We have designed cost competitive pixel structures for high performance mobile PVA LCDs. These new structures significantly bring down the price by the use of a conventional polarizer for lowest possible cost. A 4.3" prototype based on these techniques was built, achieving the world's highest mobile display contrast ratio of 1200:1, while maintaining wide viewing angle with no loss of transmittance
A series of Sr-Si-S compounds was synthesized using an advanced chemical method in which the use of one solution-based process uniformly dispersed the $Eu^{2+}$ activators in the host crystals, to find new compositions that would suit phosphor applications. Particular focus was given to the Si-rich region. This led to the synthesis of a single-phase compound that showed an unknown X-ray diffraction pattern. This compound had a composition close to that of $SrSi_2S_5$. When this compound is activated with $Eu^{2+}$ ($SrSi_2S_5:Eu^{2+}$), it shows a cyan-blue emission with a main luminescence peak at 495 nm. This emission is excited by wavelengths of 250-440 nm and has a maximum excitation at 350 nm.
The preparation and characteristics of flexible indium tin oxide electrodes grown on polyethylene terephthalate (PET) substrates using a specially designed roll-to-roll sputtering system for use in flexible optoelectronics In spite of low a PET substrate temperature, we can obtain the flexible electrode with a sheet resistance of 47.4 ohm/square and an average optical transmittance of 83.46 % in the green region of 500~550 nm wavelength. Both x-ray diffraction (XRD) and field emission scanning electron microscopy (FESEM) analysis results showed that all flexible ITO electrodes grown on the PET substrate were an amorphous structure with a very smooth and featureless surface, regardless of the Ar/$O_2$ flow ratio due to the low substrate temperature, which is maintained by a cooling drum. In addition, the flexible ITO electrode grown on the Ar ion beam treated PET substrates showed more stable mechanical properties than the flexible ITO electrode grown on the wet cleaned PET substrate, due to an increased adhesion between the flexible ITO and the PET substrates.
In optical information technology, an electro-controllable Photonic Band Gap (PBG) in a photonic crystal (PC) material is potentially useful for the manipulation of light. Despite a great deal of research on PBGs, the reliable use of electro-active PBG material systems is restricted to only a few cases because of the complex and limiting nature of the structures involved. Here, we propose a PBG system that uses a liquid crystal (LC) polymer composite. The composite is made of nematic LCs (NLCs) embedded in polymeric helical networks of photo-polymerized cholesteric LCs (CLCs). The composite film shows a large field-induced reversible color shift over 150 nm of the reflection band, due to the reorientational undulation of the helical axis, similar to the Helfrich effect.
This paper presents a novel electrostatic drop-on-demand inkjet device featured by a MEMS fabricated pole-type and hole-type nozzle with tube shaped orifice and investigates the feasibility of applying the inkjet device to display fabrication process. The electric voltage signal applied to the ring shaped upper electrode plate, against the hole-shaped ground or pole-shaped ground, referred here pole-type and hole-type nozzle respectively, allows ejection of small droplet to take place: That is, a tiny droplet is taken away from the peak of the mountain shaped liquid meniscus formed at the nozzle orifice. It is verified experimentally that the use of the pole type nozzle allows a stable and sustainable micro-dripping mode of droplet ejection for a wider range of applied voltages and of liquid viscosities. This demonstrates a feasibility of electrostatic drop-on-demand inkjet device as a disruptive alternative to conventional print heads such as thermal bubble or piezoelectric inkjet heads.
Kim, Dong-Ju;Kim, Soon-Hak;Hur, Young-June;Kim, Duck-Gon;Lee, Sam-Jong;Jung, Sang-Kwon;Kim, Myeug-Chan;Park, Lee-Soon
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2006.08a
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pp.910-912
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2006
Barrier ribs in plasma display panels (PDPs) function to maintain the discharge space between the glass plates as well as to prevent optical cross-talking. The barrier ribs currently employed are typically $300{\mu}m$ pitch, $110{\sim}120{\mu}m$ in height, with upper and lower widths of $50{\mu}m$ and $80{\mu}m$, respectively. It has been reported that barrier ribs can be fabricated by screen-printing, sand blasting, etching and photolithographic processes. In this study, photosensitive barrier rib pastes were formulated and systematically evaluated in terms of photolithographic process variables such as printing, drying, UV exposure, development and sintering. It was found that the use of UV absorbent, polymerization inhibitor and surfactant were very effective in controlling the width uniformity of barrier ribs in the photolithographic method of barrier rib patterning.
Jo, Jeong-Dai;Choi, Ju-Hyuk;Kim, Kwang-Young;Lee, Eung-Sug;Esashi, Masayoshi
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2006.08a
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pp.186-189
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2006
The flexible organic thin film transistor (OTFT) array to use as a switching device for an organic light emitting diode (OLED) was designed and fabricated in the microcontact printing and room temperature process. The gate, source, and drain electrode patterns of OTFT were fabricated by microcontact printing process. The OTFT array with dielectric layer and organic active semiconductor layer formed at room temperature or at a temperature lower than $40^{\circ}C$. The microcontact printing process using SAM and PDMS stamp made it possible to fabricate OTFT arrays with channel lengths down to even submicron size, and reduced the fabrication process by 10 steps compared with photolithography. Since the process was done in room temperature, there was no pattern shrinkage, transformation, and bending problem appeared. Also, it was possible to improve electric field mobility, to decrease contact resistance, to increase close packing of molecules by SAM, and to reduce threshold voltage by using a big dielectric.
Carbon nanotubes (CNTs) have been significantly used for the field emitters for display applications. However, the lifetime of CNT emitters which are formed by screen printing technique is not guaranteed yet, because the constituents in CNT paste affect the lifetime of CNTs. The CNT pastes for screen printing are normally composed of organic vehicles (nitro cellulose, ethyl cellulose, etc) and additives (glass frits, ITO, etc) with CNTs. In this study, the effects of constituents in CNT pastes on the lifetime and emission characteristics of CNTs were investigated by thermal and electrical analysis. Use of glass frits worsened the lifetime and electron emission of CNTs. However, an addition of ITO to CNT paste rather improved the lifetime of CNTs. Degradation of CNTs was small when nitro cellulose was used in CNT paste as an organic vehicle.
Kim, Hyun-Jae;Diep, Bui Van;Bonnassieux, Yvan;Djeridane, Yassine;Abramov, Alexey;Pere, Roca i Cabarrocas
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2005.07b
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pp.1025-1028
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2005
Microcrystalline Si (${\mu}c-Si$) TFTs were fabricated using a conventional bottom gate amorphous Si (a-Si) process. A unique ${\mu}c-Si$ deposition technique and TFT architecture was proposed to enhance the reliability of the TFTs. This three-mask TFT fabrication process is comparable with existing a-Si TFT procesess. In order to suppress nucleation at the bottom interface of Si, before deposition of the ${\mu}c-Si$ an $N_2$ plasma passivation was conducted. A typical transfer characteristic of the TFTs shows a low off-current with a value of less than 1 pA and a sub threshold slop of 0.7 V/dec. The DC stress was applied to verify the use of ${\mu}c-Si$ TFTs for AMOLED displays. After 10,000 s of application of the stress, the off-current was even lowered and sub-threshold slope variation was less than 5%. For AMOLED displays, OLED pixel simulation was performed. A pixel current of 13 ${\mu}A$ was achieved with $V_{data}$ of 10 V. After the simulation, a linear equation for the pixel current was suggested.
Blochwitz-Nimoth, Jan;Birnstock, Jan;Wellmann, Philipp;Werner, Ansgar;Romainczyk, Tilmann;Limmert, Michael;Grubing, Andre
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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2005.07b
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pp.955-962
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2005
Power efficiency, lifetime and stable manufacturing processes are the crucial parameters for the success of organic light emitting diodes (OLEDs) in display and lighting applications. Highest power efficiencies of PIN-OLEDs for all principal colours and for bottom and top emission OLED structures have been demonstrated. The PIN structure, which means the incorporation of intentionally doped charge carrier transport layer in a suitable OLED layer setup, lowers the operating voltage to achieve highest power efficiencies. Up to now the n-doping of the electron transport layer has been done by alkali metal co-deposition. This has main draw-backs in terms of manufacturability, since the handling of large amounts of pure Cs is a basic issue in production lines. Here we present in detail results on PIN-OLEDs comprising a newly developed molecular n-dopant. All the previous OLED performance data based on PIN-OLEDs with alkali metal doping could be reproduced and will be further improved in the future. Hence, for the first time, a full manufacturing compatible PIN-OLED is available.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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