Long-wave infrared detectors using the type-II InAs/GaSb strained superlattice (T2SL) material system with the nBn structure were designed and fabricated. The band gap energy of the T2SL material was calculated as a function of the thickness of the InAs and GaSb layers by the Kronig-Penney model. Growth of the barrier material (Al0.2Ga0.8Sb) incorporated Te doping to reduce the dark current. The full width at half maximum (FWHM) of the 1st satellite superlattice peak from the X-ray diffraction was around 45 arc sec. The cutoff wavelength of the fabricated device was ${\sim}10.2{\mu}m$ (0.12eV) at 80 K while under an applied bias of -1.4V. The measured activation energy of the device was ~0.128 eV. The dark current density was shown to be $1.2{\times}10^{-5}A/cm^2$ at 80 K and with a bias -1.4 V. The responsivity was 1.9 A/W at $7.5{\mu}m$ at 80K and with a bias of -1.9V.
근적외선 파장대역 850 nm ~ 1000 nm에서 레이저를 검출하기 위해 포토다이오드의 분광감응도를 향상시키고자 본 논문에서 실리콘 기반 고감도 PIN 포토 다이오드를 제작하고 전기적 및 광학적 특성을 분석하였다. 제작된 소자는 TO-18형으로 패키징 하였고 포토다이오드의 전기적 특성으로 역 바이어스 전압이 5V일 때 암전류는 Anode 1과 Anode 2는 약 0.055 nA 의 값을 나타내었으며 정전용약은 0V 일 때 1 kHz 주파수 대역에서 약 19.5 pF, 200 kHz 주파수 대역에서 약 19.8 pF의 적은 정전용약을 나타내었다. 또한 출력신호의 상승시간은 10 V의 전압일 때 약 30 ns의 고속 응답특성을 확인하였다. 광학적 특성 분석으로는 880 nm에서 최대 0.66 A/W의 분광감응도 값을 나타내었고 1000 nm에서는 0.45 A/W로 비교적 우수한 분광감응도를 나타내었다.
본 연구 목표는 조류 둥지에 의한 전신주 내의 사고를 사전에 방지하기 위해 전신주 중 둥지 설치가 가능한 공간 내에 센싱을 통해 조류가 둥지를 짓어 알을 낳기 전에 제거하기 위한 센서 노드 개발에 있다. 조류 둥지를 인식하기 위해서는 최초 설치하였을 때의 거리 측정 값과 이 후 측정되는 거리 값의 변화에 따라 예측 가능한 솔루션에 있다. 본 논문에서는 콘크리트, 철판, 나무, 비닐봉지를 대상으로 적외선을 설계하고 시험하였다. 전신주 내에 놓일 수 있는 물체를 대상으로 실험하여, 각 각의 분광 반사율에 의해 감지되는 분광을 포토다이오드를 통한 값의 표준 편차 그래프를 통해 물체의 대상을 예측하며, 거리 측정이 가능하게 되었다. 본 실험 결과로서 적외선 센서를 통해 전신주 내의 위험물에 대한 대상 정보(콘크리트, 철판, 나무, 비닐봉지)를 습득하게 되고 전력망 모니터링을 통해 안전한 전력망 구축과 자연과 상생 가능한 환경에 이바지 할 것으로 예측된다.
EOIS(electro-optical imaging system) is the main target of the laser weapon. Specially, the image sensor will be vulnerable because EOIS focuses the incident laser beam onto the image sensor. Accordingly, the laser-induced damage of the image sensor needs to be identified for the counter-measure against the laser attack. In this study, the laser-induced damage of the CCD image sensor irradiated by the CW(continuous wave) NIR(near infrared) laser was experimentally investigated and mechanisms of those damage occurrences were analyzed. In the experiment, the near infrared CW fiber laser was used as a laser source. As the fluence, which is the product of the irradiance and the irradiation time, increased, the permanent damages such as discoloration and breakdown appeared sequentially. The discoloration occurred when the color filter was damaged and then the breakdown occurred when the photodiode and substrate were damaged. From the experimental results, LIDTs(laser-induced damage thresholds) of damages were roughly determined.
In the total artificial heart(TAH), a transcutaneous information transmission system(TITS) is vely important to monitor the TAH status and detect the device failure, and repair the possible problems. First of all, the communication channel(skin) and method were simulated in terms of transmittance, scattering, reflection and absorption, then the system was designed with size reduction including low power consumption and reliability compared to the previous one. The informations are transmitted through the skin(approximately 1cm in depth) by frequency modulated near infrared(NIR) pulses using 780nm laser diodes as transmitters and photodiode as receiver with high speed and high spectral sensitivity. The logic high and low frequencies are 3MHz, 1MHz respectively. The system is a bidirectional data link for more than 38.4Kbps data rate, full-duplex with a bit error rate of less than $10^{-5}$.
In this study, the performance of a portable NIR system and a FT NIR spectrometer were compared to determine water content of hairless mouse skin. The stratum corneum parts wer e separated from the epidermal tissues by trypsin solution. NIR diffuse reflectance spectra of hairless mouse skin were acquired using a fiber optic probe. In the near infrared, water molecules show two clear absorption bands at 1450 nm from first overtone of O-H stretching and 1940 nm from the combination involving O-H stretching and O-H deformation. It was found that the variations of O-H absorption band according to water content. Partial least squares regression (PLSR) was applied to develop a calibration model. The PLS model showed a good correlation between NIR predicted value and the absolute water content of separated hairless mouse skin, in vitro. For both the portable and the FT NIR spectrometer, These studies showed the possibility of a rapid and nondestructive skin moisture measurement using NIR spectroscopy. The portable NIR spectrometer with a photodiode arrays-microsensor could be more rapidly applied for the determination of water content with comparable accuracy with the performance of a FT spectrometer .
본 연구는 광파장분석기 설계 및 구현에 관한 것이다. 실험을 위해 입력광은 적외선, 자외선, 가시광선으로 광원을 사용하였다. 전류전압(I-V) 변환회로는 포토다이오드[1]로 구성 되어 있다. 광기전력을 이용하여 전압을 측정한다. 측정한 전압의 크기로 광원의 파장을 알아낼 수 있다.
This paper describes the implementation of a multi-subject, multi-channel optical telemetry system for the short range measurement of electrocardiograms (EKGs) a system which receives command signals and transmits physiological signals to the external system using LED (Light Emitting Diode) and PD (Photodiode). This system decreases the dependency of power supply voltage to the CMOS IC chips and a new enforced synchronization technique using infrared bi-directional communication has also been proposed. The telemetry IC with the size of $5.1{\times}5.1mm^2$ has the following functions: receiving of command signal, initialization of internal state of all functional blocks, decoding of subject selection signal, time division multiplexing of 4-channel modulated physiological signals, transmission of modulated signals to external system, and auto power down control.
InSb (III-V compound semiconductor) is used for photodiode to detect the mid-wavelength infrared radiation. Generally the quantum efficiency of InSb IR FPAs(Focal Plane Arrays) is known to be determined by thickness of InSb and transmittance of anti-reflection coating layer. In this study, we confirmed that the C-V characteristics of detector array affects the quantum efficiency of the InSb IR FPAs. We fabricated the IR FPAs with various $V_{fb}$(flat band voltage) values and confirmed the tendency between the $V_{fb}$ value and quantum efficiency of the IR FPAs.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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