• 한국정보통신학회논문지
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• 제5권3호
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• pp.573-579
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• 2001

소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술은 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 소자가 마이크론급에서 나노급 이하로 작아지면서 그에 맞는 소자개발을 위해 여러 가지 구조가 제시되고 있는데 본 논문에서는 TCAD를 이용하여 여러 가지 구조 중에서 고농도로 도핑된 ground plane 위에 적층하여 만든 EPI MOSFET를 조사하였다. 이 구조의 특성과 임팩트이온화와 전계 그리고 I-V특성 곡선을 저 농도로 도핑된 드레인(LDD)MOSFET와 비교 분석하였다. 또한 TCAD의 유용성을 조사하여 시뮬레이터로서 적합함과 나노구조 소자에서의 스켈링이론의 적합함을 보았다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 춘계종합학술대회
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• pp.645-648
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• 2007

본 논문은 모바일 장치에 의한 데이터베이스 관리 시스템에 관해 기술한다. 본 시스템은 모바일 장치를 사용해서 언제 어디서든지 즉시 원격으로 데이터베이스를 관리 가능하다. 이를 위해 모바일 디바이스와 인터페이스 가능한 dataset server CE와 모바일 장치에서 운용 가능한 데이터베이스 관리 시스템 및 모바일 장치를 데스크톱 컴퓨터와 연결 시켜주는 웹 서비스 프로그램을 개발했다. 외부의 모바일 장치는 웹 서비스 기능과 무선으로 연결한다. 개발한 시스템은 dataset server CE 클라이언트 엔진, 웹 서비스 서버 에이전트 및 모바일 관리 시스템을 포함한다. 애플리케이션 프로그램을 이용해서 시스템의 기능을 테스트 했고, 테스트 결과 개발한 시스템이 원래의 목적대로 잘 운용됨을 확인했다.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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• pp.309-313
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• 2006

We demonstrated 2.2inch qqVGA AMOLED display drived by ultra low temperature poly-Si (ULTPS) TFT not transferred but direct fabricated below $200^{\circ}C$. Si channel was crystallized by decreasing impurity concentration even at room temperature. Gate insulator with a breakdown field exceeding 8 MV/cm was realized by Inductively coupled plasma - CVD. In order to reduce stress of plastic, organic film was coated as inter-dielectric and passivation layers. Finally, ULTPS TFT of which mobility is over $20cm^2/Vsec$ was fabricated on transparent plastic substrate and drived OLED display successfully.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제29권10호
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• pp.625-629
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• 2016

Electrical and optical properties of the AC voltage driven organic light-emitting diodes were investigated by measuring the electroluminescence of the device. Device structure of ITO(170 nm)/TPD(40 nm)/Alq3(60 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(100 nm) was manufactured using a thermal evaporation. Sinusoidal and square-type AC voltage was applied to the device using a function generator. Amplitude of the applied voltage was 9.0 V, and a frequency was varied from 50 Hz to 50 kHz. Electroluminescence out of the device was measured in a Si photodetector simultaneously with the applied voltage together. An intensity and a delayed residual luminescence from the device were depended on the frequency of the sinusoidal voltage. It is thought to be due to a contribution of the capacitive nature in the equivalent circuit of the device. An electron mobility was estimated using a time constant obtained from the luminescence of the device driven by the square-type AC voltage.

• 전기학회논문지
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• 제59권10호
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• pp.1803-1808
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• 2010

Electric railway system consists of rolling stock, track, signal and catenary system. ATP system in railway signaling system is the important one grasping the position and velocity of a train. The wayside device of ATP system is installed between rails. Recently, the research about increasing train speed has been developed in total departments of the railroad systems. The study on the information transmission between on-board device and wayside device is required for increasing the train speed in the ATP system. When the train speed is increased as to same transmission distance, the problem on information transmission occurs because the transmission time is decreased. In case that the transmission distance is extended, the transmission time is decreased with respect to the train speed. Therefore, we have to define the standard magnetic field intensity as to the train speed in order to transmit correctly telegram. In this paper, the transmission distance for the telegram is suggested on the basis of the train speed. Also, the standard magnetic field intensity from the wayside device to on-board device is proposed by using transmission distance regarding the train speed in the ERTMS/ETCS system by using Matlab program. Also, BER according to the train speed is presented by calculating electric field intensity from the magnetic field intensity.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2001년도 춘계종합학술대회
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• pp.311-316
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• 2001

소자의 고집적을 위한 특성분석 기술은 빠른 변화를 보이고 있다. 이에 따라 고집적 소자의 특성을 시뮬레이션을 통하여 이해하고 이에 맞게 제작하는 기술을 매우 중요한 과제 중의 하나가 되었다. 소자가 마이크론급에서 나노급 이하로 작아지면서 그에 맞는 소자개발을 위해 여러 가지 구조가 제시되고 있는데 본 논문에서는 TCAD를 이용하여 여러 가지 구조 중에서 고농도로 도핑된 ground plane 위에 적층하여 만든 EFI MOSFET와 LDD구조의 단점을 개선한 newEPI MOSFET에 대해 조사하였다. 이 구조의 특성과 임팩트이온화와 전계 그리고 I-V 특성 곡선을 저 농도로 도핑된 드레인(LDD) MOSFET와 비교 분석하였다. 또한 TCAD의 유용성을 조사하여 시뮬레이터로서 적합함과 나노구조 소자에서의 스켈링이론의 적합함을 보았다.

• 로봇학회논문지
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• 제9권1호
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• pp.48-56
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• 2014

In robotic surgery, a surgeon checks only a surgical site of patient in the progress of surgery by vision and sound information. In order to solve this limited information, the haptic function is necessary. And haptic surgical robot is also necessary to design a haptic master device. The master device for laparoscope operation with cable-conduit was developed in previous research to give haptic function. It suggested a possibility of developing a master device by using the cable-conduit. However, it is very inconvenient to use. Therefore, this paper suggests a new mechanism design structure to solve the problems of the previous work by new forming a new master device. And it has proved that it's usability is better than previous one. Furthermore it has also experimented and analyzed that a backlash of new master device is compensated by smooth backlash inverse algorithm.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제22권12호
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• pp.1659-1666
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• 2018

입력된 소리가 음성과 음향이 혼재된 경우 잡음의 영향으로 음성 인식률이 저하됨을 알 수 있으며 S/W적 처리 한계를 극복코자 H/W 장치인 MEMS 장치를 개발하여 음성 인식률을 향상시켰다. MEMS 마이크로폰 장치는 음성을 입력하는 장치로서 다양한 모양으로 구현되어 사용된다. 기존 MEMS 마이크로폰은 일반적으로 우수한 성능을 발휘하나 잡음 과 같은 특수 환경에선 음성과 음향이 혼재되어 처리 성능이 저하되는 문제점이 발생됨을 알 수 있었다. 이러한 문제점을 개선코자 초기 입력장치에 음성 특성을 구분하여 검출할 수 있는 신규 고안된 MEMS 장치를 사용하여 향상시켰다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제12권2호
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• pp.150-154
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• 2019

In the design of semiconductor integrated circuits, ESD is one of the important issues related to product quality improvement and reliability. In particular, as the process progresses and the thickness of the gate oxide film decreases, ESD is recognized as an important problem of integrated circuit design. Many ESD protection circuits have been studied to solve such ESD problems. In addition, the proposed device can modify the existing SCR structure without adding external circuit to effectively protect the gate oxide of the internal circuit by low trigger voltage, and prevent the undesired latch-up phenomenon in the steady state with high holding voltage. In this paper, SCR-based novel ESD(Electro-Static Discharge) device with the high holding voltage has been proposed. The proposed device has the lower triggering voltage without an external trigger circuitry and the high holding voltage to prevent latch-up phenomenon during the normal condition. Using TCAD simulation results, not only the design factors that influence the holding voltage, but also comparison of conventional ESD protection device(ggNMOS, SCR), are explained. The proposed device was fabricated using 0.35um BCD process and was measured electrical characteristic and robustness. In the result, the proposed device has triggering voltage of 13.1V and holding voltage of 11.4V and HBM 5kV, MM 250V ESD robustness.

• 한국정보과학회:학술대회논문집
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• 한국정보과학회 2006년도 한국컴퓨터종합학술대회 논문집 Vol.33 No.1 (D)
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• pp.334-336
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• 2006

본 논문에서는 Zigbee Alliance의 표준에 따라 Application support sub-layer (APS)와 Zigbee device object (ZDO)를 설계하고 구현한다. 본 논문에서 구현된 Zigbee는 Zigbee Alliance의 표준안 1.0을 만족하도록 설계되었다. 본 논문에서 설계되고 구현된 APS와 ZDO를 이용하여 Zigbee 네트워크를 구성하고 운영할 수 있다.