• 한국재료학회지
• /
• 제28권12호
• /
• pp.758-762
• /
• 2018

The transfer characteristics of zinc tin oxide(ZTO) on silicon dioxide($SiO_2$) thin film transistor generally depend on the electrical properties of gate insulators. $SiO_2$ thin films are prepared with argon gas flow rates of 25 sccm and 30 sccm. The rate of ionization of $SiO_2$(25 sccm) decreases more than that of $SiO_2$(30 sccm), and then the generation of electrons decreases and the conductivity of $SiO_2$(25 sccm) is low. Relatively, the conductivity of $SiO_2$(30 sccm) increases because of the high rate of ionization of argon gases. Therefore, the insulating performance of $SiO_2$(25 sccm) is superior to that of $SiO_2$(30 sccm) because of the high potential barrier of $SiO_2$(25 sccm). The $ZTO/SiO_2$ transistors are prepared to research the $CO_2$ gas sensitivity. The stability of the transistor of $ZTO/SiO_2$(25 sccm) as a high insulator is superior owing to the high potential barrier. It is confirmed that the electrical properties of the insulator in transistor devices is an important factor to detect gases.

• 대한방사선기술학회지:방사선기술과학
• /
• 제30권2호
• /
• pp.147-151
• /
• 2007

AAPM TG43 프로토콜에서 선원 강도의 측정은 공기커마강도로 권고하고 있다. 본 연구는 제조사에서 제공되는 공기커마강도의 정확성이 ${\pm}5%$ 범위 이내에 있는지 측정으로 검증하는데 목적이 있다. Standard imaging사의 MAX-4001 Electrometer와 HDR 1000 Plus, 그리고 6 french bronchial Applicator를 재료로 사용하여, 이온함의 중심축의 바닥으로부터 10 mm 지점에서 90 mm 지점까지 이온화 전류를 측정하였다. 측정된 이온화 전류 곡선에서 최대 이온화 전류를 나타내는 거리를 교정의 기준점으로 정하고, 이 이온화 전류 측정치로부터 공기커마강도를 구하였다. 이온화 전류 곡선의 정점인 최대 이온화 전류에 대응하는 거리는 50 mm이었다. 이 거리는 UW-ADCL의 교정 검증서의 선원의 기준점과 완전히 일치하였다. 측정으로 계산된 공기커마강도는 제조사에서 제공된 교정치보다 약 0.5% 더 높게 측정되었다. 제조사에서 제공되는 교정 검증서의 공기커마강도는 신뢰할 수 있는 정확성을 가졌다는 결과를 얻었다. 측정에서 우물형 이온함 안의 dead space의 길이와 선원의 dwell position으로 이동 오차 그리고 산란선의 영향 등을 고려하면, 정확한 측정과 교정의 결과를 얻을 수 있다고 생각된다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체재료 기술교육
• /
• pp.27-30
• /
• 2002

Photoconductor for direct detection flat-panel imager present a great materials challenge, since their requirements include high X -ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition. Selenium is practical material. But it needs high thickness and high voltage in selenium for high ionization rate. We report comparative studies of detector sensitivity. One is an a-Se with $70{\mu}m$ thickness on glass. The other has hybrid layer of depositting ZnS phosphor with $100{\mu}m$ on a-Se. The leakage current of hybrid is similar to it of a-Se, but photocurrent is lager than a-Se. Both of them have high spatial resolution, but hybrid has higher sensitivity than a-Se at comparable bias voltage.

• 대한전기학회논문지
• /
• 제35권5호
• /
• pp.199-204
• /
• 1986

The breakdown phenomena of N2 gas by 13.56MHz electric field are very different from those under steady field. In this paper we analyzed the breakdown phenomena by using electron distribution function and diffusion equation. The second-order differential equation derived from the Boltzmann equation is solved for the electron distribution function. The ionization rate and diffusion coefficient are calculated using kinetic theory formulas. The breakdown condition is that the number of electrons produced by ionization equal the number diffusing to the walls of the discharge chamber. Theses theoretical breakdown electric fields are calculated by the computer and compared with the experimental values.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2002년도 하계학술대회 논문집 C
• /
• pp.1549-1551
• /
• 2002

현재 게이트 길이가 100nm 이하의 MOSFET 소자를 구현할 때 가장 대두되는 문제인 short channel effect를 억제하는 방법으로 제안된 소자 중 하나가 double gate (DG) silicon-on-insulator (SOI) MOSFET이다. 그러나 DG SOI MOSFET는 두 게이트간의 align과 threshold voltage control 문제가 있다. 본 논문에서는 DG SOI MOSFET에서 이상적으로 게이트가 align된 구조와 back 게이트가 front 게이트보다 긴 non-align된 구조가 subthreshold 동작 영역에서 impact ionization에 미치는 영향에 대해 시뮬레이션을 통하여 비교 분석하였다. 그 결과 게이트가 이상적으로 align된 구조보다 back 게이트가 front 게이트보다 긴 non-align된 구조가 게이트와 드레인이 overlap된 영역에서 impact ionization이 증가하였으며 게이트가 각각 n+ 폴리실리콘과 p+ 폴리실리콘을 가진 소자에서 두 게이트가 같은 work function을 가진 소자보다 높은 impact generation rate을 가짐을 알 수 있었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1990년도 하계학술대회 논문집
• /
• pp.257-260
• /
• 1990

Monte Carlo simulations of electron impact ionization in silicon utilizing simple spherical band approximation including L valley are presented. The mean energy of electron at high electric field is lowered and the threshold energy of electron impact ionizaiotn is smeared out to $E_x$ by including L valley. This work also presents the importance of the modeling of L valley by calculating the electron population rate of it over the threshold energy of eletron impact ionization, which is higher than 10%

• Current Applied Physics
• /
• 제18권11호
• /
• pp.1375-1380
• /
• 2018

Atmospheric-pressure plasma has a great potential in many applications due to its simplicity rather than low pressure plasmas. In material processing, biomedical applications, and many other applications, the input power, gas flow rate, and the geometry of electrode have been mainly considered and studied as important external parameters of atmospheric-pressure plasma control. Besides, since the atmospheric-pressure plasmas are typically generated in an open air, the relative humidity is difficult to control and can change day by day. Therefore, the relative humidity cannot be ignored for plasmas. Thus, in this work, the atmospheric-pressure plasma jet was characterized by changing relative humidity, and it was found that the increase in electron density and OH radicals are due to Penning ionization between helium metastable and water vapors at higher humidity condition.

• 한국원자력학회:학술대회논문집
• /
• 한국원자력학회 1996년도 춘계학술발표회논문집(4)
• /
• pp.34-39
• /
• 1996

A series of measurements was peformed between KAERI and PNNL, U.S.A at KAERI secondary calibration laboratory to intercompare and verify the KAERI reference photon radiation fields by using air equivalent plastic walled ionization chambers, Different ionization chambers of two laboratories were used to determine the air kerma rate, free-in-air, at reference positions in the KAERI photon radiation fields, As the results, the agreement in the cross measurements between two laboratories was found to be within less than ${\pm}$ 3 %. This degree of consistency was considered to be encouraging, because each laboratory maintains independently its calibration traceablity with its national primary standard

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제13권2호
• /
• pp.29-40
• /
• 1988

환경방사선 측정에 이용되는 휴대형 고순도 게르마늄검출기에 대한 스펙트럼-조사선량율 변환연산자를 원판형선원의 공간분포함수와 검출기의 평면에 대한 측정효율식을 적용하여 이론적으로 유도했다. 이와 같이 구한 변환연산자와 휴대형 고순도 게르마늄검출기를 이용해 한국에너지연구소내에서 방사선 조사선량율을 측정했다. 측정한 조사선량율을 이미 알려진 3'${\phi}\;{\times}$3'NaI(Tl) 섬광검출기에 대한 변환연산자를 적용해 NaI(Tl)검출기로 측정한 조사선량율과 가압형 이온전리함으로 측정한 값과 비교했다. 고순도 게르마늄 검출기로 얻은 결과는 NaI(Tl) 검출기와 가압형 이온전리함으로 얻은 값보다 약 17-29% 낮음을 보여주었다. 이 차이는 다른 문헌에서 보인 차이와 거의 같았다. 본 논문에서 제시한 스펙트럼-조사선량율 변환연산자는 탁상용 계산기로 쉽게 계산할 수 있으며 환경방사선의 측정에 사용되는 여러 검출기에 대해서도 쉽게 적용할 수 있는 장점이 있고 지각에서 방출되는 각 핵종별로 조사선량율을 구할 수 있는 장점이 있다.

• Journal of Radiation Protection and Research
• /
• 제12권1호
• /
• pp.54-60
• /
• 1987

The quasi-exposure rate and the quasi-effective energy of the natural radiation in the field at 47 monitoring points around nuclear power plants have been studied with the pair filter thermoluminescence dosimeter system. The results of the six years observation showed that the relationship between the quasi-exposure rate $X_q$, and quasi-effective energy $E_q$ can be represented as a hyperbolic function: $X_q=A+C/(E_q-B)$, where the constants A and B correspond to the quasi-exposure rate of cosmic-rays and the minimum quasi-effective energy of natural radiation, respectively. Furthermore, the constant A is in close agreement with the values obtained by using ionization chambers and scintillation detectors. The constant B is approximately 0.68 MeV, closely corresponding to the mean energy of the photons emitted from natural uranium.