• 한국전자파학회논문지
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• 제17권9호
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• pp.860-865
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• 2006

본 논문에서는 가변형 $Bi_2O_3-ZnO-Nb_2O_5(BZN)$ Pyrochlore 박막을 이용한 고가변형 inter-digital capacitor를 제안하였다. 가장자리 전계 효과를 이용한 가변성의 향상과 DC 전압의 감소를 위해 inter-digital capacitor의 전극이 박막 내부에 삽입되었다. 2.5D simulator를 이용한 설계 결과, 제 안된 구조의 inter-digital capacitor(IDC)가 일반적인 구조의 IDC에 비해 가변성이 10 % 향상되었다. 제안된 IDC는 설계 결과를 바탕으로 실리콘 기판 위에 BZN 박막을 이용하여 제작되었다. BZN 박막은 reactive RF magnetron sputtering 방법을 이용하여 증착되었다. 제작된 inter-digital capacitor는 5.8 GHz와 18 V의 DC 인가 전압에서 최대 가변율이 50 %였다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2008년도 추계종합학술대회 B
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• pp.299-302
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• 2008

본 논문에서는 결함 기저면 구조(DGS)를 이용하여 WLAN 차단 필터 포함하는 소형의 초광대역 대역통과 필터를 제안하였다. H-모형의 슬롯은 IDC(Inter-Digital Capacitor)의 커플링을 이용하여 대역통과 필터의 성능을 향상시키기 위하여 채택하였고, 끝이 점점 작아지는 결함 접지 구조 3쌍은 대역 신호를 제외한 전송이 0이 되기 위하여 형성된 것이다. 또한 구부러진 슬롯은 원하지 않는 WLAN 무선 신호들을 걸러내도록 개발하였다. 이러한 세 구조들의 조합으로 소형의 UWB 대역통과 필터를 얻을 수 있었다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제12권11호
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• pp.1909-1913
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• 2008

본 논문에서는 결함 기저면 구조(DGS)를 이용하여 WLAN 차단 필터 포함하는 소형의 초광대역 대역통과 필터를 제안 하였다. H-모형의 슬롯은 IDC(Inter-Digital Capacitor)의 커플링을 이용하여 대역통과 필터의 성능을 향상시키기 위하여 채택 하였고, 끝이 점점 작아지는 결함 접지 구조 3쌍은 대역신호를 제외한 전송이 0이 되기 위하여 형성된 것이다. 또한 구부러진 슬롯은 원하지 않는 WLAN 무선 신호들을 걸러내도록 개발하였다. 이러한 세 구조들의 조합으로 소형의 UWB 대역통과 필터를 얻을 수 있었다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 추계학술대회
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• pp.586-589
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• 2012

In this paper, a tunable capacitor like an interdigital one is presented for low-voltage applications. In order to reduce operation voltage by enhancing fringing electric fields, two finger-patterned electrodes are vertically separated by employing a multi-layer thin film dielectric of a para-/ferro-/para-electrics without spacing between electrodes. The proposed tunable capacitor was fabricated on a quartz wafer and its characteristics are analyzed in terms of effective capacitance and tunability with a function of applied voltages, compared to the conventional interdigital capacitor (IDC). At 8V and 2 GHz, the proposed tunable capacitor shows the tunability of 18 % that is 10.3 % higher than that of the compared one.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.79-79
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• 2008

We report the growth of $Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3$(BST) thin films and their substrate-dependent electrical characteristics. BST thin films were deposited on alumina(non-single crystal), $Al_2O_3$(100) substrates by Nd:YAG Pulsed Laser Deposition(PLD) with a 355nm wavelength at substrate temperature of $700^{\circ}C$ and post-deposition annealing at $750^{\circ}C$ in flowing $O_2$ atmosphere for 1hours. BST materials had been chosen due to high dielectric permittivity and tunability for high frequency applications, To analyze the oxygen partial pressure effects, deposited films at 1, 10, 50, 100, 150, 200, 300 mTorr. The effects of oxygen pressure on structural properties of the deposited films have been investigated by X-ray diffraction(XRD) and atomic force microscope(AFM), respectively. Then we manufactured a inter-digital capacitor(IDC) patterns twenty fingers and $10{\mu}m$ gap, $700{\mu}m$ length and electrical properties were characterized. The results provide a basis for understanding the growth mechanisms and basic structural and electrical properties of BST thin films as required for tunable microwave devices applications such as varactors and tunable filters.

• 한국전자파학회논문지
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• 제15권11호
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• pp.1069-1074
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• 2004

본 논문에서는 직렬 inter-digital 커패시터와 이중 병렬 인덕티브 쇼트 스텁으로 구성된 double negative(DNG) 전송 선로를 설계하였다. 이러한 DNG 전송 선로는 특정한 주파수 이상에서는 double positive(DPS) 전송 선로의 특성을 가진다. 다시 말해서, 설계된 전송 선로는 DNG와DPS전송 선로의 특성을 주파수에 따라서 동시에 가진다. 누설파 대역에서의 DPS/DNG 전송 선로는 주파수 스캐닝 안테나로 이용되어 질 수 있다. 대칭 누설파 안테나의 분산 특성과 원거리 방사 패턴을 모의실험하였고 제작 및 측정하였다. 모의실험 결과는 측정결과와 대략 일치하였다.

• 전자공학회논문지SC
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• 제40권1호
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• pp.19-29
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• 2003

본 논문에서는 기존의 방법과는 달리 4 단계의 보정 기법을 적용하여 미세한 적외선 (infrared : IR) 신호를 검출해내는 비냉각 적외선 센서 어레이를 위한 CMOS 신호 검출회로를 제안한다. 제안하는 신호 검출회로는 11 비트의 A/D 변환기 (analog-to digital converter : ADC)와 7 비트의 D/A 변환기(digital to-analog converter : DAC), 그리고 자동 이득 조절 회로 (automatic gain control circuit : AGC)로 구성되며, 비냉각 센서 어레이를 동작시키는 DC 바이어스 전류 성분, 화소간의 특성 차이에 의한 변화 성분과 자체 발열 (self-heating)에 의한 변화 성분을 포함하는 적외선 센서 어레이의 출력 신호로부터 미세한 적외선 신호 성분만을 선택적으로 얻어낸다. 제안하는 A/D 변환기에서는 병합 캐패시터 스위칭(merged-capacitor switching : MCS) 기법을 적용하여 면적 및 전력 소모를 최소화하였으며, D/A 변환기에서는 출력단에 높은 선형성을 가지는 전류 반복기를 사용하여 화소간의 특성 차이에 의한 변화 성분과 자체 발열에 의한 변화 성분을 보정할 수 있도록 하였다. 시제품으로 제작된 신호 검출회로는 1.2 um double-poly double-metal CMOS 공정을 사용하였으며, 4.5 V 전원전압에서 110 ㎽의 전력을 소모한다. 제작된 시제품으로부터 측정된 검출회로의 differential nonlinearity (DNL)와 integral nonlinearity (INL)는 A/D 변환기의 경우 11 비트의 해상도에서 ±0.9 LSB와 ±1.8 LSB이며, D/A 변환기의 경우 7비트의 해상도에서 ±0.1 LSB와 ±0.1 LSB이다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제21권12호
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• pp.1447-1453
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• 2010

본 논문에서는 두 개의 이중 모드 공진기를 이용하여 이중 대역 통과 필터를 구현하였다. 단락 스터브를 이용한 이중 모드 공진기는 inter-digital 커패시터와 계단형 임피던스를 이용하여 소형화 되었다. 두 개의 이중 모드 공진기는 각 통과 대역의 중심 주파수에서 동작하도록 설계되었다. 전송 영점이 통과 대역의 상측이나 하측에 위치하여 차단 특성을 향상시킬 수 있다. 이중 대역 동작을 위해 이중 급전 구조를 이용하였다. 제안된 구조는 WLAN 대역인 2.45/5.25 GHz에서 동작하도록 설계 제작되었다. 제안된 이중 대역 통과 필터의 크기는 $10.83\;mm{\times}5.3\;mm$이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.179-179
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• 2009

This is for the electrical characterization by IDC pattern using BST$(Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3)$ thin film. BST materials had been chosen for high frequency applications due to it's high permitivity and tunability. The BST thin films have been deposited on $Al_2O_3$ Substrates by Nd-YAG pulsed laser deposition with a 355nm wavelength at $700\;^{\circ}C$. The post deposition annealing at $750^{\circ}C$ in flowing $O_2$ atmosphere for 1 hours. The capacitance of IDC patterns have been measured from 1 to 10 GHz as a function of electric field ($\pm40$ KV/cm) at room temperature using inter-digital Au electrodes deposited on top of BST. The IDC patterns have three type of fingers number. For the 10 pairs finger was the best capacitance onto $Al_2O_3$ substrate. The capacitance was 0.9pF. Also Dielectric constant was been 351 at 100 mTorr and annealing temperature $750^{\circ}C$ for 1 hour. The loss tangent was been 0.00531.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 추계학술대회 논문집 Vol.21
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• pp.200-200
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• 2008

This paper reports on electrical characterization by IDC pattern using BST$(Ba_{0.5}Sr_{0.5}TiO_3)$ thin film. BST thin films have been deposited on $Al_2O_3$ Substrates by Nd-YAG pulsed laser deposition with a 355nm wavelength at $700^{\circ}C$. The post deposition annealing at $750^{\circ}C$ in flowing $O_2$ atmosphere for I hours. The capacitance of IDC patterns have been measured from 1 to 10 GHz as a function fo electric field (${\pm}40$ KV/cm) at room temperature using interdiigitated Au electrodes deposited on top of BST. The IDC patterns have three type of fingers number. For the finger paris was increased onto $Al_2O_3$, the capacitance increased. The capacitance of 5 pairs finger was 0.3pF and 10 pairs finger was 0.9pF.