• 접착 및 계면
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• 제24권2호
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• pp.60-63
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• 2023

AlGaN/GaN 이종접합 구조는 이차원 전자 가스층(2-DEG)으로 인해 높은 전자이동도를 갖고 있으며, 넓은 밴드갭을 갖기 때문에 고온에서 높은 항복전압을 갖는 특성을 가지고 있어, 고전력, 고주파 전자 소자로 주목받고 있다. 이러한 이점을 갖고 있음에도 불구하고, 전류 붕괴 등의 다양한 소자 신뢰성에 영향을 주는 인자들이 있기 때문에 이를 해결하고자, 본 논문에서는 금속-유기-화학기상증착법을 이용하여 AlGaN/GaN 이종 접합구조와 SiN 패시베이션 층을 연속 증착시켰다. 이를 통해 HEMTs소자에 SiN패시베이션이 미치는 재료 특성 및 전기적 특성을 분석했으며, 결과를 바탕으로 저주파 잡음 특성을 측정해 소자의 전도 메커니즘 모델과 채널 내의 결함의 원인에 대해서 분석하였다.

• Journal of Acupuncture Research
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• 제26권1호
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• pp.49-57
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• 2009

Objectives : During the past three decades there has been a significant evolution of laser acupuncture application in the nature of the clinical approach and the research of traditional medicine and laser therapy field. However, there have been no standard and guideline of laser equipment can be applied as laser acupuncture. This study aims to investigate the condition of laser equipment required as a laser acupuncture method. Methods : First, we performed literature search using the Medline(from 1999 to Oct 2008) to confirm types and ranges of laser equipments that can be applied as laser acupuncture. In addition, we investigated the characters of acupoints such as sites and depths, and compared with penetrating depths of each laser. Results : A total of 37 articles for clinical studies using laser acupuncture were selected, and 41 lasers were used. GaAs laser was used three times, GaAlAs laser 14, InGaAlP 18, HeNe laser 4, and Argon laser and CO2 laser were used one time, respectively. From all 361 points of fourteen meridians, depths of 341 points(94.5%) were 1 cun(2.3-3.2cm) or less. The mean depth of all points was 0.48 cun(1.1-1.5cm). Hence, it appeared that the majority of therapeutic lasers satisfied with the condition. HeNe, InGaAlP, GaAlAs, GaAs lasers are recommended for laser acupuncture, however, it may plausible that other surgical lasers could be used as the laser acupuncture, because it have the biostimulation effect to some extent, too. Conclusions : It is suggested that to select appropriate laser type and give the adequate output power to reach the acupoints under the skin using laser acupuncture. Further evaluation and research for the condition of laser acupuncture are warranted.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.107-107
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• 2012

본 연구에서는 GaAs p-i-n 태양전지구조에 InAs 양자점을 삽입하여 계면의 전기장 변화를 Photoreflectance (PR) 방법으로 연구하였다. InAs/GaAs 양자점 태양전지구조는 n-GaAs 기판위에 p-i-n 구조의 태양전지를 분자선박막성장 장치를 이용하여 제작하였다. GaAs p-i-n 태양전지와 p-QD(i)-n 양자점 태양전지를 제작하여 계면전기장의 변화를 PR 신호에 나타난 Franz-Keldysh oscillation (FKO)으로부터 측정하였다. 기본적인 p-i-n 구조에서 두 가지 전기장성분을 검출 하였고 양자점 태양전지구조에서는 39 kV/cm 이상의 내부전기장이 존재함을 관측하였다. 이러한 내부전기장은 양자점 주변에 형성된 국소전기장의 효과로 추측하였다. 아울러 양자점을 AlGaAs 양자우물 구조에 삽입하여 케리어의 구속에 의한 FKO의 변화를 관측하였으며 양자점 태양전지의 구조적 변화에 따른 효율을 측정하여 비교 분석하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1994년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1216-1219
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• 1994

A reflection type SEED from LP-MOCVD grown InGaAs/GaAs ESQW structures, with 5% In fraction, has been fabricated and its basic characteristics were investigated. Its intrinsic region consists of 50 pairs of alternating $100{\AA}$ $In_{0.05}Ga_{0.95}As$ barrier and $100{\AA}$ GaAs layers. And a multilayer reflector stack of $Al_{0.12}Ga_{0.88}As(641{\AA})-/AlAs(774{\AA})$ was vertically integrated below the p-i-n structures. The device processing includes the mesa etching, insulator deposition, indium metallization, and thermal alloy for Ohmic contact. Photocurrent spectrum measurement showed the exciton absorption peak at 905nm and availability as a optical switching device. This device showed a contrast ratio of 2:1 by the reflectance spectrum measurement.

• 공업화학
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• 제30권4호
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• pp.504-508
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• 2019

GaInP/AlGaInP 이종접합 구조를 제안하고 집광 조건에서 가장 높은 효율을 달성한 III-V 화합물 반도체 다중접합 태양전지의 맨 위 subcell에 주로 사용되는 GaInP 동종접합 구조를 대체해 이종접합 구조가 응용될 가능성에 대하여 조사하였다. $2^{\circ}$ off 된 웨이퍼와 $10^{\circ}$ off 된 서로 다른 off-cut 방향을 갖는 두 종류의 GaAs 기판 위에 성장된 태양전지의 특성을 집광 조건에서 측정하고 비교하였다. $10^{\circ}$ off 된 태양전지에서 더 높은 단락전류와 변환효율을 얻었다. 1 sun 조건에서 $10^{\circ}$ off 된 기판 위에 제작된 $2{\times}2mm^2$ 면적의 태양전지에서 $9.21mA/cm^2$의 단락전류밀도와 1.38 V의 개방 전압이 측정되었다. $10^{\circ}$ off 기판 위에 제작된 $5{\times}5mm^2$ 태양전지에서 집광도 증가에 따라 곡선인자(fiill factor)가 감소하여 변환효율은 6.03% (1 sun)에서 5.28% (20 sun)로 측정되었다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.94-95
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• 2003

최근 들어 저가용 광통신 소자를 제조하기 위한 방법으로 TEC를 사용하지 않는 비냉각형(uncooled) 레이저에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 이를 위해 반도체 레이저를 형성하는 화합물 반도체 재료 적인 측면에서는 기존에 널리 사용되는 InGaAsP계 물질에 비해 AlGaInAs계 물질구조는 큰 conduction band offset ($\Delta$Ec=$\Delta$O.72Eg) 등으로 인해 고온에서 전자의 overflow를 억제하고 균일한 hole injection으로 인해 우수한 고온특성과 높은 이득(gain)을 보이는 장점을 지니고 있다. (중략)

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권5호
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• pp.431-435
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• 2009

The apparatus has been fabricated using the laser diode and microprocessor unit. The apparatus used a InGaAlP laser diode for laser medical therapy and was designed for a pulse width modulation type to increase stimulation effects. To raise the stimulus effect of the human body, the optical irradiation frequency could be set up. The study has executed in-vivo experiment by employing our own developed laser diode irradiation system to investigate the effects of the InGaAlP laser diode irradiation on the wound healing as a preliminary study aimed at the application of InGaAlP laser diode to wound healing of human skin injury. The study cut out whole skin layers of Sprague-Dawley rat on the back part in 1 cm circle and observed developing effects after executing light irradiation for 9 days, and in result it is found that the light irradiation rat showed earlier wound healing than non-irradiation rat during the experimental period. In addition, there are some differences found regarding the healing process between laser diode irradiated rats and non-irradiated ones.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.308-308
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• 2011

6.48 ${\AA}$의 격자 상수를 갖는 InSb 물질은 0.17 eV의 낮은 에너지 밴드갭과 78,000 cm2/Vs의 전자 이동도를 갖는 물질로서 고속의 자성 센서소자, 장파장의 광 검출기 그리고 고속 전자소자 등의 분야에서 많은 주목을 받고 있다. 그러나, 전기적 특성이 우수한 InSb 물질을 소자로 구현하는데 있어서 큰 어려움이 있다. InSb와 격자 크기가 잘 맞으면서 절연이 우수한 기판의 부재가 가장 큰 문제가 되는 부분이다. 즉, 격자 부정합을 최소화하며 동시에 절연기판을 사용함으로써 소자의 특성을 잘 살려야 하는 것이다. 이러한 이유로 인하여 InSb 기반의 소자가 널리 사용되지 못하고 있는 것이다. 현재 범용으로 사용하고 있는 기판은 격자 부정합이 14%인 GaAs, 11%의 InP 그리고 18%의 Si 등이 있다. 이번 발표에서는 GaAs 기판 위에 격자 부정합을 최소화하여 InSb 박막을 최적화 시켜 성장하는 방법에 대해서 소개하고자 한다. InSb 박막 성장하는데 있어 논문으로 보고된 여러 가지 방법들이 있다. 기판과의 격자 부정합을 줄이기 위하여 저온-고온 (L-T)의 의한 메타몰픽(metamorphic) buffer 층을 성장 후 InSb 박막을 성장하는 방법[1] 그리고 단계별 buffer를 성장하는 방법[2] 등을 통해서 많은 진보가 있었다. 하지만, 우리는 GaAs 기판 위에 AlSb 박막을 성장 하면서 동시에 In과 Al의 양을 서서히 변화시키는 grading 기술을 사용하였다. 즉, 물질 각각의 격자상수를 고려하여 GaAs (기판)-AlSb-InAlSb-InSb로 변화를 주어 격자 부정합이 최소가 되도록 하여 만들어진 buffer 위에 InSb 층이 만들어 지도록 하여 GaAs 기판 위에 InSb 박막을 성장 할 수 있었다. grading 기술을 이용하여 만들어진 buffer 위에 성장된 0.3 um의 InSb 박막 층은 상온에서 전자 이동도가 약 38,000 cm2/Vs에 이르는 것을 확인하였다. InSb 박막의 두께가 약 1 um 되어야 30,000 cm2/Vs 이상의 전자 이동도를 얻을 수 있다고 많은 논문을 통해서 보고 되고 있으나 우리는 단지 0.3 um의 InSb 박막두께에서 이와 같은 전기적인 특성을 확인하였기에 이상과 같이 보고 하고자 한다.

• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제11권2호
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• pp.53-57
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• 2012

This paper is for accurately simulating the breakdown of MHEMTs with an InP-etchstop layer. 2D-Hydrodynamic simulation parameters are investigated and calibrated for the InP-epitaxy layer. With these calibrated parameters, simulations are performed and analyzed for the breakdown of devices with an InP-etchstop layer. In the paper, the impact-ionization coefficients, the mobility degradation due to doping concentration, and the saturation velocity for InP-epitaxy layer are newly calibrated for more accurate breakdown simulation.

• 한국진공학회지
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• 제11권1호
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• pp.50-58
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• 2002

Si 기판 위에 GaN의 성장은 Si이 사파이어보다 값이 저렴하고, 기존의 Si의 직접회로 공정에 GaN를 쉽게 접목시킬 수 있는 측면에서 다양한 장점이 있다. 그러나, Si은 GaN와의 격자상수와 열팽창계수의 차이가 사파이어보다 크며, 이로 인해 격자부정합에 의한 여러 결함을 발생시킨다. 따라서, Si 기판 위에 고품질의 GaN를 얻기 위해서는 AlN과 같은 완충층을 사용하여 격자부정합에 의한 결함을 줄여야 한다. 본 연구에서는 Si (111) 기판 위에 MOCVD, 스퍼터링과 MOMBE의 3가지 방법으로 결정성이 다른 3가지 유형의 AlN 완충층을 얻은 후, MOCVD법으로 GaN를 증착시켜 각각의 성장특성을 비교하였다. AlN 완충층과 GaN의 격자결합, 완충층의 표면 거칠기가 격자결함에 미치는 영향, 결정성, 성장방향, 결함(공공, 적층결함, 전위) 등을 TEM, XRD를 이용해 비교 분석하였다. AlN완충층의 결정성은 GaN의 성장에 있어 매우 큰 영향을 미치는 것을 확인할 수 있었다. 초기 성장과정에서 MOCVD과 MOMBE 법으로 성장시킨 AlN 완충층은 GaN 초기 성장에서 out-of-plane의 성장방향이 틀어지는 것을 감소시켜 주었다.