In this study we report a wet-etching-based fabrication method for adiabatic optical-fiber tapers (OFTs), and describe their adiabaticity and HE11 mode evolution at a wavelength of 1550 nm. The profile of the fabricated system satisfies the adiabaticity properties well, and the far-field pattern from the etched OFT shows that the fundamental HE11 mode is maintained without a higher-order mode coupling throughout the tapers. In addition, the measured far-field pattern agrees well with the simulated result. The proposed adiabatic OFTs can be applied to a number of photonic applications, especially fiber-chip packages. Based on the fabricated adiabatic OFT structures, the optical transmission to the inversely tapered silicon waveguide shows large spatial-dimensional tolerances for 1 dB excess loss of ~60 ㎛ (silicon waveguide angle of 1°) and insertion loss of less than 0.4 dB (silicon waveguide angle of 4°), from the numerical simulation. The proposed adiabatic coupler shows the ultrabroadband coupling efficiency over the O- and C-bands.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.21
no.2
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pp.99-109
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2010
Recently, SIW(Substrate Integrated Waveguide) is intensively studied because of its high Q and easy integration with other devices. However, lacks of analytic characterization of SIW makes it difficult an accurate design of a SIW filter along the conventional filter design method. In this paper, two kinds of a three-stage 10 GHz SIW bandpass filter of fractional bandwidth 10% are designed using 3D EM simulator HFSS based on the recently presented EM filter design method. Two types of a modified CPW to SIW transition is proposed and employed as a SIW to microstrip transition necessary for measurement. The transitions provide an easy measurement with commercial test fixture by TRL calibration. The two proposed transitions are included in the SIW filters. The fabricated filters shows the center frequency of 10 GHz, fractional bandwidth 10%, a return loss of about 12 dB, and insertion loss of about 0.8 dB.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.17
no.4
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pp.77-82
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2017
As frequencies increase to the millimeter wave bands the cross sections of wave guides become smaller than a few millimeters, which cause sapatial problems in realization of spatial combining power amplifiers. In this paper we intented to overcome the problem by widening the width of wave guides using horn antenna principles. We designed a widened rectangular wave guide for using in spatial combining power amplifier in 60GHz ISM band(57-64GHz), and we installed Antipodal transition in the widened wave guide, and then we characterized it as a spatial combining power amplifier. For the compatibility of WR15 standard wave guide, we widened the width of WR15 to 7mm using principle of H-plane sectoral horn antenna and then installed 3 slots of back to back Antipodal transition. The designed spatial combining power amplifier showed good characteristics of return loss less than -22.4dB and insertion loss less than 0.53dB. However, as widening the width of the wave guide, additional modes such as $TE_{20}$, $TE_{30}$ in addition to $TE_{10}$ were accurred in the bandwidth of WR15, which restricted the bandwidth and widening of the width of the wave guide.
Kim, Kwang-Seok;Koo, Ja-Myeong;Joung, Jae-Woo;Kim, Byung-Sung;Jung, Seung-Boo
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.17
no.3
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pp.43-49
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2010
Direct printing technology is an attractive metallization method, which has become immerging as "Green technology" to the conventional photolithography, on account of low cost, simple process and environment-friendliness. In order to commercialize the printed electronics in industry, it is essential to evaluate the electrical properties of conductive circuits using direct printing technology. In this contribution, we focused on the electrical characteristics of inkjet-printed circuits. A Cu nanoink was inkjet-printed onto a Bisaleimide triazine(BT) substrate with parallel transmission line(PTL) and coplanar waveguide(CPW) type, then was sintered at $250^{\circ}C$ for 30 min. We calculated the resistivity of printed circuits through direct current resistance by the measurement of I-V curve: the resistivity was approximately 0.558 ${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$ which is about 3.3 times that of bulk Cu. Cascade's probe system in the frequency range from 0 to 30 GHz were employed to measure the Scattering parameter(S-parameter) with or without a gap between the substrate and the probe station chuck. The result of measured S-parameter showed that all printed circuits had over 5 dB of return loss in the entire frequency range. In the curve of insertion loss, $S_{21}$, showed that the PTL type circuits had better transmission of radio frequency (RF) than CPW type.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.24
no.6
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pp.602-612
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2013
In this paper, a design and fabrication of miniaturized 5.3 GHz reflection type $360^{\circ}$ analog phase shifter with branch line coupler and $360^{\circ}$ variable reactance load. In order to miniaturize phase shifter, novel branch line coupler is proposed. The novel branch line coupler is miniaturized using transformation of transmission line to T and ${\pi}$ type equivalent circuit. The miniaturized branch line coupler has small size of above 50 % compared with conventional branch line coupler. For wide phase shift range, $360^{\circ}$ variable reactance load structure is adopted. Especially, the structure was improved for linear phase shift by adding transmission line which acts as an impedance transformer. The improved structure was miniaturized using the equivalent lumped-element of transmission line. The fabricated phase shifter with $15{\times}15mm^2$ shows wide phase shift of above $480^{\circ}$, the insertion loss of -4~-6 dB and the reflection loss of below -20 dB at 5.3 GHz under 0~10 V control voltage range.
In this paper, we have designed and fabricated a new type of bandpass-filter that used rectangular ring and interdigital capacitive feeding-structure. The filter is applied the modified rectangular ring and interdigital capacitive feeding-structure in patch, which reduce rho size of filter and IEEE 802. 11 correspond to wireless LAN domain(2.45GHz and 5.2GHz) for operating. As a result, the design and fabrication process of the filter become simple and the size of it is reduced more than 60% compared with RF filter are available conventional PEMBF(Parallel Edge-coupled Microstrip Bandpass Filter) of accounted circuit by minimum stage, measurement result of fabricated filter, center frequence is down 2.408GHz and 5.075GHz. input return loss is -39.169dB at 2.408GHz, -40.922dB at 5.075GHz. insertion loss is -0.437dB at 2.408GHz, -1.669dB at 5.075GHz.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.14
no.4
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pp.369-376
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2003
In this paper, Ka-Band NRD guide band pass filter with newly designed inductive post structure is proposed and analyzed with its test results. Generally, millimeter-wave filters are very sensitive in their physical dimensions, hence, it is requires extreme precisions of several micron so as to get the designed performance. In case of common NRD Guide filter with air gap coupled structure, it is fabricated with dielectric blocks coupled via air gap. In these structures, however, it was not easy to fabricate and to process of each NRD guide dielectric resonator blocks using PTFE, so it was almost impossible to assemble with several microns in precision. In this our research, however, each dielectric resonators are coupled with a pair of inductive metal post, so all resonators are located in a single NRD Guide. The dielectric parts between two pairs of posts are operated as resonators of each stage, and the positions of the post decide the couplings between resonators. The structure we suggested is suitable fur mass production, because it is very simple and easy to process. As a result of measurements, designed NRD guide inductive post filter has a superior performance. The center frequency is 39.475 GHz with 350 MHz bandwidth, insertion loss is less than 1.8 dB, and the return loss is below than -18 dB.
The Journal of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science
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v.15
no.1
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pp.73-80
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2004
In this paper, the implementation and embedding method of the existing air-filled waveguide-filters at millimeter-wave on general PCB substrate is introduced by systematically inserting the vias inside waveguide and mathematically manipulating the simple equations obtained ken the classical circular-post waveguide filter design. All the metal structures placed vertically such as side wall fur perfect ground plane and circular-post for signal control in the air-filled WR-22 waveguide are replaced with several types of via for constructing the bandpass-filter. Side wall and poles inside waveguide are realized by placing a series array of via and tuning the via diameter. The lengths of x, y, z axis are reduced in proportion to root square of employed substrate dielectric constant and especially the length of z axis can be more reduced due to the characteristics of the wave propagation. Because the mass production on PCB is possible without fabricating a large-scaled metal waveguide of WR-22 as input/output ports at millimeter-wave regime, the manufacturing cost is reduced considerably. Finally, when using multilayer process like LTCC for small-sized module, it is one of advantages to use only one layer f3r the filter fabrication. To evaluate the validity of this novel technique, order-3 Chebyshev BPF(Bandpass-Filter) centered at 40 GHz-band with a 2.5 % FBW (Fractional Bandwidth) were used. The employed substrate has relative dielectric constant of 2.2 and thickness of 10 mil of Rogers RT/Duroid 5880. Accroding to design and measurement results, a good performance of insertion loss of 2 ㏈ and return loss of -30 ㏈ is achieved at full input/output ports.
Formaldehyde responsive protein(FRP) 1 belongs to the family of universal stress protein(USP) and is known to respond to stress caused by fumigation of gaseous volatile organic compounds(VOCs) such as formaldehyde and toluene. However, the molecular function of this protein is not well understood at cellular and molecular level. In this study, loss of function mutant of FRP1 generated by T-DNA insertion(frp1-4) has been isolated from Arabidopsis thaliana and the function of FRP1 was characterized. The loss-of-function mutant of FRP1 appeared slight growth defects with shorter stem and rosette leaves compared to wild type. In addition, the damage caused by exogenous VOCs was more severe in frp1-4 than in control. Therefore, Arabidopsis FRP1 seems to be the protein involved not only in the growth and development of plant but also the stress resistance against toxic volatile organic compounds.
Mun Jae Kyoung;Lim Jong Won;Jang Woo Jin;Ji, Hong Gu;Ahn Ho Kyun;Kim Hae Cheon;Park Chong Ook
Journal of the Korean Vacuum Society
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v.14
no.4
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pp.207-214
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2005
This paper presents a channel structure for promising high performance pseudomorphic high electron mobility transistor(pHEMT) switching device for design and fabricating of microwave control circuits, such as switches, phase shifters, attenuators, limiters, for application in personal mobile communication systems. Using the designed epitaxial channel layer structure and ETRI's $0.5\mu$m pHEMT switch process, single pole double throw (SPDT) Tx/Rx monolithic microwave integrated circuit (MMIC) switch was fabricated for 2.4 GHz and 5 GHz band wireless local area network (WLAN) systems. The SPDT switch exhibits a low insertion loss of 0.849 dB, high isolation of 32.638 dB, return loss of 11.006 dB, power transfer capability of 25dBm, and 3rd order intercept point of 42dBm at frequency of 5.8GHz and control voltage of 0/-3V These performances are enough for an application to 5 GHz band WLAN systems.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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