1 |
K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys. Lett., 93, 192107 (2008).
DOI
|
2 |
S. Akasaka, K. Tamura, K. Nakahara, T. Tanabe, A. Kamisawa and M. Kawasaki1, Appl. Phys. Lett., 93, 123309 (2008).
DOI
|
3 |
T. Oh and C. H. Kim, J. Nanosci. Nanotechnol., 16, 2096 (2016).
DOI
|
4 |
F. Liu, Y. Zhou, Y. Wang, X. Liu, J. Wang and H. Guo, Quantum Mater., 1, 16004 (2016).
DOI
|
5 |
S. W. Tsao, T. C. Chang, S. Y. Huang, M. C. Chen, S. C. Chen, C. T. Tsai, Y. J. Kuo, Y. C. Chen and W. C. Wub, Solid-State Electron., 54, 1497 (2010).
DOI
|
6 |
S. Akasaka, K. Tamura, K. Nakahara, T. Tanabe, A. Kamisawa and M. Kawasaki1, Appl. Phys. Lett., 93, 123309 (2008).
DOI
|
7 |
A. Suresh and J. F. Muth, Appl. Phys. Lett., 92, 033502 (2008).
DOI
|
8 |
T. Oh, Electron. Mater. Lett., 11, 853 (2015).
DOI
|
9 |
J. Maserjian, J. Vac. Sci. Technol., 11, 996 (1974).
DOI
|
10 |
J. Maserjian and N. Zamani, Appl. Phys. Lett., 53, 559 (1982).
|
11 |
T. Oh, Korean J. Mater. Res., 25, 1149 (2015).
|
12 |
C. S. Han and S. W. Kim, Korean J. Mater. Res., 28, 12 (2018).
DOI
|
13 |
T. Oh, Japanese J. Appl. Phys., 45, 264 (2006).
DOI
|