• 대한금속재료학회지
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• 제49권6호
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• pp.462-467
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• 2011

In order to understand why annealing at $480^{\circ}C$ for several hour prevents the initiation of PWSCC, the residual stress variation with isothermal annealing at $480^{\circ}C$ and isochronal annealing between 480 and $800^{\circ}C$ in cold rolled Alloy 600 was investigated by the XRD method. The isothermal annealing decreased residual stress slightly in the rolling direction but not in the transverse direction, whereas the isochronal annealing for two hours increased residual stress. It seemed that the decrease in residual stress by isothermal annealing was due to lattice contraction by an ordering reaction because the isothermal annealing increased hardness. The effects of the isochronal annealing could be interpreted as the influence of thermal expansion and a disordering reaction.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.140-140
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• 2010

Non-mass analyzed ion shower doping (ISD) technique with a bucket-type ion source or mass-analyzed ion implantation with a ribbon beam-type has been used for source/drain doping, for LDD (lightly-doped-drain) formation, and for channel doping in fabrication of low-temperature poly-Si thin-film transistors (LTPS-TFT's). We reported an abnormal activation behavior in boron doped poly-Si where reverse annealing, the loss of electrically active boron concentration, was found in the temperature ranges between $400^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$ using isochronal furnace annealing. We also reported reverse annealing behavior of sequential lateral solidification (SLS) poly-Si using isothermal rapid thermal annealing (RTA). We report here the importance of implantation conditions on the dopant activation. Through-doping conditions with higher energies and doses were intentionally chosen to understand reverse annealing behavior. We observed that the implantation condition plays a critical role on dopant activation. We found a certain implantation condition with which the sheet resistance is not changed at all upon activation annealing.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제51권5호
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• pp.1428-1435
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• 2019

The total ionizing dose (TID) and non ionizing energy loss (NIEL) effects of 100 MeV phosphorous ($P^{7+}$) and 80 MeV nitrogen ($N^{6+}$) ions on 200 GHz silicon-germanium heterojunction bipolar transistors (SiGe HBTs) were examined in the total dose range from 1 to 100 Mrad(Si). The in-situ I-V characteristics like Gummel characteristics, excess base current (${\Delta}I_B$), net oxide trapped charge ($N_{OX}$), current gain ($h_{FE}$), avalanche multiplication (M-1), neutral base recombination (NBR) and output characteristics ($I_C-V_{CE}$) were analysed before and after irradiation. The significant degradation in device parameters was observed after $100MeV\;P^{7+}$ and $80MeV\;N^{6+}$ ion irradiation. The $100MeV\;P^{7+}$ ions create more damage in the SiGe HBT structure and in turn degrade the electrical characteristics of SiGe HBTs more when compared to $80MeV\;N^{6+}$. The SiGe HBTs irradiated up to 100 Mrad of total dose were annealed from $50^{\circ}C$ to $400^{\circ}C$ in different steps for 30 min duration in order to study the recovery of electrical characteristics. The recovery factors (RFs) are employed to analyse the contribution of room temperature and isochronal annealing in total recovery.

• 전자공학회논문지A
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• 제30A권1호
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• pp.23-30
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• 1993

Hydrogenation on the top gate and bottom gate Poly-Si TET's was performed by using Nh$_{3}$ plasma and annealing SiN film deposited by PECVD and then the electric characteristics on Poly-Si TET were investigated. As the time of NA$_{3}$ plasma treatment increaes, on/off current ratio gradually increases and the swing value decreases. The trap densities of graim boundaries in Poly-Si decrease very much during the inital 20min of hydrogenation time, and the decreasing scale becomes smaller after 20 min. The electric characteristics of the top gate TFT are better than those of the bottom gate TFT, it is considered due to the defects at the interface between the Poly-Si and the underlayer, SiO$_{2}$. After NH$_{3}$ plasma was treated for 2 hours for the top gate TFT, as the aging time atroon temperature increases on current was not scacely changed and off current decreases more than 1 order. Gate current density recovers to original value after the aging treatment for 8 days and then the electric characteristics are finally improved. It is suggested that the degraded characteristics of gate oxide are improved, from the variations of C-V characteristics with aging time. For the hydrogenation of isothermal and isochronal annealing SiN film deposited by PECVD, the characteristics of Poly-Si TFT are improved with increasing annealing temperature and are not largely changed with increasing annealing time. This results is good in agreement with the hydrogen reduction in Sin film as variations of annealing temperature and time.

• 한국재료학회지
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• 제9권3호
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• pp.327-332
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• 1999

중성자에 조사 $(fluence: 2.3\times10^{19}ncm^{-2}, 553 K, E\geq1.0 MeV)$된 Mn-Mo-Ni 저 합금강 모재의 열처리 회복 거동을 조사하기 위하여 등시소둔과 등온소둔을 수행하여 회복 활성화에너지, 회복 반응차수 그리고 회복 반응률상수를 결정하였다. 열처리 후 회복은 비커스 미세 고온경도기로 측정하였고 실험결과를 이용, 열처리 회복단계, 회복결함들의 거동 및 회복 kinetics을 분석하였다. 실험결과 2단계의 회복구간(stage I : 703-753K, stage II : 813K-873K)이 나타났으며 각 단계의 회복활성화 에너지는 2.50 eV(1단계) 및 2.93 eV(2단계)이었다. 조사재와 비조사재의 등시소둔 곡선의 비교를 통하여 813K에서 RAH(radiation anneal hardening) 피크를 확인할 수 있었다. 743K 및 833K에서 수행한 등온소둔 결과, 회복의 60%가 모두 120분 이내에 일어나는 것으로 관찰되었다. 회복 반응차수는 두 회복구간에서 모두 2로 나타났으며 회복 반응율상수는 $3.4\times10^{-4}min^{-1}$(1단계)과 $7.1\times10^{-4}min^{-1}$(2단계) 이었다. 이상의 결과와 기 발표된 자료들을 함께 분석한 결과, 본 재료의 회복은 오랜 중성자조사로 형성된 점결함 집합체들이 열처리에 의한 분해와 Fe 기지에 격자간 원자로 존재하던 self-interstitial들과 vacancy들의 재결합에 의해 일어나는 것으로 해석된다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제7권1호
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• pp.15-23
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• 1975

냉간 압축가공한 순수 지르코늄의 회복현상을 X-ray line broadening과 미소경도 (microhardness)를 측정하여 연구하였다. Isochronal 소둔한 결과에서 경도나 X-ray line breadth가 30$0^{\circ}C$이하에서는 감소하지 않는다는 것을 알 수 있었다. 같은 크기의 냉간가공도에서 X-ray line breadth의 회복속도는 경도의 회복속도와 다르게 나타났으며 가공도에 상관없이 X-ray line breadth의 회복에 필요한 활성화 에너지는 경도의 회복에 필요한 활성화 에너지보다 작은 것을 알 수 있었다. 8%, 19%, 28% 냉간가공한 지르코늄에서의 X-ray line breadth의 회복에 필요한 활성화 에너지는 각각 64,800cal/gram atom, 56,400 cal/gram atom, 48,500 cal/gram atom이였으며 경도의 회복에 필요한 활성화 에너지는 72,800 cal/gram atom, 64,300 cal/gram atom, 58,600 cal/gram atom인 것으로 나타났다.

• Nuclear Engineering and Technology
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• 제22권4호
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• pp.337-350
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• 1990

약 28$0^{\circ}C$에서 4.84$\times$$10^{18}$ n/$\textrm{cm}^2$의 중성자 조사를 받은 원자로 압력용기강 A533B Cl.1 기 지 금속(base metal)을 열처리한 후, 미세경도 측정과 양전자 소멸법을 사용해서 조사경화회복기구에 관한 더 정확한 연구를 하였다. 등시소둔 실험에 의해 2가지 회복과정이 존재한다는 것을 알 수 있었다. 첫번째 회복과정은 280-35$0^{\circ}C$ 사이에서 일어나며 양전자 소멸법에 의한 몇가지 파라메타 즉, 양전자 수명, 양전자 소멸밀도(I)와 Ip, Iw, R파라메타 값들에 의하면 이 회복과정에서 공공응집(agglomeration of vacancies)과 단위공공의 소멸(annihilation of monovacancies)이 일어나는 것으로 해석되었다. 또한 두번째 회복과정은 405$^{\circ}C$ 이상의 고온에서 발생하며, 양전자소멸 파라메타들은 공공형 결함 주위에 부착되었던 탄소원자의 용해, 석출물의 용해 그리고 단위공공의 소멸이 이 회복과정에서 일어나는 것으로 해석되었다. 그러고 두 회복과정의 중간 온도 영역인 305-405$^{\circ}C$에서는 탄소가 부착된 공공결집체 (vacancy clusters)의 형성과 석출물의 형성에 의한 소둔중경화(radiation anneal hardening)가 일어나는 것으로 해석되었다. Meechan-Brinkman 방법을 이용하여 활성화 에너지와 반응차수 및 그외 회복특성을 구하였다. 첫번째 회복과정의 활성화 에너지는 1.76eV로, 두번째 회복과정의 값은 2.00eV로 결정되었다. 이 값들은 다른 연구결과에 비해 낮은 편인데 이 차이는 이 연구에서 사용된 압력용기강의 낮은 탄소양에 의한 것으로 생각된다. 또한 첫번째 회복과정의 반응차수는 1.78로 두번째 회복과정의 반응차수는 1.67로 결정되었다. 회복과정에서의 반응차수가 정수가 아닌 것은 한 회복과정에 1차나 2차의 반응차수를 가진 몇 가지 기구들이 복합되어 있기 때문인 것으로 생각된다. 이것은 양전자 소멸의 몇 가지 파라메타에 의한 결과를 뒷받침한다.