• 한국재료학회지
• /
• 제19권1호
• /
• pp.44-49
• /
• 2009

Conjugated nanocrystals using CdSe/ZnS core/shell nanocrystal quantum dots modified by organic linkers and glucose oxidase (GOx) were prepared for use as biosensors. The trioctylphophine oxide (TOPO)-capped QDs were first modified to give them water-solubility by terminal carboxyl groups that were bonded to the amino groups of GOx through an EDC/NHS coupling reaction. As the glucose concentration increased, the photoluminescence intensity was enhanced linearly due to the electron transfer during the enzymatic reaction. The UV-visible spectra of the as-prepared QDs are identical to that of QDs-MAA. This shows that these QDs do not become agglomerated during ligand exchanges. A photoluminescence (PL) spectroscopic study showed that the PL intensity of the QDs-GOx bioconjugates was increased in the presence of glucose. These glucose sensors showed linearity up to approximately 15 mM and became gradually saturated above 15 mM because the excess glucose did not affect the enzymatic oxidation reaction past that amount. These biosensors show highly sensitive variation in terms of their photoluminescence depending on the glucose concentration.

• 한국전자현미경학회:학술대회논문집
• /
• 한국현미경학회 2003년도 제34차 춘계학술대회
• /
• pp.67-68
• /
• 2003

• Bulletin of the Korean Chemical Society
• /
• 제32권7호
• /
• pp.2316-2318
• /
• 2011

A novel technology has been developed for the synthesis of thioglycolic acid (TGA)-capped CdSe quantum dots (QDs) in aqueous medium. The reaction was carried out in air atmosphere with one-pot by using $SeO_2$ to replace Se or $Na_2Se$. The technological parameters including refluxing time, pH values and molar ratios of selenium to cadmium had significant influence on the luminescence properties of CdSe QDs. Furthermore, the obtained QDs were characterized by fluorescent spectroscopy, X-ray powder diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM), respectively. The results demonstrated that the CdSe QDs were of zinc-blended crystal structure in a sphere-like shape.

• 반도체디스플레이기술학회지
• /
• 제20권1호
• /
• pp.113-117
• /
• 2021

A composite active layer was designed based on graphene quantum dots, which is a low-dimensional structure, and a heterogeneous active layer of graphene quantum dots was applied to the interfacial defect structure to overcome the limitations. Increasing to 1.5~3.5 wt % PVP GQD, Vf changed from 2.16 ~ 2.72 V. When negative deflection is applied to the lower electrode, electrons travel through the HfOx/ITO interface. The Al + ions are reduced and the device dominates at low resistance. In addition, as the PVP GQD concentration increased, the depth of the interfacial defect decreased, and the repetition of appropriate electrical properties was confirmed through Al and HfOx/ITO. The low interfacial defects help electrophoresis of Al+ ions to the PVP GQD layer and the HfOx thin film. A local electric field increase occurred, resulting in the breakage of the conductive filament in the defect.

• 공업화학
• /
• 제26권3호
• /
• pp.362-365
• /
• 2015

본 연구에서는 polyoxyethylenenonylphenylether (NP5) 계면활성제와 sodium bis(2-ethylhexyl) sulfosuccinate (AOT) 계면활성제가 형성하는 두 종류의 W/O 마이크로에멀젼을 이용해서 실리카에 담지된 ZnSe 양자점을 제조하였다. 본 방법으로 3 nm 크기의 cubic zinc blende 결정 구조를 갖는 ZnSe 입자를 합성하였으며 약 20 nm 크기의 실리카 입자에 효과적으로 담지 시킬 수 있었다. 합성된 입자의 photoluminescence (PL) 주변 온도 의존성을 $30^{\circ}C$에서 $60^{\circ}C$ 범위에서 확인한 결과, 온도가 증가함에 따라 PL intensity가 감소하였으며 PL intensity와 온도와는 높은 상관관계를 나타내었다. 아울러 PL intensity와 온도의 상관관계는 온도를 낮은 곳에서 올려가며 측정한 경우와 반대로 낮추며 측정한 경우 같은 상관도를 나타내어 온도 의존성이 가역적임을 알 수 있었다. 그 결과 실리카에 담지된 ZnSe 양자점이 온도 센서로 사용될 수 있는 잠재적인 매체임을 확인하였다.

• 한국재료학회:학술대회논문집
• /
• 한국재료학회 2012년도 춘계학술발표대회
• /
• pp.87.2-87.2
• /
• 2012

고출력 반도체 레이저 다이오드는 발진 파장 및 광 출력에 따라 다양한 분야에 응용되고 있으며, 특히 발진파장이 808 nm 및 1470 nm 인 고출력 레이저 다이오드의 경우 재료가공, 펌핑용 광원 (DPSSL, 광섬유 레이저), 의료, 피부미용 (점 제거), 레이저 다이오드 디스플레이 등 가장 다양한 응용분야를 가진 광원 중의 하나라고 할 수 있다. 일례로 재료가공의 경우, 레이저 용접, 레이저 인쇄, 하드디스크의 레이저 텍스쳐링 등 그 응용분야는 무수히 많으며, 최근에는 미래 성장동력 사업의 하나로 중요한 이슈가 되는 태양전지에서 에지 분리 (edge isolation), ID 마킹, 레이저 솔더링 등에서 필수불가결한 광원으로 각광받고 있다. 808 nm 대역 In(Ga)AlAs quantum dots laser diode (QDLD) 성장을 위하여 In(Ga)AlAs QD active 와 In(Ga)AlAs QD LD 성장으로 크게 분류하여 여러 가지 test 실험을 수행하였다. 우선 In(Ga)AlAs QD LD 성장에 앞서 high power LD에 적용 가능한 GaAs/AlGaAs quantum well의 성장 및 전기 측정을 수행하여 그 가능성을 보았다. In(Ga)AlAs QD active layer의 효과적인 실험 조건 조절을 위해 QD layer는 sequential mithod (ex. n x (InGaAlAs t sec + InAs t sec + As 10 sec)를 사용하였다. In(Ga)AlAs QD active layer는 성장 온도, 각 sequence 별 시간, 각 source 양, barrier 두께 조절 및 타입변형, Arsenic flux 등의 조건을 조절하여 실험하였다. 또한 위에서 선택된 몇 가지 active layer 를 이용하여 In(Ga)AlAs QD LD 성장 조건 변화를 시도하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제27권3호
• /
• pp.69-72
• /
• 2020

본 연구에서는 SnO₂ nanoparticles (NPs) 위에 TiO₂ NPs를 코팅하여 Quantum Dots Light Emitting Diodes (QLEDs)를 제작하였다. TiO₂ NPs는 SnO₂ NPs보다 conduction band minimum (CBM) 준위가 낮다. 따라서 SnO₂ 층과 발광층의 CBM 준위 사이에 위치해 에너지 장벽을 감소시키고, 전자의 이동을 원활하게 할 것으로 예상하였다. QLEDs는 inverted 구조로 제작되었으며, SnO₂ 단일층을 사용한 경우보다 발광 특성이 향상된 것을 확인하였다. 이중 전자수송층을 적용한 이번 연구를 통해 SnO₂를 QLEDs에 전자수송층으로 적용할 수 있을 것으로 기대한다.

• 세라미스트
• /
• 제21권1호
• /
• pp.55-63
• /
• 2018

Recently, display technology has been focused in regard with with color reproduction, contrast ratio, image resolution and color bit. Among these technologies, the color reproducibliity of White, Red, Green, and Blue is associated with the TV plaform and is expressed as a major technology. Major TV platforms are divided into three categories since 2015, including LCD-based phosphor coverted LED BLU technology, QD sheet technology using nano-sized quantum dots, and OLED technology. In this paper, we describe the color reproducibility definition and background, luminescent materials with wide color gamut, color reproducibility of TV display performance, and discuss about next luminescent materials.

• 한국표면공학회지
• /
• 제51권5호
• /
• pp.257-262
• /
• 2018

Cesium lead halide perovskite quantum dots (QDs) have recently emerged as highly promising opto-electronic materials. Despite the relative facile anion exchange reactions in cesium lead halide perovskite QDs, in depth study of the anion exchange reactions such as reaction kinetics are required that can provide insight into the crystal transformation in the cesium lead halide perovskite QDs. Herein, we investigated the anion exchange reaction from $CsPbI_3$ QDs to $CsPbBr_3$ QDs with varying the particle size of the starting $CsPbI_3$ QDs. By characterizing the PL spectra in the anion exchange reaction process, we observed that discontinuous PL peak shifts during I-to-Br anion exchange reaction in starting $CsPbI_3$ QDs over a critical size. Origin of the discontinuous I-to-Br anion exchange kinetics are mainly due to thermodynamically unstable nature of the $CsPb(Br/I)_3$ alloy QDs.

• 한국진공학회지
• /
• 제15권3호
• /
• pp.308-313
• /
• 2006

서로 다른 성장조건 하에서 자발형성 InAs 양자점 (quantum dot, QD)을 제작하고. 그 특성을 photoluminescence (PL) 로 분석하였다. 비교적 높은 기판온도에서 성장된 QD 시료들의 PL 스펙트럼에서 분명한 차이를 나타내는 double-peak이 관측되었다. 온도 및 여기광 출력의존성 (temperature- and excitation power dependence) PL을 이용하여 그 double-peak이 서로 다른 크기분포를 가지는 두개의 InAs QD집단에서의 기저발광 (Eo) 에 의한 peak 임을 알 수 있었다. 게다가 이중크기분포에서 InAs 두께변화는 서로 대립되는 두 QD집단에서 QD 수의 변화를 초래한다는 것 또한 증명하였다.