of the junction temperature, the light output is improved by 5.8% when the LED light source is stabilized. The temperature difference between the simulation and measured result of the heatsink with the copper spread is within $2^{\circ}C$, which verifies the validity of the thermal design method using a simulation package.
This study focused on predicting the fatigue life of an insulated gate bipolar transistor (IGBT) power module for electric locomotives. The effects of different wiring technologies, including aluminum wires, copper wires, aluminum ribbons, and copper ribbons, on solder fatigue life were investigated to meet the high power requirement of the IGBT module. The module's temperature distribution and solder fatigue behavior were investigated through coupled electro-thermo-mechanical analysis based on the finite element method. The ribbons attained a chip junction temperature that was 30℃ lower than that attained with conventional round wires. The ribbons also exhibited a lower plastic strain in comparison with the wires. However, the difference in plastic strain and junction temperature among the different ribbon materials was relatively small. The ribbons also exhibited different crack propagation behaviors relative to the wires. For the wires, the cracks initiated at the outmost edge of the solder, whereas for the ribbons, the cracks grew in the solder layer beneath the ribbons. Comparison of fatigue failure areas indicated that ribbon bonding technology could substantially enhance the fatigue life of IGBT modules and be a potential candidate for high power modules.
It is essential to design crashworthy marine structures for operations in Arctic regions, especially ice-covered waters, where the structures must have sufficient capacity to resist iceberg impact. In this study, a numerical analysis of a colliding accident between an iceberg and stiffened plates was carried out employing the commercial finite element code ABAQUS/Explicit. The ice material model developed by Liu et al. (2011) was implemented in the simulations, and its availability was verified by performing some numerical simulations. The influence of the ambient temperature on the structural resistance was evaluated while the local stress, plastic strain, and strain energy density in the structure members were addressed. The present study revealed the risk of fracture in terms of steel embrittlement induced by ambient temperature. As a result, the need to consider the possibility of brittle failure in a plate-stiffener junction during operations in Arctic regions is acknowledged. Further experimental work to understand the structural behavior in a plate-stiffener junction and HAZ is required.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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