• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권12호
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• pp.11-17
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• 2000

저압 유기금속화학기상증착법을 이용하여 효율적인 청색 발광을 하는 InGaN/GaN multiple quantum wells(MQWs)을 성장시키고, InGaN/GaN MQWs의 광학적 및 계면 구조 특성을 고찰하였다. 보다 효율적인 청색 발광을 하는 InGaN/GaN MQWs을 성장시키기 위하여, MQWs의 성장온도 및 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 두께를 변화시켜 최적 조건을 확립하였다. 특히, GaN 장벽층의 두께 변화가 InGaN 우물층과 GaN 장벽층간 계면의 구조적 특성에 지대한 영향을 미침을 확인하였다. X-ray 회절분석결과와 고분해능의 투과전자현미경 사진 분석으로부터 MQW 구조의 InGaN 우물층과 GaN 장벽층간의 계면이 매우 급준함을 발견할 수 있었다. 또한, 상온 PL 스펙트럼에서 72.6meV의 매우 좁은 반치폭을 갖는 단일 피크가 463.5nm에서 확인되었다.

• Archives of Pharmacal Research
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• 제27권3호
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• pp.273-277
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• 2004

In previous studies for the development of new anticonvulsants, we found that N-Cbz-$\alpha$-amino-N-alkylsuccinimides exhibited significant anticonvulsant activities in the Maximal electroshock seizure (MES) and Pentylenetetrazole induced seizure (PTZ) tests, and also their anticonvulsant activities were dependent on the N-alkyl substituents existent in their structures. Based on these estimations, N-Cbz-$\alpha$-amino-N-hydroxysuccinimide and various N-Cbz-$\alpha$-amino-N-alkoxysuccinimides were prepared in order to develop more active anticonvulsants and to examine the effects of N-hydoxy or N-alkoxy groups on their anticonvulsant activities. The (R)-or (S)-N-Cbz-$\alpha$-amino-N-hydroxysuccinimide and N-Cbz-$\alpha$-amino-N-alkoxysuccinimides were prepared from the corresponding (R)-or (S)-N-Cbz-aspartic acid through the known synthetic procedures. Their anticonvulsant activities in the MES and PTZ test were evaluated. All of these compounds except 3a showed significant anticonvulsant activities against the PTZ test, but these compounds were not active in the MES test. The most active compound in the PTZ test was (R)-N-Cbz-$\alpha$-amino-N-benzyloxysuccinimide (ED$_{50}$=62.5 mg/kg). In addition, the anti-convulsant activities of these compounds were dependent on their N-substited groups. The order of anticonvulsant activity against the PTZ test, as judged from the ED50 values for (R) series was N-benzyloxy > N-hydroxy > N-isopropoxy > N-methoxy > N-ethoxy; for the (S) series N-ethoxy > N-benzyloxy > N-methoxy > N-isopropoxy.y.

• 한국재료학회:학술대회논문집
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• 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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• pp.105-105
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• 2003

InGaN/GaN MQW 구조는 청색 및 녹색 범위의 밴드 갭을 가지는 반도체로 최근 LED 및 LD 제조 등에 이용되고 있다. InGaN/GaN MQW은 InGaN와 GaN의 최적 성장온도의 중간온도에서 실행된다. InGaN와 GaN는 최적 성장온도의 차이가 크므로 중간온도에서 성장 시에 많은 결함이 생긴다. 성장온도가 높으면 InN가 분해되고 낮을 경우에는 질소의 결핍이 일어난다. 최적성장온도의 선택이 매우 중요한 문제로 주목되었다. Si 도핑으로 중간온도 성장 시에 형성되는 결함을 감소시키고 광학적 특성을 향상시킨다고 보고되었다. 그러나, Si 도핑효과에 대한 구체적이고 체계적인 연구는 부족한 실정이다. MQWs 구조의 GaN 장벽층에 미치는 성장온도와 Si 도핑 효과를 이해하기 위해서는 고온에서 성잠시킨 GaN박막(HT-GaN) 위에 중간온도에서 성장된 GaN 에피층(IT-GaN)의 구조에 관한 연구가 선행되어야한다. 본 연구에서는 HT-GaN 위에 성장된 GaN 에피층에 미치는 성장 온도와 Si 도핑 효과에 관해 연구하였다.

• Archives of Pharmacal Research
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• 제20권1호
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• pp.53-57
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• 1997

For the purpose of defining the effects of the N-substituted alkyl groups on the anticonvulsant activities of N-Cbz-.alpha.-aminosuccinimides, various (R)- and (S)-N-alkyl substituted N-Cbz-.alpha.-aminosuccinimides (1 and 2) were prepared from the corresponding (R)- and (S)-N-Cbz-aspartic acid by using known reaction and were evaluated the anticonvulsant activies in the MES and PTZ tests, including their neurotoxicities. The most active compound in the MES test was (R)N-Cbz-.alpha.-amino-N-methylsuccinimide (1b) $(ED_{50}=52.5 mg/kg, Pl=3.2)$. And in case of the PTZ test, (R)-N-Cbz-.alpha.-amino-N-ethylsuccinimide (1c) was the most active compound $(ED_{50}/=32.5mg/kg, Pl=3.1)$. The order of anticonvulsant activities of these compounds against the MES test, as judged from the ED_50values for the R series (1), was N-methyl > N-isobutyl > non-substituted > N-ethyl, N-allyl > N-benzyl compound; for the S series (2) N-methyl > N-altyl > non-substituted > N-isobutyl > N-ethyl > N-benzyl compound. The anticonvulsant activities in the PTZ tests of these compounds exhibited somewhat different pattern ; for the R series (1) Nethyl > N-methyl > N-isobutyl> non-substituted > N-allyl > N-benzyl compound in order of decreasing activity; for S series (2) N-ethyl > N-allyl, non-substituted > N-isobutyl > N-methyl > N-benzyl compound in order of decreasing activity.

• 정보처리학회논문지A
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• 제16A권4호
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• pp.299-306
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• 2009

계층적 폴디드 하이퍼스타 네트워크는 동일한 노드 개수를 갖는 계층적 네트워크인 HCN(n,n)과 HFN(n,n)보다 망비용이 우수한 연결망이다. 본 연구에서는 하이퍼큐브, HCN(n,n), HFN(n,n)과 계층적 폴디드 하이퍼스타 HFH($C_n,C_n$) 사이의 임베딩을 분석한다. 임베딩 결과는 HCN(n,n), HFN(n,n), 하이퍼큐브 $Q_{2n}$은 계층적 폴디드 하이퍼스타 HFH($C_n,C_n$)에 확장율 $\frac{C^n}{2^{2n}}$과 연장율 2, 3, 4로 각각 임베딩 가능하다. 또한, 계층적 폴디드 하이퍼스타 HFH($C_n,C_n$)는 계층적 네트워크인 HFN(2n,2n)에 연장율 1에 임베딩 가능하다. 이러한 임베딩 결과는 하이퍼큐브, HCN(n,n), HFN(n,n)에서 개발된 알고리즘을 계층적 폴디드 하이퍼스타 HFH($C_n,C_n$)에서 효율적으로 활용 가능함을 의미한다.

• Kyungpook Mathematical Journal
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• 제56권1호
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• pp.83-94
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• 2016

Let M and N be modules over a ring R. The purpose of this paper is to study modules M, N for which the bi-module [M, N] is regular or pi. It is proved that the bi-module [M, N] is regular if and only if a module N is semi M-projective and $Im({\alpha}){\subseteq}^{\oplus}N$ for all ${\alpha}{\in}[M,N]$, if and only if a module M is semi N-injective and $Ker({\alpha}){\subseteq}^{\oplus}N$ for all ${\alpha}{\in}[M,N]$. Also, it is proved that the bi-module [M, N] is pi if and only if a module N is direct M-projective and for any ${\alpha}{\in}[M,N]$ there exists ${\beta}{\in}[M,N]$ such that $Im({\alpha}{\beta}){\subseteq}^{\oplus}N$, if and only if a module M is direct N-injective and for any ${\alpha}{\in}[M,N]$ there exists ${\beta}{\in}[M,N]$ such that $Ker({\beta}{\alpha}){\subseteq}^{\oplus}M$. The relationship between the Jacobson radical and the (co)singular ideal of [M, N] is described.

• 한국식품영양학회지
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• 제8권2호
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• pp.59-69
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• 1995

This study designed to compare the hypolipidemic e(feats of n6 linoleic acid (LA), n3 w-linolenic acid(LL) and n3 eicosapentaenoic acid(EPA) and docosahexaenoic acid(DHA) In rats fed high fat (40% Cal) diet. Male Sprague-Dawley rats fed experimental diets for 6 weeks, which were different only in fatty acid composition. The dietary fats were beef tallow (BT) as a source of saturated fatty acid (SFA), corn oil(CO) for n6 LA, perilla oil (PO) for n3 a-LL and fish oil (FO) for n3 EPA+DHA. Plasma total cholesterol (T-chol) level was increased by n6 LA but decreased by n3 LL and n3 EPA+DHA and most effectively reduced by n3 EPA+DHA. Plasma triglyceride(TG ) level was reduced by n6 LA, but lipogenesis in liver was not affected by n6 LA. However, plasma TG level was lowered by n3 LL and EPA+DHA. Both lipogenic enzyme activity and liver TG level were also decreased by n3 PUFA. PO and FO groups were significantly higher in the relative Proportions of C20:5 and C22:6 of plasma and liver and lower in those of C20:4/C20:5 ratio. Overall, the lipid-lowering effect was in the order of n3 EPA+DHA >n3 LL > n6 LA and fish oil and perilla oil rich in n3 PUFA may have important nutritional applications in the prevention and treatment of hyperlipidemia.

• 한국식품영양과학회지
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• 제34권4호
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• pp.466-475
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• 2005

본 연구에서는 인공 사육 모델 시스템과 인공 쥐용 분유를 이용하여 출생 직후 12시간 이내에 엄마 쥐들로부터 신생 쥐를 분리하여 n-3 지방산 결핍분유와 n-3 지방산 적절분유로 3주 동안 사육한 후(이유기) 각각 장기들을 취하고 또한 성숙 쥐(15 wks)의 뇌, 망막, 간을 취하여 뇌 성장 발달 과정 동안 n-3지방산 결핍이 이들 장기들의 지방산조성 변화에 미치는 영향을 알아보고자 한다. 이유기와 성숙기 쥐의 뇌 지방산 조성은 n-3 지방산 적절군과 대조군과 비교했을 때, n-3지방산 결핍군의 경우 n-6지방산의 함량은 높았으나 (p<0.05), 총 monounsaturated 지방산과 총 n-3 지방산의 함량은 낮았고(p<0.05), 총 saturated 지방산의 경우는 변화가 없었다. 기대했듯이 뇌 DHA의 경우 n-3 지방산 결핍군은 n-3 지방산 적절군과 대조군에 비해 이유기 때 $50\%$, 성숙기에는 $70\%$까지 감소하였고 반면 n-6 계열인 DPAn-6의 함량은 상당히 증가하였음을 살펴볼 수가 있었다. 이유기의 망막의 총 saturated 지방산과 총 monounsaturated 지방산에는 식이군 사이에 변화가 없었고 22:4n-6, DPAn-6와 총 n-6 지방산의 함량은 n-3 지방산 결핍군에서 n-3 지방산 적절군과 대조군에 비해 증가하였으나(p<0.05), 22:5n-3, DHA와 총 n-3 지방산의 함량은 상당히 감소하였음을 관찰할 수가 있었다(p<0.05). 성숙 쥐 망막의 지방산조성의 경우 20:4n-6, 22:4n-6, 22:5n-6와 총 n-6 지방산의 함량은 n-3 지방산 결핍군에서 n-3 지방산 적절군과 대조군에 비해 증가하였으나(p<0.05), 22:5n-3, DHA와 총 n-3 지방산의 함량은 상당히 감소하였다(p<0.05). 특히 n-3 결핍군의 망막 DHA는 이유기 때 $57\%$ 감소에서 성숙기에 $63\%$까지 감소하였다. (p<0.05). 간의 경우, 이유기의 n-3 지방산 결핍군의 DHA는 $65\%$ 감소한 반면 간의 DPAn-6는 $59\%$ 증가하였다. 흥미로운 것은 이유기의 간 지방산 조성과는 대조적으로 성숙기의 n-3 지방산 결핍군의 18:2n-6, 20:3n-6, 20:4n-6와 22:4n-6 지방산 함량이 현저히 감소된 것과는 달리 DPAn-6의 함량이 n-3 지방산 적절군보다 $143\%$까지 증가되었음 관찰할 수 가 있었다(p<0.05). 이상의 장기들의 n-3지방산 결핍군은 이유기와 성숙기에서 DPAn-6/DHA비와 n-6/n-3비 또한 n-3 지방산 적절군과 대조군에 비해 컸으나(p<0.05) DPAn-6와 DHA의 합에는 변화가 없었다. 따라서 뇌 성숙 발달 과정동안 n-3 지방산 결핍은 뇌의 DHA의 결핍을 초래하고 이러한 비정상적인 조건에서 DPAn-6의 증가를 유발하였으며 이러한 지방산 조성의 변화와 공간과 후각에 기초를 하는 기억 학습 능력 저하의 관련성에 대해서는 앞으로 연구가 진행되어져야 할 것으로 사료되어진다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.228.2-228.2
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• 2013

본 논문은 InN와 GaN를 교대로 증착하는 교번성장법(Alternate Growth Method)을 이용해 형성한 높은 인듐(Indium) 조성을 갖는 InGaN (HI-InGaN) 구조의 열처리(Rapid Thermal Annealing, RTA) 온도 및 시간에 대한 구조와 광학적 특성을 Double Crystal X-ray Diffraction (DCXRD), Transmission Electron Microscopy와 Photoluminescence (PL) 장비를 사용하여 분석한 결과를 보고한다. DCXRD 스펙트럼에서 HI-InGaN 박막은 GaN(0002)로부터 $2.98^{\circ}$ 분리된 위치에서 회절 신호를 관찰 할 수 있다. 그리고 GaN와 HI-InGaN 신호 사이의 넓은 범위에서 미약하지만 신호가 관찰 되는데, 이는 InN와 GaN 계면에서 발생하는 상호확산 확률의 차이에 기인한 In 조성이 다른 InGaN 신호로 해석할 수 있다. 열처리 온도를 $775^{\circ}C$로 고정하고 시간을 10, 20, 30초로 각각 변화시켜 RTA를 진행한 DCXRD 스펙트럼에서 GaN(0002)로부터 $0.7{\sim}1.1^{\circ}$ 떨어진 위치에서 InGaN 피크를 확인 할 수 있다. RTA 시간이 증가 할수록 HI-InGaN 신호의 위치가 GaN 피크 방향으로 이동하며, 세기가 증가하는 것을 확인 할 수 있다. HI-InGaN의 PL 스펙트럼에서 상온 발광파장은 1369 nm 이며, 반치폭(Line-width)은 51.02 nm을 보였다. RTA 수행 후 발광파장에 따른 광세기가 각각 달라졌으며, 특히 900 nm 부근의 신호가 상대적으로 크게 증가하는 것을 확인할 수 있었다. RTA에 따른 HI-InGaN의 구조 및 광학적 특성 변화를 InN와 GaN 계면에서 In, Ga 원자의 상호확산 효과현상으로 논의할 예정이다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.485-485
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• 2013

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.