We studied the critical pressure characteristics of an anode type ion beam source driven by both charge repulsion and diffusion mechanism. The critical pressure $P_{crit}$ of the diffusion type ion beam source was linearly decreased from 2.5 mTorr to 0.5 mTorr when the gas injection was varied in 3~10 sccm, while the $P_{crit}$ of the charge repulsion ion beam source was remained at 3.5 mTorr. At the gas injection of 10 sccm, the range of having normal beam shape in the charge repulsion ion beam source was about 6.4 times wider than that in the diffusion type ion beam source. An impurity of Fe 2p (KE = 776.68 eV) of 12.88 at. % was observed from the glass surface treated with the abnormal beam of the charge repulsion type ion beam source. The body temperature of the diffusion type ion beam source was observed to increase rapidly at the rate of $1.9^{\circ}C/min$ for 30 minutes and to vary slowly at the rate of $0.1^{\circ}C/min$ for 200 minutes for an abnormal beam and normal beam, respectively.
keV ion beam irradiatin for surface modification and thin film growth have been discussed. keV ion beam irradiation in reactive gas environment has been developed for improving wettability of polymer, and for enhancing adhesion to metal film, and adventages of the method have been reviewed. An epitaxial Cu film on Si(100) substrate has been grown by ionized cluster beam and changes of crystallinity and surface roughness have been discussed. Stoichiometric $SnO_2$ films on Si(100) and glass have been grown by a hybrid ion beam Deposition(2 metal ion sources+1 gas ion source), and nonstoichiometric $SnO_2$ films are controlled by various deposition conditions in the HIB. Surface modification for polymer by kev ion irradiation have been developed. Wetting angle of water to PC has been changed from 68 degree to 49 degree with $Ar^+$ irradiation and to 8 degree with $Ar^+$ irradiation and the oxygen environment. Change of surface phenomena in a keV ion beam and characteristics of the grown films are suggested.
The etching characteristics of magnetic thin films of permalloy and Fe-based alloys are investigated. The thin films are fabricated by rf magnetron sputtering and the substrates used are silicon and glass. Etching is done by ion beam technique and the main process parameters investigated are beam voltage, beam current and accelerating voltage. The etch rate of the magnetic films is proportional to the beam current, but it is not directly related to the accelerating voltage and beam voltage. The dependence of etch rate on the process parameters can be explained by ion current density. It is found that the ion beam etching is effective in obtaining well-developed micro-patterns on the permalloy and Fe- based magnetic thin films.
For decades, traditional mutation breeding technologies using spontaneous mutation, chemicals, or conventional radiation sources have contributed greatly to the improvement of crops and microorganisms of agricultural and industrial importance. However, new mutagens that can generate more diverse mutation spectra with minimal damage to the original organism are always in need. In this regard, ion beam irradiation, including proton-, helium-, and heavier-charged particle irradiation, is considered to be superior to traditional radiation mutagenesis. In particular, it has been suggested that ion beams predominantly produce strand breaks that often lead to mutations, which is not a situation frequently observed in mutagenesis induced by gamma-ray exposure. In this review, we briefly describe the general principles and history of particle accelerators, and then introduce their successful application in ion beam technology for the improvement of crops and microbes. In particular, a 100-MeV proton beam accelerator currently under construction by the Proton Engineering Frontier Project (PEFP) is discussed. The PEFP accelerator will hopefully prompt the utilization of ion beam technology for strain improvement, as well as for use in nuclear physics, medical science, biology, space technology, radiation technology and basic sciences.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.68-69
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1998
Nano-crystalline silicon(nc-Si) thin films were directly depposited by ion beam assisted electron beam depposition (IBAED) method. The visibe luminescence in IBAED sampples were originated from not an oxygen bond but Si nano-crystallites. And we can conclude that the ion beam would be contribute to the suppression of the Si-O bond formation.
We fabricated an anode-type ion source driven by a charge repulsion mechanism and investigated its beam shape controlled by a Whenelt mask integrated at the front face of the source. The ion beam shape was observed to vary by changing the geometry of the Whenelt mask. As the angle of inclination of the Whenelt mask was varied from $40^{\circ}$ to $60^{\circ}$, the etched area at a thin film was reduced from 20 mm to 7.5 mm at the working distance of 286 mm, and the light transmittance through the etched surface was increased from 78% to 80%, respectively. In addition, for the step height difference, ${\Delta}$ between the inner mask and the outer mask of ${\Delta}=0$, -1 mm, and +1 mm, we observed the ion beam shape was formed to be collimated, diverged, and focused, respectively. The focal length of the focused beam was 269 mm. We approved experimentally a simple way of controlling the electric field of the ion beam by changing the geometry of the Whenelt mask such that the initial direction of the ion beam in the plasma region was manipulated effectively.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.50
no.6
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pp.455-459
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2017
The development of flexible transparent electrode has been paid attention for flexible electronics. In this study, we have developed transparent electrode based on silver nanowires with improved electrical property and stability through ion-beam treatment. The energetic particles of ion-beam could sinter junctions of each silver nanowires and etch out polyvinylpyrollidone(PVP) coated on silver nanowires. The sheet resistance of silver nanowire transparent electrode was reduced by 74%, and the resistance uniformity was increased about 3 times after exposure of ion beam. Moreover, the stability at $85^{\circ}C$ of temperature and 85% of relative humidity could be also improved.
$SrTiO_3$ (STO) single crystal irradiated with a 3-MeV proton beam exhibits blue and green mixed luminescence. However, the same proton beam when used to irradiate STO with a very thin layer of deposited Pt does not show any luminescence. This Pt layer prevents any damage which may otherwise be caused by arcing, which stems from the accumulated surface voltage of tens of kV due to the charge induced by secondary electrons on the surface of the insulator during the ion beam irradiation process. Hence, the luminescence of ion-irradiated STO originates from the modification of the STO surface layer caused by arcing rather than from any direct ion beam irradiation effect. STO treated with atmospheric-pressure plasma, a simple and cost-effective method, also exhibits the same type of blue and green mixed luminescence as STO treated with an ion beam, as the plasma also creates a layer of surface damage due to arcing.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.202-202
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1999
The Polyethylene (PE), Polystyrene (PS) and Polytetrafluoroethylene (PTFE) surface modification was investigated by hydrogen io assisted reaction (H-IAR) in oxygen environment. The IAR is a kind of surface modification techniques using ion beam irradiation in reactive gas environment. The energy of hydrogen ion beam was fixed at 1keV, io dose was varied from 5$\times$1014 to 1$\times$1017 ions/$\textrm{cm}^2$, and amount of oxygen blowing gas was fixed 4ml/min. Wettability was measured by water contact angles measurement, and the surface functionality was analyzed by x-ray photoelectron spectroscopy. The contact angle of water on PE modified by argon ion beam only decrease from 95$^{\circ}$ to 52$^{\circ}$, and surface energy was not changed significantly. But, the contact angle using hydrogen ion beam with flowing 4ml/min oxygen stiffly decreased to 8$^{\circ}$ and surface energy to 65 ergs/cm. In case of PS, the contact angle and surface energy changes were similar results of PE, but the contact angle of PTEE samples decreased with ion dose up to 1$\times$1015 ions/$\textrm{cm}^2$, increased at higher dose, and finally increased to the extent that no wetting was appeared at 1$\times$1017 ions/$\textrm{cm}^2$. These results must be due to the hydrogen ion beam that cleans the surface removing the impurities on polymer surfaces, then hydrogen ion beam was activated with C-H bonding to make some functional groups in order to react with the oxygen gases. Finally, unstable polymer surface can be changed from hydrophobic to hydrophilic formation such as C-O and C=O that were confirmed by the XPS analysis, conclusionally, the ion assisted reaction is very effective tools to attach reactive ion species to form functional groups on C-C bond chains of PE, PS and PTFE.
Micro/nano tribological and water wetting characteristics of ion beam treated PTFE (polytetrafluoroethylene) surfaces were experimentally studied. The ion beam treatment was performed with a hollow cathode ion gun at different argon ion dose conditions in a vacuum chamber to modify the topography of PTFE surface. Micro/nano tribological characteristics, water wetting angles and roughness were measured with a micro tribe tester, SPM (scanning probe microscope), contact anglemeter and profilometer, respectively. Results showed that surface roughness increased with the argon ion dose. Water wetting angle of the ion beam treated samples increased with the ion dose, so the surface shows an ultra-hydrophobic nature. Micro-adhesion and micro-friction depend on the wetting characteristics of the PTFE samples. However, nano-tribological characteristics showed different results. The scale effect of surface topography on tribological characteristics was discussed. Also, the water wetting characteristics of modified PTFE samples were discussed in terms of the surface topographic characteristics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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