Plasma arc cutting is a fusion cutting process in which a gas-constricted arc is employed to produce a high-temperature, high-velocity plasma jet on the workpiece. This process provides some advantages such as increased cutting velocity, excellent working accuracy and the ability to cut special materials (widely used stainless steels and Al-alloys, for example), when compared with iconventional oxyfuel gas cutting. From the view point of price and reliability of the power source, plasma arc cutting has also some distinct advantages over laser beam cutting. High-speed machines with NC or CNC systems are needed for the plasma arc or laser beam cutting process, while for oxyfuel gas cutting, low-speed machines with copying templates or optical-shape tracking sensors can be applied. The low price and high flexibility of the microprocessor arc contributing more and more the application of CNC system in the plasma arc cutting process, as in other manufacturing fields. From these points of view, a microprocessor-based plasma arc cutting system was developed by using a reference-pulse system, and its performance was tested. The interpolating routines were programmed in the assembly language for saving the memory volume and improving the compouting speed, which has an intimate relationship with the available cutting velocity.
These days, printed electronics attract attention from electronics industry. In this paper, the fabrication of the fine patterns by Near Field Electro Spinning (NFES) was studied by using Ag ink on silicon wafer (substrate). Two types of ink, the high viscous ink Ag-200 and low viscous ink Ag-15, were used. The fine and uniform patterns were easily fabricated by using Ag-200 because jet breakup is less occurred in high viscosity solution. As increasing flow rate of solution, aspect ratio of Ag pattern decreased. And there was optimum applied voltage for fine pattern. In case of Ag-200, the optimum applied voltage was about 2.02KV. When pattern was fabricated by NFES, the pattern width and height were affected by many factors such as viscosity, flow rate of solution, applied voltage etc.
본 연구에서는 저주파영역의 가진분무에 대하여 추가적인 내부가진을 수행함으로써 변조분사되는 분무특성에 대한 연구를 수행하였다. 회전식 가진장치를 사용하여 1차 가진을 생성한 후 2차 가진원인 마그네틱 밸브를 사용하여 변조하였다. 변조분무의 FFT결과와 분무패턴의 가시화를 통하여 관찰한 결과, 2차 가진 제어가 있는 변조분사의 경우 1차 가진만 있는 분사보다 분무의 상하 운동 진폭이 작으며 분무 하단류의 침투깊이가 증가하는 경향성이 발견되었다.
Laser cutting system uses a gas jet to remove the molten or varpozed material from the workpiece. The quality of the laser cut can be strongly influenced by the gas flow charac- teristics formed through the nozzle. Laser cutting experiments were carried out for SS41 and SUS 304 to investigate the relationship between cut quality and cutting pressure. The cutting speed, nozzle pressure and nozzle to workpiece distance were also considered. The cut specimens were inspected by various manners such as dross observation, surface roughness test and kerf width measurement. Based on the data of pressure measurement on workpiece and the results of cut surface inspection, the influence of the considered cutting conditions on cut quality could be evaluated. The results of this study will be valuable in planning the optimal laser cutting process and in designing the laser cutting nozzle.
At present, it is possible to manufacture electrodes down to several micrometers (~ ㎛) using inkjet printing technology owing to the development of precision ejection heads. Inkjet printing technology is also used in the manufacturing of bio-sensors, electronic sensors, and flexible displays. To reduce the difference between the electrode design/simulation performance and actual printing pattern performance, it is necessary to analyze and optimize the processable area of the ink material, which is a fluid. In this study, process optimization was conducted to manufacture an IDE pattern and fabricate an impedance sensor. A total of 25 IDE patterns were produced, with five for each lamination process. Electrode line width and height changes were measured by stacking the designed IDE pattern with a nanoparticle-based conductive ink multilayer. Furthermore, the optimal process area for securing a performance close to the design result was analyzed through impedance and capacitance. It was observed that the increase in the height of stack layer 4 was the lowest at 4.106%, and the increase in capacitance was measured to be the highest at 44.08%. The proposed stacking process pattern, which is optimized in terms of uniformity, reproducibility, and performance, can be efficiently applied to bio-applications such as biomaterial sensing with an impedance sensor.
잉크젯 프린터 헤드용 기능성 막으로 많이 활용하고 있는 다층박막(SiO$_2$/poly-Si/SiN/SiO$_2$, 두께, 2.77 $\mu\textrm{m}$)과 다이아몬드 박막(두께, 1.6 $\mu\textrm{m}$)을 미소 외팔보($\mu$-CLB) 형태로 가공한 후 nanoindenter를 이용한 굽힘 시험 방법으로 탄성계수와 굽힘 강도를 측정하였으며 다층막을 이루는 박막 중 SiO$_2$ 박막(두께, 1 $\mu\textrm{m}$)과 SiN 박막(두께, 0.43 $\mu\textrm{m}$)의 탄성계수를 미소 외 팔보 굽힘 시험 방법과 nanoindentation 방법으로 측정한 후 그 결과를 비교하였다. 미소 외팔보 굽힘 시험방법으로 측정한 다층막의 탄성계수와 파괴강도는 외팔보의 폭이 18.5 $\mu\textrm{m}$에서 58.5 $\mu\textrm{m}$로 증가함에 따라 각각 68.08 ㎬과 2.495 ㎬에서 56.53 ㎬과 1.834 ㎬로 감소하였다. SiO$_2$ 박막의 탄성계수 측정값은 외팔보의 폭이 29.6$\mu\textrm{m}$ 와 59.5 $\mu\textrm{m}$ 범위에서 변하여도 영향을 받지 않고 68.16$\pm$0.942 ㎬이었으며, SiN 박막의 탄성계수는 215.45 ㎬이었다. Nanoindentation 방법으로 측정한 SiO$_2$ 박막과 SiN 박막의 탄성계수는 각각 98.78 ㎬, 219.38 ㎬이었다. 이 결과로부터 미소 외팔보 굽힘 시험방법으로 측정한 박막의 탄성계수가 nanoindentation 방법으로 측정한 탄성계수와 2% 미만의 차이를 보이며 일치함을 알 수 있었다.
최근 개발된 하이브리드플라즈마 가속입자충격 프로세스를 이용하여 기상의 TEOS(tetraethoxysilane, (C$_2$$H_{5}$O)$_4$Si)를 Ar-hybrid plasma 환경 하에 분사하는 방법으로 나노구조(nanostructured) Si 코팅 합성에 대해서 연구하였다. 반응가스와 함께 플라즈마제트는 노즐을 통해서 챔버속으로 700 torr정도에서 10 torr정도로 압력 강하를 동반하며 확장되었다. 노즐의 초중단부에서 핵생성 및 입성장한 초미세입자는 노즐의 하단의 자유 제트에서 가속되어 온도조절 기판위에 관성 충격에 의해 퇴적되어 10nm 이하의 비정질 실리콘 코팅층이 형성되었다. 퇴적된 비정질 코팅은 Ar분위기의 tube로에서 열처리 되었는데 90$0^{\circ}C$에서 30분간 열처리하여 결정화가 시작되었고, 이때 시편의 입자크기는 TEM을 통하여 10nm 이하로 유지됨을 알 수 있었다. 또한 라만분광기로 분석한 결과 이동치는 2.39$cm^{-1}$ /이며 반감폭은 5.92$cm^{-1}$ /으로 피크 이동치로 도출한 평균입자크기 7nm값과 일치하였으며, 특히 PL 피크는 398nm에서 강한 피크를 나타내어 3∼4 nm의 극미세 나노입자도 포함하고 있음을 알 수 있었다.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.421-427
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2009
We successfully fabricated 4.7-inch organic thin film transistors array with $640{\times}480$ pixels on flexible substrate. All the processes were done by photolithography, spin coating and ink-jet printing. The OTFT-Electrophoretic (EP) pixel structure, based on a top gate OTFT, was fabricated. The mobility, ON/OFF ratio, subthreshold swing and threshold voltage of OTFT on flexible substrate are: 0.01 ^2/V-s, 1.3 V/dec, 10E5 and -3.5 V. After laminated the EP media on OTFT array, a panel of 4.7-inch $640{\times}480$ OTFT-EPD was fabricated. All of process temperature in OTFT-EPD is lower than $150^{\circ}C$. The pixel size in our panel is $150{\mu}m{\times}150{\mu}m$, and the aperture ratio is 50 %. The OTFT channel length and width is 20 um and 200um, respectively. We also used OTFT to drive EP media successfully. The operation voltages that are used on the gate bias are -30 V during the row data selection and the gate bias are 0 V during the row data hold time. The data voltages that are used on the source bias are -20 V, 0 V, and 20 V during display media operation.
본 연구에서는 길이가 다른 장방형 실린더 사이에서 발생하는 제트류가 후류에 미치는 영향을 알아보기 위해 회류수조에서 PIV기법을 사용하여 실험을 실시하였다. 장방형 실린더의 높이(h)와 실린더 사이의 간격(gap)은 10mm이며 폭(B)은 300mm로 하였다. 유동방향의 모델의 길이(L)는 30mm, 60mm, 90mm 및 120mm를 각각 적용하였으며, 모델의 높이(H=30mm)를 기준으로 길이의 비가 1, 2, 3,및 4이다. 유입유동은 조류의 수심에 따른 차이를 감안하여 모델의 높이(H)를 기준으로 $Re=1.4{\times}10^4$, $Re=2.0{\times}10^4$, $Re=2.9{\times}10^4$를 각각 적용하였으며. 유동계측을 위한 영역은 실린더 후방으로 모델 높이의 5배까지 설정하였다. 실험결과 유속이 증가함에 따라 와의 크기가 후류영역으로 증가하며, 근접 후류에서는 장방형 구조물일수록 관통류의 속도성분이 증가하는 특성을 나타냈다. 또한 후류로 갈수록 속도결손은 유입유동이 증가할수록 종횡비가 작은 경우에 크게 나타났다.
교정 치료 후 이상적인 교합과 양호한 심미적 결과를 얻기 위해서 일반적으로 교정 장치 제거하기 4개월에서 7개월 전에 detailing을 시행한다. 이와 같은 과정을 finishing이라고 하며, 이 과정은 최종적인 양호한 결과를 얻는데 있어서 필수적이다. 일부 교정의는 finishing을 위한 특별한 이론적 근거 및 기준 없이 이 과정을 교정 치료의 마지막 단계에서 시행하면 되는 것으로 여기고 있다. 그러나, 최종적인 양호한 교정 치료 결과를 얻기 위해서는finishing 과정이 총 치료 계획의 부분으로 치료의 초기 단계에서부터 고려되어야만 하며, 교정 장치 제거를 위한 이론적 근거 및 기준에 근거한 finishing을 위한 checklist가 필요하다. 이 checklist는 크게 네 부류로 분류할 수 있다. 즉, 교합 요인, 심미적 요인, 치주적 요인과 습관적 요인으로 분류할 수 있다. 교합 요인에서 점검해야할 요소로는 alignment, marginal ridge discrepancy, interproximal contact, anterior inclination, posterior inclination, overjet, overbite, arch form과 functional occlusion 등이 있다. 심미적 요인에는 gingival form, crown form, crown width과 crown length 등이 있다. 치주적 요인에는 root angulation, bone level 등이 있다. 습관적 요인에는 mouth breathing, tongue position at rest, tongue thrust habit, lip biting, nail biting과 finger sucking 등이 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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